「 トランジスタ」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

図4は、本実施形態に係る4つのトランジスタで構成されるCMOSイメージセンサの画素の一例を拡大して示す図である。

图 4放大地描述了根据实施例的具有 4个晶体管的 CMOS图像传感器中的像素的例子。 - 中国語 特許翻訳例文集

画素ダミー選択トランジスタ118のゲートが垂直走査部120により供給される選択パルスDSELの供給ラインに接続されている。

像素哑选择晶体管118的栅极连接至将由垂直扫描部件120供给的选择脉冲DSEL的供给线。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、各画素ブロック160Cの複数の画素の転送トランジスタのソースまたはドレインが共通の出力信号線131に接続されている。

每个像素块 160C的多个像素的传送晶体管的源极或漏极连接到公共输出信号线 131。 - 中国語 特許翻訳例文集

リセットトランジスタ104は、垂直選択回路VSによって駆動されるリセット信号によって制御されうる。

可借助于由垂直选择电路 VS驱动的复位信号控制复位晶体管 104。 - 中国語 特許翻訳例文集

選択トランジスタ106が、垂直選択回路VSによって駆動される選択信号によって制御されうる。

可借助于由垂直选择电路 VS驱动的行选择信号控制选择晶体管 106。 - 中国語 特許翻訳例文集

転送トランジスタ102は、垂直選択回路VSによって駆動される転送信号によって制御されうる。

可借助于由垂直选择电路 VS驱动的传输信号控制传输晶体管 102。 - 中国語 特許翻訳例文集

次に、転送トランジスタ102−1、102−3がオフ状態にされて、不図示の回路により光信号が読み出される。

在传输晶体管 102-1和 102-3被关断时，光信号被电路 (未示出 )读取。 - 中国語 特許翻訳例文集

透過型液晶表示パネルは、薄膜トランジスター(Thin Film Transistor: 以下、“TFT”とする)基板とカラーフィルター基板を含む。

背光型液晶显示面板包括薄膜晶体管 (TFT)基板和滤色器基板。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、第3のトランジスタ25と、共通信号線27に設けられた図示しない負荷電流源とでソースフォロア回路が構成されている。

并且，通过第 3晶体管 25、设置于共同信号线 27商的未图示的负荷电流源构成源跟随器电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図5】本実施形態に係る4つのトランジスタで構成されるCMOSイメージセンサの画素の一例を示す図である。

图 5是示出按照第一实施例的 CMOS图像传感器的像素的例子的图，该像素由四个晶体管形成； - 中国語 特許翻訳例文集

図5は、本実施形態に係る4つのトランジスタで構成されるCMOSイメージセンサの画素の一例を示す図である。

图 5是示出按照本实施例的 CMOS图像传感器的像素的例子的图，该像素由四个晶体管形成。 - 中国語 特許翻訳例文集

NMOSトランジスタNT311のゲートがキャパシタC311の第1電極に接続され、その接続点によりノードND313が形成されている。

NMOS晶体管NT311的栅极连接至电容器C311的第一电极，避过且连接点构成节点ND313。 - 中国語 特許翻訳例文集

NMOSトランジスタNT312のゲートがキャパシタC312の第1電極に接続され、その接続点によりノードND314が形成されている。

NMOS晶体管 NT312的栅极连接至电容器 C312的第一电极，并且连接点构成节点ND314。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、負荷トランジスタ614は、そのドレイン端子が垂直信号線（VSL1または2）501または502に接続され、そのソース端子が接地される。

此外，负载晶体管 614使其漏极端子连接到垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502，并且使其源极端子接地。 - 中国語 特許翻訳例文集

保持容量613は、負荷電流を一定に維持するために、負荷トランジスタ614のゲート電圧を一定に保持するためのキャパシタである。

保持电容器 613维持负载晶体管 614的栅极电压恒定，以便维持负载电流恒定。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、基準トランジスタ690は、そのソース端子が接地され、かつ、そのゲート端子およびドレイン端子が基準電流線601に接続される。

