「バイアス電圧」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

一実施形態において、バイアス電圧Vb417の値は、105mVである。

在一个实施例中，Vb 417的值是 105mV。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、第1制御端子Tc1に順バイアス電圧Vc1が印加される時には、第2制御端子Tc2に逆バイアス電圧Vc2が印加され、第1制御端子Tc1に逆バイアス電圧Vc2が印加される時には、第2制御端子Tc2に順バイアス電圧Vc1が印加される。

当正向偏置电压 Vc1被施加到第一控制端子 Tc1时，反向偏置电压 Vc2被施加到第二控制端子 Tc2。 当反向偏置电压 Vc2被施加到第一控制端子 Tc1时，正向偏置电压 Vc1被施加到第二控制端子 Tc2。 - 中国語 特許翻訳例文集

一実施形態において、バイアス電圧Vb417は、バンドギャップ回路（図示せず）によって生成される。

在一个实施例中，由带隙电路(未示出 )产生偏压 Vb 417。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−1は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC11の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW191A-1的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压 VDC11的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−2は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC11の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW191A-2的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压 VDC11的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−3は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC11の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW191A-3的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压 VDC11的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−nは、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC11の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW191A-n的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压 VDC11的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

これらのバイアス電圧VBIAS11，12，13は、サンプルホールド回路190，200内のサンプリングスイッチSW191，SW192，SW201によりノイズ源となる電圧生成回路および外部バイアス入力端子から電気的に切り離されている。

通过采样 /保持电路 190的采样开关 SW191和 SW192以及采样 /保持电路 200的采样开关 SW201，偏置电压 VBIAS11、VBIAS12、和 VBIAS13与能够是噪声源的电压生成电路和外部偏置输入端子电隔离。 - 中国語 特許翻訳例文集

バイアス電圧生成回路5は、アナログゲイン情報18に従って、アナログゲインが基準値よりも大きい場合、つまり被写体の明るさが基準よりも暗い場合は所定値よりも低いバイアス電圧を生成する。

偏压生成电路 5按照模拟增益信息 18，在模拟增益比基准值大的情况下，即被摄体的亮度比基准暗的情况下生成比规定值低的偏压。 - 中国語 特許翻訳例文集

そこで、バイアス電圧生成回路5は、バイアス電圧を、図8に示すように、明るさが基準値よりも、明るい場合は大きくし、暗い場合は小さくする関係で、明るさに応じて変更している。

因此，如图 8所示，偏压生成电路 5以在亮度比基准值亮的情况下使偏压变大、在比基准值暗的情况使偏压变小的关系，根据亮度变更偏压。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC11の供給ラインに接続され、端子bがキャパシタC191の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW191的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压VDC11的线。 该开关的另一端子 b连接至电容器 C191的一端，并且连接点连接至用于供给偏置电压 VBIAS11的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW192は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC12の供給ラインに接続され、端子bがキャパシタC192の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS12の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW192的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压VDC12的线。 该开关的另一端子 b连接至电容器 C192的一端，并且连接点连接至用于供给偏置电压 VBIAS12的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

スイッチSW0〜SWNは、補正用バイアス選択部170による黒化現象検出用クランプ電圧設定値SCVLに応じてオン、オフ制御される。

根据校正偏置选择部件 170所设置的黑化检测钳制电压设置值 SCVL控制开关SW0～ SWN的接通 /切断。 - 中国語 特許翻訳例文集

バイアス電圧VBIAS11は、アナログ信号VSLの読み出し中およびアナログデジタル（AD）変換中にサンプルホールド回路190により供給される。

当模拟信号 VSL被读出并 A/D转换时，由采样 /保持电路 190供给偏置电压VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

このように、バイアス電圧VBIAS12は、アナログ信号VSLの読み出しおよびAD変換期間中にサンプルホールド回路190により供給される。

如这样描述的，在模拟信号 VSL被读出及 A-D转换的时间段期间，由采样 /保持电路 190供给偏置电压 VBIAS12。 - 中国語 特許翻訳例文集

一実施形態において、バイアス電圧Vb（図4Bに記載されている）は、三角形の写像信号の中間点に設定される。

在一个实施例中，将偏压 Vb(在图 4B中讨论 )设置为三角映射信号的中间点。 - 中国語 特許翻訳例文集

図4Bに示す乗算回路の実装は、どのようなバイアス電圧VbがXnに対して設定されるかに依存する。

在图 4B中讨论的乘法电路的实现取决于相对于 Xn如何设置偏压 Vb。 - 中国語 特許翻訳例文集

半導体層21には、バイアス電圧が印加された状態で光が未照射の場合、数pA／mm2以下の電流しか流れない。

在半导体层 21中，当未照射光时，在施加偏置电压的状态下，仅几 pA/mm2或更小的电流流动。 - 中国語 特許翻訳例文集

負荷回路150およびDAC170には、アナログ読み出しおよびAD変換期間中、サンプルホールド回路190の内部容量であるキャパシタC191，C192にホールドされた電圧がバイアス電圧VBIAS11，VBIAS12として供給される。

