「あつでんげーじ」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

また、この場合、電圧緩和トランジスタ102のドレイン電圧およびゲート電圧は“VTT”であるので、電圧緩和トランジスタ102の端子間電圧（ゲート−ドレイン間電圧，ゲート−ソース間電圧，およびソース−ドレイン間電圧）を“VTT”よりも低くすることができる。

而且，该情况下，由于电压缓和晶体管 102的漏极电压及栅极电压为“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 102的端子间电压 (栅极—漏极间电压、栅极—源极间电压以及源极—漏极间电压 )比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

ステージSRから出力されたゲート電圧はゲート線G1〜Gnを介して伝達される。

通过栅极线 G1至 Gn传输在级 SR中输出的栅极电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

走査駆動部400は、液晶表示パネル300のゲート線に接続され、ゲートオン電圧Vonとゲートオフ電圧Voffとの組み合わせからなるゲート電圧をゲート線に印加する。

扫描驱动器 450与显示面板 300的栅极线连接，并对栅极线施加由导通电压 Von和截止电压 Voff组成的栅极电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

このように構成することにより、入力ノードN103の電圧が補助トランジスタ105のゲート電圧を超えないように入力ノードN103の電圧を制限できるので、レシーバ103の耐圧破壊を確実に防止できる。

通过如此构成，可以按照输入节点 N103的电压不超过辅助晶体管 105的栅极电压的方式来限制输入节点 N103的电压，因此能够可靠地防止接收器103的耐压破坏。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、ゲート制御信号CONT1は、ゲートオン電圧Vonの持続時間を限定する出力イネーブル信号を更に含む。

栅极控制信号 CONT1还可包括用于定义栅极导通电压 Von的持续时间的输出使能信号 OE。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、電圧緩和トランジスタ202pのドレイン電圧およびゲート電圧は、それぞれ、“VTT−Vα”，“VTT”になるので、電圧緩和トランジスタ202pの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。

而且，由于电压缓和晶体管 202p的漏极电压及栅极电压分别为“VTT-Vα”、“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 202p的端子间电压比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

同様に、電圧緩和トランジスタ202nのドレイン電圧およびゲート電圧は、それぞれ、“VTT”，“VTT−Vα”になるので、電圧緩和トランジスタ202nの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。

同样，由于电压缓和晶体管 202n的漏极电压及栅极电压分别为“VTT”、“VTT-Vα”，所以可以使电压缓和晶体管 202n的端子间电压比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、電圧緩和トランジスタ202p，202nのドレイン電圧およびゲート電圧は“VTT”になるので、電圧緩和トランジスタ202p，202nの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。

而且，由于电压缓和晶体管 202p、202n的漏极电压及栅极电压为“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 202p、202n的端子间电压比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

この開始時点において、駆動トランジスタN2のゲート・ソース間電圧Vgsは、バラツキを考慮しても閾値電圧Vthより広くなっている。

在开始时刻，甚至当考虑变动时，所述驱动晶体管 N2的栅 /源极之间的电压 Vgs也比所述阈值电压 Vth更宽。 - 中国語 特許翻訳例文集

このように構成することにより、供給ノードN101の電圧が補助トランジスタ105のゲート電圧を超えないように供給ノードN101の電圧を制限できる。

通过如此构成，可以按照供给节点 N101的电压不超过辅助晶体管 105的栅极电压的方式来限制供给节点 N101的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

このように構成することにより、供給ノードN201p，N201nの電圧が補助トランジスタ205p，205nのゲート電圧を超えないように供給ノードN201p，N201nの電圧を制限できる。

通过如此构成，可以按照供给节点 N201p、N201n的电压不超过辅助晶体管 205p、205n的栅极电压的方式来限制供给节点 N201p、N201n的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

電圧調整部207は、複数の信号線対のうちいずれか1つに対応し、その対応する信号線対にそれぞれ接続される信号ノードNP1，NN1の電圧（信号電圧VP1，VN1）の中間電圧を制御電圧VMとして電圧緩和トランジスタ203p，203p，…のゲートおよび電圧緩和トランジスタ203n，203n，…のゲートに供給する。

电压调整部 207对应于多个信号线对中的任意一个，将与该对应的信号线对分别连接的信号节点 NP1、NN1的电压 (信号电压 VP1、VN1)的中间电压作为控制电压 VM，向电压缓和晶体管 202p、202p、…的栅极及电压缓和晶体管 202n、202n、…的栅极供给。 - 中国語 特許翻訳例文集