此外，参考晶体管 690使其源极端子接地，并且使其栅极端子和漏极端子连接到参考电流线 610。 - 中国語 特許翻訳例文集

このため、信号読出し回路710により、増幅トランジスタ414から一定の増幅利得により出力された基準信号が読み出される。

这允许信号读出电路 710读出以恒定的放大增益从放大晶体管 414输出的参考信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、VMはPMOSトランジスタのオフのためにゲートに供給される電圧の絶対値よりも小さい電圧である。

电压 VM比向栅极供给以关断 PMOS晶体管的电压的绝对值小。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1の入力トランジスタ201のゲートに第1の共通出力線2からの信号が入力される。

信号从第一共用输出线2被输入到第一输入晶体管 201的栅极。 - 中国語 特許翻訳例文集

負荷トランジスタ503は演算増幅器を動作させるための電流（バイアス電流）を供給するためのものである。

负载晶体管 503供给用于使得运算放大器 4操作的电流 (即，偏压电流 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、その駆動タイミングと駆動トランジスタN2の電位状態の変化は、前述した図15及び図16を参考に説明する。

将参考上面图 15A至 15E和图 16A至 16E说明所述驱动晶体管 N2的驱动时序和电位状态的变化。 - 中国語 特許翻訳例文集

このとき、書込制御線WSLはLレベルであり、サンプリングトランジスタN1はオフ状態に制御されている。

此时，所述写控制线 WSL处于 L电平，且所述采样晶体管 N1被控制为处于关断状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

初期化タイミングが到来すると、書込制御線WSLはHレベルに制御され、サンプリングトランジスタN1はオン状態に切り替わる。

当初始化时刻到来时，所述写控制线 WSL被控制为处于 H电平，且所述采样晶体管 N1被切换为导通状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、このサンプリングトランジスタN1のオン動作に同期して、信号線DTLには初期化電位Vofs_Hが印加される。

与所述采样晶体管 N1的导通操作同步地将所述初始化电位 Vofs_H施加给信号线 DTL。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、このゲート電位Vgの電位変化に連動して、駆動トランジスタN2のソース電位Vsも押し下げられる（図15（E）、図16（E））。

与所述栅极电位 Vg的电位变化所关联，所述驱动晶体管 N2的源极电位 Vs也减小(图 15E，图 16E)。 - 中国語 特許翻訳例文集

この開始時点において、駆動トランジスタN2のゲート・ソース間電圧Vgsは、バラツキを考慮しても閾値電圧Vthより広くなっている。

在开始时刻，甚至当考虑变动时，所述驱动晶体管 N2的栅 /源极之间的电压 Vgs也比所述阈值电压 Vth更宽。 - 中国語 特許翻訳例文集

この動作の開始に伴い、駆動トランジスタN2のゲート電位Vgは、信号電位Vsigに上昇する（図15（D）、図16（D））。

随着所述操作的开始，所述驱动晶体管 N2的栅极电位 Vg被增加到所述信号电位Vsig(图 15D，图 16D)。 - 中国語 特許翻訳例文集

結果的に、移動度μが大きい駆動トランジスタN2ほどゲート・ソース間電圧Vgsが小さくなる。

因此，栅 /源极之间的电压 Vgs随着所述驱动晶体管N2的迁移率μ的增加而减小。 - 中国語 特許翻訳例文集

特許文献1には、第1および第2のnMOSトランジスタから構成されたオープンドレイン型出力回路が開示されている。

专利文献 1中公开了一种由第一及第二 nMOS晶体管构成的开放 (open)漏极型输出电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号電圧V1が“VTT”である場合、供給ノードN101の電圧（電圧緩和トランジスタ102のソース電圧）は、“VTT−Vth”に設定される。

在信号电压 V1为“VTT”的情况下，供给节点 N101的电压 (电压缓和晶体管 102的源极电压 )被设定为“VTT-Vth”。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、図3に示したデータ通信回路11は、図2に示した補助トランジスタ105をさらに備えていても良い。

另外，图 3所示的数据通信电路 11可以还具备图 2所示的辅助晶体管 105。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、図3に示したデータ通信回路12は、図2に示した補助トランジスタ106をさらに備えていても良い。

