「ⁿ-p」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

在图 16B中示出的情况 2中，小波逆变换部分 205对分割级别 4的各子频带 (子频带 4HH、4HL、4LH和 4LL)的一个提供的系数行 (行 P)进行合成滤波，由此产生分割级别3的子频带 3LL的两个系数行 (行 N和行 (N+1))，然后输出分割级别 3的子频带 3LL的这两个系数行 (行 N和行 (N+1))。

また、図16Bに示されるケース2の場合、ウェーブレット逆変換部205は、供給される分割レベル4の各サブバンド（サブバンド4HH，4HL，4LH、および4LL）の1係数ライン（ラインP）を、合成フィルタリングし、分割レベル3のサブバンド3LLを2係数ライン（ラインNおよびライン（N＋1））を生成し、出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集

第一实施例的固体摄像装置 31具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。

第1実施の形態に係る固体撮像装置31は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。 - 中国語 特許翻訳例文集

第二实施例的固体摄像装置 61具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。

第2実施の形態に係る固体撮像装置61は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。 - 中国語 特許翻訳例文集

第三实施例的固体摄像装置 63具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。

第3実施の形態に係る固体撮像装置63は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，例如，当图像解码装置 200以原始图像的 1/4×1/4的分辨率执行解码时，子频带和行选择部分 202选择分割级别 4(最低层 )的各子频带 (4HH、4HL、4LH和 4LL)的系数行 (行 P)和分割级别 3的各子频带 (3HH、3HL和 3LH)的系数行 (行 N和行 (N+1))，如图16C中所示的情况 3那样。

さらに、例えば、画像復号装置200が元の画像の1／4×1／4の解像度でデコードする場合、サブバンド・ライン選択部202は、図16Cに示されるケース3のように、分割レベル4（最下位階層）の各サブバンド（4HH，4HL，4LH、および4LL）の係数ライン（ラインP）と、分割レベル3の各サブバンド（3HH，3HL、および3LH）の係数ライン（ラインNおよびライン（N＋1））とを選択する。 - 中国語 特許翻訳例文集

当在第三发射器 230的第一输入 231处接收“1”信号且在第三发射器 230的第二输入 232处接收“0”信号时，p沟道 FET 234及 n沟道 FET 235两者断开，且输出 233处于高阻抗状态。

“1”信号が第3の送信機230の第1の入力231で受信され、“0”信号が第3の送信機230の第2の入力232で受信されるとき、pチャネルFET234及びnチャネルFET235の両者はオフであり、出力233は高インピーダンス状態である。 - 中国語 特許翻訳例文集

在其他实施例中，可以通过在微环 1302的半导体衬底内部形成 n型半导体区域 1306并且在包围微环 1302外面的半导体衬底中形成 p型半导体区域 1308和 1310来反转这些掺杂剂。

他の実施形態では、マイクロリング1302の内側の半導体基板にn型半導体領域1306を形成し、マイクロリング1302の外側を囲む半導体基板にp型半導体領域1308及び1310を形成することによってドーパントを逆にすることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 4是生成素数 (任意指定为 p)的常用方法的步骤流程图，该素数旨在成为RSA因式分解模数的两个素数之一。

図4は、RSA アルゴリズムに基づく暗号化係数n （因数分解係数）のための2つの素数の内の1つを表すことを意図しており、（任意にはp として示される）素数を生成するための通常の方法のステップを示すフローチャートである。 - 中国語 特許翻訳例文集

p型半导体区域 1306可以在微环 1302的半导体衬底内部形成，并且 n型半导体区域 1308和1310可以在包围微环 1302的外面的半导体衬底中和波导 1304的相对侧上形成。

p型半導体領域1306を、マイクロリング1302の内側の半導体基板で（または、該半導体基板に）形成することができ、n型半導体領域1308及び1310を、マイクリング1032の外側を囲む半導体基板であって導波路1304の反対側にある半導体基板で（または、該半導体基板に）形成することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

更具体地讲，系数行读取块 112读取分割级别 4的行 P的系数行、分割级别 3的行N的系数行、分割级别 2的行 M的系数行以及分割级别 1的行 L和行 (L+1)的系数行。 系数行读取块 112按照读出的顺序把读取的系数行提供给量化部分 105。

より具体的には、係数ライン読み出し部112は、分割レベル4のラインPの係数ラインを読み出し、分割レベル3のラインNの係数ラインを読み出し、分割レベル2のラインMの係数ラインを読み出し、分割レベル1のラインLおよびライン（L＋1）の係数ラインを読み出し、読み出した各係数ラインを、その読み出し順に量子化部105に供給する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在第一示例中，将物体的图像部分中的像素分成每个均由 m×p个像素组成的区域 R11到 R66，并且将参考反射镜的图像部分中的像素分成每个区域均由 m×n个像素组成的区域 R10到 R60、R17到 R67，并且对各区域进行如图 2中描述的这种校正处理。

第一実施例では、測定対象物の画像部分の画素を各々m×p個の画素からなる領域R11〜R66にグループ分けし、基準反射板の画像部分の画素を各々m×n個の画素からなる領域R10〜R60、R17〜R67にグループ分けし、各領域において図2で説明した補正処理を行う。 - 中国語 特許翻訳例文集

8.根据权利要求 3和 7所述的方法，其中对于节点数目 (N)、平均数据包产生速率(λ)、忙信道概率 (c)、通信冲突概率 (p)、成功传输概率 (Ψ)和平均传输延时 (τ)的不同值，所述表 (TBL)包含多组清醒间隔 (Rl)的持续时间和休眠间隔 (Rs)的持续时间的值。