在模拟信号被读出及 A/D转换的时间段期间，将保持在作为采样 /保持电路 190的内部电容的电容器 C191和 C192中的电压作为偏置电压 VBIAS11和 VBIAS12供给至负载电路 150和 DAC 170。 - 中国語 特許翻訳例文集

列並列処理部160の比較器162には、アナログ読み出しおよびAD変換期間中、サンプルホールド回路200の内部容量であるキャパシタC201にホールドされた電圧がバイアス電圧VBIAS13として供給される。

在模拟信号被读出及 A/D转换的时间段期间，将保持在作为采样 /保持电路 200的内部电容的电容器 C201中的电压作为偏置电压 VBIAS13供给至列并行处理部分 160的比较器 162。 - 中国語 特許翻訳例文集

この場合、バイアス回路から生成したある閾値電圧を参照電圧としてリセット信号制御用コンパレータへ入れ、リセット信号との電位比較を行う。

在该情况下，将从旁路电路生成的某个阈值电压作为参照电压而输入到复位信号控制用比较器中，来与复位信号进行电位比较。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプルホールド部201は、外部バイアス入力端子T100を介して入力されたDCバイアス電圧VDC13を制御信号としてのサンプリングパルスSMP12がアクティブ（たとえばハイレベル）で供給される期間サンプリングし、ホールドする。

在有效状态下 (即处于高电平 )供给作为控制信号的采样脉冲 SMP12的时间段期间，采样 /保持部分 201对经由外部偏置输入端子 T100输入的 DC偏置电压 VDC13进行采样并保持。 - 中国語 特許翻訳例文集

従って、例えば第1制御端子Tc1に順バイアス電圧Vc1が印加されて第1PINダイオード28aがオン、第2制御端子Tc2に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第2PINダイオード28bがオフになると、図6に示すような等価回路となり、送信端子16のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続されることになる。

因此，当正向偏置电压 Vc1被施加到第一控制端子 Tc1以接通第一 PIN二极管28a，并且反向偏置电压 Vc2被施加到第二控制端子 Tc2以关断第二 PIN二极管 28b时，第一天线开关 10A由图 6所示的等效电路表示，其中在高频下仅传输端子 16连接到天线连接端子 14。 - 中国語 特許翻訳例文集

上述とは反対に、第1制御端子Tc1に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第1PINダイオード28aがオフ、第2制御端子Tc2に順バイアス電圧Vc1が印加されて第2PINダイオード28bがオンになると、図7に示すような等価回路となり、受信端子20のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続されることになる。

相反，当反向偏置电压 Vc2被施加到第一控制端子 Tc1时，关断第一 PIN二极管28a，并且当正向偏置电压 Vc1被施加到第二控制端子 Tc2时，接通第二 PIN二极管 28b，第一天线开关 10A由图 7所示的等效电路表示，其中在高频下仅接收端子 20连接到天线连接端子 14。 - 中国語 特許翻訳例文集

上述とは反対に、第1制御端子Tc1に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第1PINダイオード28aがオフ、第2制御端子Tc2に順バイアス電圧Vc1が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオンになると、図7に示すような等価回路となり、受信端子20のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続されることになる。

相反，当反向偏置电压 Vc2被施加到第一控制端子 Tc1以关断第一 PIN二极管28a，并且正向偏置电压 Vc1被施加到第二控制端子 Tc2以接通第二 PIN二极管 28b和第四PIN二极管 28d时，第六天线开关 10F由图 7所示的等效电路表示，其中在高频下仅接收端子 20连接到天线连接端子 14。 - 中国語 特許翻訳例文集

すなわち、通信媒体30が通信装置10に近づくに従って送信電力が低下していく途中で、ローパスフィルタ52の出力である監視電圧が最低電力保証回路54の出力電圧よりも低くなると、ベースバイアス電圧は、最低電力保証回路54の固定の電圧に切り換わり、それ以上低下しなくなる。

这就是说，在传输功率随着通信介质 30接近通信设备 10而降低的时候，如果作为低通滤波器 52的输出的监控电压降到低于最小功率保护电路 54的输出电压，就将基极偏压切换到最小功率保护电路 54的固定电压，并且该电压不再下降。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプルホールド部191は、内部電圧生成回路180で生成されるDCバイアス電圧VDC11を、制御信号としてのサンプリングパルスSMP11がアクティブ（たとえばハイレベル）で供給される期間サンプリングし、ホールドする。