另外，图 3所示的数据通信电路 12可以还具备图 2所示的辅助晶体管 106。 - 中国語 特許翻訳例文集

この場合、供給ノードN201p，N201nの電圧（電圧緩和トランジスタ202p，202nのソース電圧）は、“VTT−Vth”に設定される。

该情况下，供给节点 N201p、N201n的电压(电压缓和晶体管 202p、202n的源极电压 )被设定为“VTT-Vth”。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、図7に示したデータ通信回路21は、図6に示した補助トランジスタ205p，205nをさらに備えていても良い。

另外，图 7所示的数据通信电路 21可以还具备图 6所示的辅助晶体管 205p、205n。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランジスタ203の全てのトランスファゲート制御ゲートは、画素203の各行内で互いに接続されている。

晶体管 203的所有传送门控制栅极在每一像素 210行内连接在一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランジスタ202は、フローティング・ディフュージョン204と出力列信号線との間の電圧をバッファリングする。

晶体管 202缓冲浮动扩散部 204与输出列信号导线之间的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランジスタ303の全てのトランスファゲート制御ゲートは、画素310の各行内で互いに接続されている。

晶体管 303的所有传送门控制栅极在每一像素 310行内连接在一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランジスタ302は、フローティング・ディフュージョン304と出力列信号線との間の電圧をバッファリングする。

晶体管 302缓冲浮动扩散部 304与输出列信号导线之间的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

全てのトランジスタ103のトランスファゲート制御ゲートは、画素110の各行内で互いに接続されている。

晶体管 103的所有传送门控制栅极在每一像素 110行内连接在一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランジスタ102は、フローティング・ディフュージョン104と出力列信号線との間の電圧をバッファリングする。

晶体管 102缓冲浮动扩散部 104与输出列信号导线之间的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6Bは、本発明の一実施形態に係る、ランプ発生器（図2の203、204、210及び211）のトランジスタレベルでの実装例610を示したものである。

图 6B说明根据本发明的一个实施例的斜坡产生器 (图 2的 203、204、210和 211)的晶体管级实现 610。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6Cは、本発明の一実施形態に係る、ランプ発生器（図2の203、204、210及び211）のトランジスタレベルでの実装例620を示したものである。

图6C说明根据本发明的另一个实施例的斜坡产生器(图2的203、204、210和211)的晶体管级实现 620。 - 中国語 特許翻訳例文集

MOSトランジスタ5の他方の主電極は、共通出力線8および差動増幅回路4の反転入力端子と接続される。

MOS晶体管 5的主电极中的另一个与共用输出线 8和差分放大器电路 4的反相输入端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

このときMOSトランジスタ25が導通しているので、クランプ容量の他方の端子は電源電圧VGRに接続された状態となる。

在该状态下，由于 MOS晶体管 25处于 ON状态，因此，箝位电容器的端子中的另一个与电源电压 VGR连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

したがって、出力端子BOUTから出力される信号からは、MOSトランジスタ7で生じる電圧降下の影響が低減されることになる。

这导致通过 MOS晶体管 7引起的电压降对于从输出端子 BOUT输出的信号的影响减小。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間t19から期間t22では、転送トランジスタ22の制御電極への供給電圧をVtrg3として同様の動作を繰り返して実行する。

在时段 t19到时段 t22期间，在将电压 Vtrg3供应到转移晶体管 22的控制电极的情况下，与上面相同的操作被重复执行。 - 中国語 特許翻訳例文集

図11に、転送トランジスタ22の制御電極へ供給する電圧の供給タイミングについての別の例を示す。

在图 11中，示出了被供应到转移晶体管 22的控制电极的供应电压的时序的另一个实例。 - 中国語 特許翻訳例文集

図12に、転送トランジスタ22の制御電極へ供給する電圧の供給タイミングについてのさらに別の例を示す。

在图 12中，示出了将被供应到转移晶体管 22的控制电极的供应电极的时序的另一个实例。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間t0でリセットパルスRSTが“H”レベルになり、リセットトランジスタ23がオン状態になることによってFD部26をリセットする。

在时段 t0，通过使得复位脉冲 RST为“H”电平并且使得复位晶体管 23处于导通状态，复位 FD区 26。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間T3の場合は、期間t1でFD部26の電位をリセットレベルとして増幅トランジスタ24を介して読み出す。

在时段 T3的情形中，在时段 t1，通过放大晶体管 24读出 FD区 26的电势，作为复位电平。 - 中国語 特許翻訳例文集