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「MOSトランジスタ」を含む例文一覧
該当件数 : 28件
MOSトランジスタ41〜45からなる差動入力段のMOSトランジスタ42は非反転入力端子、MOSトランジスタ43は反転入力端子として機能する。
在包含 MOS晶体管 41～ 45的差分输入级中，MOS晶体管 42用作非反相输入端子，而 MOS晶体管 43用作反相输入端子。
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MOSトランジスタ61〜65からなる差動入力段のMOSトランジスタ62は非反転入力端子、MOSトランジスタ63は反転入力端子として機能する。
在包含 MOS晶体管 61～ 65的差分输入级中，MOS晶体管 62用作非反相输入端子，而 MOS晶体管 63用作反相输入端子。 - 中国語 特許翻訳例文集
負荷MOSトランジスタ51−1〜51−nは画素読み出し時のソースフォロワの電流源として機能する。
当像素被读出时，负载 MOS晶体管 51-1至 51-n用作源极跟随器的电流源。 - 中国語 特許翻訳例文集
負荷MOSトランジスタ151−1〜151−nは画素読み出し時のソースフォロワの電流源として機能する。
当像素被读出时，负载 MOS晶体管 151-1至 151-n用作源极跟随器的电流源。 - 中国語 特許翻訳例文集
負荷MOSトランジスタ105は垂直出力線毎に設けられ、ゲートが共通に接続されている。
负载 MOS晶体管 105是对于各个垂直输出线 102设置的。 - 中国語 特許翻訳例文集
このとき、MOSトランジスタ221と定電流源225とで構成されるソースフォロワの出力はVRSである。
此时，包含 MOS晶体管 221和恒流源 225的源跟随器的输出为 VRS。 - 中国語 特許翻訳例文集
その結果、NチャネルMOSトランジスタ15を流れる参照電流Iref0の値が大きくなる。
这增大了流向 N沟道 MOS晶体管 15的参考电流 Iref0的值。 - 中国語 特許翻訳例文集
その結果、NチャネルMOSトランジスタ15を流れる参照電流Iref0の値が小さくなる。
这减小了流向 N沟道 MOS晶体管 15的参考电流 Iref0的值。 - 中国語 特許翻訳例文集
PチャネルMOSトランジスタ21のゲートには、差動入力信号の一方の信号IN1が入力される。
差分输入信号的一个信号 IN1进入 P沟道 MOS晶体管 21的栅极。 - 中国語 特許翻訳例文集
PチャネルMOSトランジスタ22のゲートには、差動入力信号の他方の信号IN2が入力される。
差分输入信号的另一个信号 IN2进入 P沟道 MOS晶体管 22的栅极。 - 中国語 特許翻訳例文集
MOSトランジスタ5の他方の主電極は、共通出力線8および差動増幅回路4の反転入力端子と接続される。
MOS晶体管 5的主电极中的另一个与共用输出线 8和差分放大器电路 4的反相输入端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集
このときMOSトランジスタ25が導通しているので、クランプ容量の他方の端子は電源電圧VGRに接続された状態となる。
在该状态下，由于 MOS晶体管 25处于 ON状态，因此，箝位电容器的端子中的另一个与电源电压 VGR连接。 - 中国語 特許翻訳例文集
したがって、出力端子BOUTから出力される信号からは、MOSトランジスタ7で生じる電圧降下の影響が低減されることになる。
这导致通过 MOS晶体管 7引起的电压降对于从输出端子 BOUT输出的信号的影响减小。 - 中国語 特許翻訳例文集
サンプリングスイッチSW191A−1は、端子bがキャパシタC191A−1の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−1のゲートに接続されている。
采样开关 SW191A-1的端子 b连接至电容器 191A-1的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-1的栅极以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集
サンプリングスイッチSW191A−2は、端子bがキャパシタC191A−2の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−2のゲートに接続されている。
采样开关 SW191A-2的端子 b连接至电容器 191A-2的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-2的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集
サンプリングスイッチSW191A−3は、端子bがキャパシタC191A−3の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−3のゲートに接続されている。
采样开关 SW191A-3的端子 b连接至电容器 C191A-3的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-3的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集