采样 /保持部分 191将由内部电压生成电路 180生成的 DC偏置电压 VDC 11采样并保持其中在有效状态下 (例如，处于高电平 )向其供给作为控制信号的采样脉冲 SMP11的时间段。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプルホールド部192は、内部電圧生成回路180で生成されるDCバイアス電圧VDC12を制御信号としてのサンプリングパルスSMP11がアクティブ（たとえばハイレベル）で供給される期間サンプリングし、ホールドする。

采样 /保持部分 192将由内部电压生成电路 180生成的 DC偏置电压 VDC12采样并保持一在有效状态下 (例如，处于高电平 )向其供给作为控制信号的采样脉冲 SMP11的时间段。 - 中国語 特許翻訳例文集

M個のスイッチトランジスタ12の各ドレイン端子はバイアス電圧生成回路5の出力端子に並列に接続され、各ゲート端子はタイミング制御回路10が制御する電圧制御線13に並列に接続されている。

M个开关晶体管 12的各漏极端子并联地连接在偏压生成电路 5的输出端子上，各栅极端子并联地连接在定时控制电路 10所控制的电压控制线 13上。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図9】本実施形態に係る補正用バイアス選択部内に形成されるAD変換用参照信号の傾きに対するクランプ電圧テーブルの一例を示す図である。

图 9描述了根据实施例的校正偏置选择部件中形成的用于 AD转换的参照信号的斜率的钳制电压表的例子； - 中国語 特許翻訳例文集

このように、画素ダミー部110Bは、垂直走査部120からの選択パルスDSEL、補正用バイアス回路180からのクランプ電圧SLP＿SUNにより制御されている。

从以上的描述可以明显看出，来自垂直扫描部件 120的选择脉冲 DSEL和来自校正偏置电路 180的钳制电压 SLP_SUN控制像素哑部件 110B。 - 中国語 特許翻訳例文集

補正用バイアス回路180は、セレクタ181、およびノードND0〜NDNの設定電圧値SVL0〜SLVNを選択的にセレクタ181の第1入力に供給するスイッチSW0〜SWNを有する。

校正偏置电路180具有选择器181、以及把节点ND0～NDN处的设置电压值SVL0～SVLN选择地供给至选择器 181的第一输入的开关 SW0～ SWN。 - 中国語 特許翻訳例文集

図9は、本実施形態に係る補正用バイアス選択部内に形成されるAD変換用参照信号の傾きに対するクランプ電圧テーブルの一例を示す図である。

图 9描述了根据实施例的校正偏置选择部件中形成的用于 AD转换的参照信号的斜率的钳制电压表的例子。 - 中国語 特許翻訳例文集

図10に示すように、補正用バイアス選択部170の比較器171にてAD変換用参照信号SLP＿ADCと黒化現象検出期間K1クランプ電圧を比較し、その傾きを検出する。

如图 10中所示，校正偏置选择部件 170中的比较器 171把用于 AD转换的参照信号 SLP_ADC与针对黑化检测时间段 K1的钳制电压加以比较，以检测用于 AD转换的参照信号 SLP_ADC的斜率。 - 中国語 特許翻訳例文集

補正用バイアス選択部170内にて、AD変換用参照信号（SLP＿ADC）を画素信号（SIG）ではなく、黒化現象検出期間K1クランプ電圧と比較する。

在校正偏置选择部件 170中，用于 AD转换的参照信号 (SLP_ADC)与针对黑化检测时间段 K1的钳制电压而不是与像素信号 (SIG)进行比较。 - 中国語 特許翻訳例文集

無線ターミナル110の具現化可能であるユーザ機器210は、入力電圧VINを提供する直流（DC）バッテリ225によってバイアスがかけられる周波数計測可能なSMPSプラットフォーム215を含んでいる。

用户设备 210(其可为无线终端 110的实现形式 )包括通过提供输入电压VIN的直流 (DC)电池 225偏置的频率可缩放的SMPS平台 215。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、固体撮像素子100は、列回路としての負荷回路150、ADC群である列並列処理部160、並びにDAC（デジタル−アナログ変換装置）170、および内部電圧生成回路（バイアス回路）180を有する。

作为一组 ADC的列并行处理部分 160； DAC(数字 -模拟转换器 )170； - 中国語 特許翻訳例文集

また、本実施形態においては、負荷回路150、列並列処理部160、DAC170が、内部または外部で生成されたバイアス電圧が供給される機能部を含んで構成される。

在本实施例中，负载电路 150、列并行处理部分 160、和 DAC 170包括功能部分，内部或外部生成的偏置电压被供给至该功能部分。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW201は、端子aが入力端子T100に接続され、端子bがキャパシタC201の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS13の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW201的端子 a连接至输入端子 T100。 该开关的另一端子 b连接至电容器 C201的一端，并连接点连接至用于供给偏置电压 VBIAS13的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