8. 前記テーブル（TBL）は、ノードの前記数（N）、前記平均データパケット生成率（λ）、前記ビジーチャネル確率（c）、前記通信衝突確率（p）、前記伝送成功確率（ψ）及び伝送の前記平均遅延（τ）の異なる値について、前記アウェイク・インターバルの継続時間（Rl）及び前記スリープ・インターバルの継続時間（Rs）の値の複数の組を含む、請求項3及び7に記載の方法。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，例如，当图像解码装置 200以原始图像的 1/2×1/2的分辨率执行解码时，子频带和行选择部分 202选择分割级别 4(最低层 )的各子频带 (4HH、4HL、4LH和 4LL)的系数行 (行 P)、分割级别 3的各子频带 (3HH、3HL和 3LH)的系数行 (行 N和行 (N+1))和分割级别 2的各子频带 (2HH、2HL和 2LH)的系数行 (行 M至行 (M+3))，如图 16D中所示的情况4那样。

また、例えば、画像復号装置200が元の画像の1／2×1／2の解像度でデコードする場合、サブバンド・ライン選択部202は、図16Dに示されるケース4のように、分割レベル4（最下位階層）の各サブバンド（4HH，4HL，4LH、および4LL）の係数ライン（ラインP）と、分割レベル3の各サブバンド（3HH，3HL、および3LH）の係数ライン（ラインNおよびライン（N＋1））と、分割レベル2の各サブバンド（2HH，2HL、および2LH）の係数ライン（ラインM乃至ライン（M＋3））とを選択する。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，例如，当图像解码装置 200以与原始图像的分辨率相同的分辨率执行解码时，子频带和行选择部分 202选择所有子频带的系数行 (分割级别 4的各子频带 (4HH、4HL、4LH和 4LL)的系数行 (行 P)、分割级别 3的各子频带 (3HH、3HL和 3LH)的系数行 (行 N和行 (N+1))、分割级别 2的各子频带 (2HH、2HL和 2LH)的系数行 (行 M至行 (M+3))和分割级别 1的各子频带 (1HH、1HL和 1LH)的系数行 (行 L至行 (L+7)))，如图 16E中所示的情况 5那样。

さらに、例えば、画像復号装置200が元の画像と同じ解像度でデコードする場合、サブバンド・ライン選択部202は、図16Eに示されるケース5のように、全てのサブバンドの係数ライン（分割レベル4の各サブバンド（4HH，4HL，4LH、および4LL）の係数ライン（ラインP）と、分割レベル3の各サブバンド（3HH，3HL、および3LH）の係数ライン（ラインNおよびライン（N＋1））と、分割レベル2の各サブバンド（2HH，2HL、および2LH）の係数ライン（ラインM乃至ライン（M＋3）と、分割レベル1の各サブバンド（1HH，1HL、および1LH）の係数ライン（ラインL乃至ライン（L＋7）と）を選択する。 - 中国語 特許翻訳例文集

与信号的类型 (SD、 HD)有关的信息； 以及与例如信号的描述 (1920*1080 I、1920*1080 P等 )有关的信息。

基準信号のフレームレートの情報（50Hz、60Hz、25Hz、など）、基準信号のフォーマット情報（例えばPAL−BGHI、PAL M、PAL N、NTSC−M、TLS、など）、信号のタイプの情報（SD、HD）、及び信号の表示情報例えば（1920＊1080I、1920＊1080P、など）。 - 中国語 特許翻訳例文集

也就是说，从稳定状态的一个线块，系数线重排序部分 131首先输出划分级 4上线P的子带 4LL，之后按以下顺序是划分级 4上线 P的子带 4HH、4HL和 4LH、划分级 3的线 N、划分级 3的线 (N+1)、划分级 2的线 M、划分级 2的线 (M+1)、划分级 2的线 (M+2)、划分级 2的线 (M+3)、划分级 1的线 L、划分级 1的线 (L+1)、划分级 1的线 (L+2)、划分级 1的线 (L+3)、划分级 1的线 (L+4)、划分级 1的线 (L+5)、划分级 1的线 (L+6)和划分级 1的线 (L+7)。

つまり、定常状態の1ラインブロックの各係数ラインは、係数ライン並び替え部131から、分割レベル4のラインPのサブバンド4LLの部分、分割レベル4のラインPのサブバンド4HH，4HL、および4LHの部分、分割レベル3のラインN、分割レベル3のライン（N＋1）、分割レベル2のラインM、分割レベル2のライン（M＋1）、分割レベル2のライン（M＋2）、分割レベル2のライン（M＋3）、分割レベル1のラインL、分割レベル1のライン（L＋1）、分割レベル1のライン（L＋2）、分割レベル1のライン（L＋3）、分割レベル1のライン（L＋4）、分割レベル1のライン（L＋5）、分割レベル1のライン（L＋6）、分割レベル1のライン（L＋7）の順に出力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在特定实施例中，装置 210、220及 230中的每一者的操作状态之间的切换点可分别经由偏压元件 217到 218、227到 228及 237到 238通过调整输入控制信号 pbias及 nbias而调整。

特定の実施形態において、各デバイス210，220，230の動作上の状態間でのスイッチングポイントが、入力制御信号pバイアス及びnバイアスを調整することによって、それぞれのバイアス要素217−218，227−228，237−238によって調整されてもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集