サンプリングスイッチSW191A−nは、端子bがキャパシタC191A−nの一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−nのゲートに接続されている。
采样开关 SW191A-n的端子 b连接至电容器 C191A-n的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-n的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集
PD1のカソードは電源電圧VDDに接続され、アノードはリセットMOSトランジスタ3の一方の主電極およびオペアンプ2の非反転入力端子に接続される。
PD 1的阴极与电源电压 VDD连接，PD 1的阳极与复位 MOS晶体管 3的主电极中的一个和运算放大器 2的非反相输入端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集
差動増幅回路4の非反転入力端子は単位画素の出力端子と接続され、その出力端子は、第1のスイッチであるMOSトランジスタ5の一方の主電極に接続される。
差分放大器电路 4的非反相输入端子与单位像素的输出端子连接，并且，差分放大器电路 4的输出端子与用作第一开关的 MOS晶体管 5的主电极中的一个连接。 - 中国語 特許翻訳例文集
差動増幅回路6の非反転入力端子は単位画素の出力端子と接続され、その出力端子は、第1のスイッチであるMOSトランジスタ7を介して自身の反転入力端子に接続される。
差分放大器电路 6的非反相输入端子与单位像素的输出端子连接。 差分放大器电路 6的输出端子经由用作第一开关的MOS晶体管 7与差分放大器电路 6的反相输入端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集
図3に示す各信号は、図2で示した各信号と対応し、ハイレベルであるときに対応するMOSトランジスタが導通状態になり、ローレベルで非導通状態となる。
图 3示出图 2A所示的信号的电平。 - 中国語 特許翻訳例文集
これにより、最大値検出部BTMの出力端子BOUTからは、MOSトランジスタ66の制御電極に入力される信号が最小となる回路ブロックの出力が得られる。
因此，在最小值检测单元 BTM的输出端子 BOUT处获得来自所有电路块之中具有输入到 MOS晶体管 66的控制电极的最小信号的电路块的输出。 - 中国語 特許翻訳例文集
図6に示す各信号は、図5で示した各信号と対応し、ハイレベルであるときに対応するMOSトランジスタが導通状態になり、ローレベルで非導通状態となる。
图 6示出图 5所示的信号的电平。 - 中国語 特許翻訳例文集
MOSトランジスタ221は定電流源225とともにソースフォロワ回路を構成し、その出力はフィードバックスイッチ227の他方の端子と接続される。
MOS晶体管 221和恒流源 225包含于源跟随器电路中，并且，源跟随器电路的输出端子与反馈开关 227的另一端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集
期間（8）においては、まず、信号φFBがハイレベルになり、MOSトランジスタ221と定電流源225とで構成されるソースフォロワの出力を共通出力線に接続する。
在时段 (8)中，首先，信号 上升到高电平，并且，包含 MOS晶体管 221和恒流源 225的源跟随器的输出与共用输出线 102连接。 - 中国語 特許翻訳例文集
列回路としての負荷回路150は、画素の列配列に対応して各垂直信号線116−1〜116−nにドレインが接続され、ソースが基準電位VSSに接続された機能部としての負荷MOSトランジスタ151−1〜151−nを有する。
用作列电路的负载电路 150包括与像素列相关联的负载 MOS晶体管 151-1至151-n，负载 MOS晶体管 151-1至 151-n在其漏极分别连接至垂直信号线 116-1至 116-n，并且在其源极连接至基准电势 VSS。 - 中国語 特許翻訳例文集
このため、共通出力線8または9の電位は差動増幅回路4または6の仮想接地により差動増幅回路の非反転入力端子と等しくなり、出力端子POUTまたはBOUTから出力される信号からは、MOSトランジスタ5または7で生じる電圧降下の影響が低減される。
这导致由 MOS晶体管 5或 7引起的电压降对于从输出端子 POUT或BOUT输出的信号的影响减小。 - 中国語 特許翻訳例文集
期間（10）から低感度モードに移行する動作で特徴的なのは、期間（14）にバッファアンプ202から出力される信号−S3には、蓄積動作中にMOSトランジスタ115を導通させたことによるノイズが含まれる。
被执行以在时段 (10)期间向低灵敏度模式转换的操作的特征在于，在时段 (14)中从缓冲放大器 202输出的信号 -S3包含由于 MOS晶体管 115在累积操作期间进入导通状态而出现的噪声。 - 中国語 特許翻訳例文集
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