このため、時間的なノイズを全く含まないDCバイアス電圧として負荷回路150、DAC170、ADCを含む列並列処理部160に供給され、AD変換期間中のノイズの伝播による画質の劣化が抑制される。

如此，将电压供给至负载电路 150、DAC 170、和包括 ADC的列并行处理部分 160，作为根本不具有时间噪声的 DC偏置电压。 因而可以抑制在 A/D转换时间段期间由于噪声传播而造成的图像质量的劣化。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−1は、端子bがキャパシタC191A−1の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−1のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-1的端子 b连接至电容器 191A-1的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-1的栅极以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−2は、端子bがキャパシタC191A−2の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−2のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-2的端子 b连接至电容器 191A-2的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-2的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−3は、端子bがキャパシタC191A−3の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−3のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-3的端子 b连接至电容器 C191A-3的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-3的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−nは、端子bがキャパシタC191A−nの一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−nのゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-n的端子 b连接至电容器 C191A-n的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-n的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

実験的応答曲線を取得するために、ドライバ104はまず、出力ビームが最大強度の約50％となるような直流バイアス電圧を導波回路102に印加するように構成される。

为了获得实验响应曲线，驱动器 104首先被配置为向波导回路 102施加 dc偏置电压，所述 dc偏置电压使输出束具有约 50％的最大强度。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、一実施形態において、図4Bのバイアス電圧Vbはコンピュータ実行可能な命令によってプログラム可能であり、それにより変調出力信号の周波数分散を調整してもよい。

例如，在一个实施例中，图 4B的偏压 Vb是经由计算机可执行指令可编程的，以调整调制输出信号的频率扩展。 - 中国語 特許翻訳例文集

以上説明した動作例1，2を整理すると、この実施の形態では、FDのダイナミックレンジを図7に示すように制御し、バイアス電圧を図8に示すように制御している。

若整理以上说明的动作例1、2，在该实施方式中，如图7所示那样控制FD的动态范围，如图 8所示那样控制偏压。 - 中国語 特許翻訳例文集

従って、例えば第1制御端子Tc1に順バイアス電圧Vc1が印加されて第1PINダイオード28aがオン、第2制御端子Tc2に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオフになると、図12に示すような等価回路となり、送信端子16のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続され、受信端子20には例えば50オームの終端抵抗Reが接続されることになる。

因此，当正向偏置电压 Vc1被施加到第一控制端子 Tc1以接通第一 PIN二极管28a，并且反向偏置电压 Vc2被施加到第二控制端子 Tc2以关断第二 PIN二极管 28b和第四PIN二极管 28d时，第四天线开关 10D由图 12所示的等效电路表示，其中在高频下仅传输端子 16连接到天线连接端子 14，并且 50欧姆的端接电阻器 Re例如连接到接收端子 20。 - 中国語 特許翻訳例文集

上述とは反対に、第1制御端子Tc1に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第1PINダイオード28a及び第3PINダイオード28cがオフ、第2制御端子Tc2に順バイアス電圧Vc1が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオンになると、図14に示すような等価回路となり、受信端子20のみがアンテナ接続端子14に高周波的に接続され、送信端子16には例えば50オームの終端抵抗Reが接続されることになる。

相反，当反向偏置电压 Vc2被施加到第一控制端子 Tc1以关断第一 PIN二极管 28a和第三 PIN二极管 28c，并且正向偏置电压 Vc1被施加到第二控制端子 Tc2以接通第二 PIN二极管 28b和第四 PIN二极管 28d时，第五天线开关 10E由图 14所示的等效电路表示，其中在高频下仅接收端子 20连接到天线连接端子 14，并且例如 50欧姆的端接电阻器 Re连接到传输端子 16。 - 中国語 特許翻訳例文集

従って、例えば第1制御端子Tc1に順バイアス電圧Vc1が印加されて第1PINダイオード28aがオン、第2制御端子Tc2に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオフになると、図12に示すような等価回路となり、送信端子16のみがアンテナ接続端子14に高周波的に接続され、受信端子20には例えば50オームの終端抵抗Reが接続されることになる。

因此，当正向偏置电压 Vc1被施加到第一控制端子 Tc1以接通第一 PIN二极管28a，并且反向偏置电压 Vc2被施加到第二控制端子 Tc2以关断第二 PIN二极管 28b和第四PIN二极管 28d时，第六天线开关 10F由图 12所示的等效电路表示，其中在高频下仅传输端子 16连接到天线连接端子 14，并且例如 50欧姆的端接电阻器 Re连接到接收端子 20。 - 中国語 特許翻訳例文集