図1を参照すると、表示パネル100に点線で示した矢印方向は、ゲート線にゲートオン電圧が印加される順序を示す。

参照图 1，显示面板 100中显示的箭头方向表示将栅极导通电压施加到多条栅极线的顺序。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、補助トランジスタ105のゲート−ドレイン間電圧は“VTT”よりも低い“VTT−Vth”になる。

例如，辅助晶体管 105的栅极—漏极间电压成为比“VTT”低的“VTT-Vth”。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、他のステージ（SR1〜SRn）から出力されたゲート電圧は、ゲート線を介して伝達され、画素にデータ電圧が印加されて画像を表示するが、ダミーステージSRn＋1はゲート線に接続されないか、或いはゲート線に接続されたとしても画像を表示しないダミー画素（図示せず）のゲート線に接続されて画像を表示するのに使用されない。

例如，在通过栅极线发送从不同的级 SR1至 SRn输出的栅极电压时，将数据电压施加到像素，以显示图像，然而，伪级 SRn+1没有连接到栅极线，即使伪级 SRn+1连接到栅极线，也将伪级SRn+1连接到不显示图像的伪像素 (未显示 )的栅极线，从而伪级 SRn+1不用于显示图像。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、VMはPMOSトランジスタのオフのためにゲートに供給される電圧の絶対値よりも小さい電圧である。

电压 VM比向栅极供给以关断 PMOS晶体管的电压的绝对值小。 - 中国語 特許翻訳例文集

リセットトランジスタ54のソース、および、増幅トランジスタ55のソースは、所定の電源電圧VDDに接続されている。

重置晶体管 54的源极和放大晶体管 55的源极连接到预定电源电压 VDD。 - 中国語 特許翻訳例文集

特に、ベースノード14を備えたモードA22は、特定の電源要件を有する。 それは、実例となる描写に、一定電圧vA−B、大電流iA、および入力電源上で運ばれたノイズ用の周波数感度fAを具備する。

明确地说，与基本节点 14的模式A22具有特定功率要求，其在说明性描绘中包含恒定电压 vA-B、大电流 iA，和对输入电源上携载的噪声的频率敏感性 fA。 - 中国語 特許翻訳例文集

保持容量613は、負荷電流を一定に維持するために、負荷トランジスタ614のゲート電圧を一定に保持するためのキャパシタである。

保持电容器 613维持负载晶体管 614的栅极电压恒定，以便维持负载电流恒定。 - 中国語 特許翻訳例文集

通信媒体30が通信装置10にさらに近づくことにより、監視電圧が低減して電力監視ポイントの基準電圧Vrefより低い電圧になると、比較器53の出力が反転し、ローレベルの信号を出力する。

在通信介质 30进一步接近通信设备 10时，相应地，监控电压就降到低于功率监控点的参考电压，反转比较器 53的输出，比较器 53输出低电平信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

ゲート駆動部500が独立したICチップとして構成される場合、ゲートICチップから複数のゲート線へ同時にゲートオン電圧を印加してもよい。

当用独立 IC芯片形成栅极驱动器 500时，可将栅极导通电压从栅极 IC芯片同时施加到多条栅极导线。 - 中国語 特許翻訳例文集

電圧入力端子Vinにはゲートオフ電圧が印加され、リセット端子REは最終段に位置するダミーステージSRn＋1の伝達信号出力端子CRoutに接続されている。

将栅极截止电压施加到电压输入端 Vin，并且将重置端 RE连接到通常最后布置的伪级 SRn+1的传输信号输出端 CRout。 - 中国語 特許翻訳例文集

図3及び図4を参照すると、液晶分子を殆ど横たわる状態にするイメージデータを入力する方法としては、表示パネル100の複数のゲート線にゲートオン電圧Vonを印加し、複数のデータ線に共通電圧Vcomを印加する方法がある。

参照图 3和图 4，在输入图像数据以使液晶分子呈卧式的方法中，将栅极导通电压Von施加到显示面板 100的多条栅极线，并且向多条数据线施加公共电压 Vcom。 - 中国語 特許翻訳例文集

結果的に、移動度μが大きい駆動トランジスタN2ほどゲート・ソース間電圧Vgsが小さくなる。

因此，栅 /源极之间的电压 Vgs随着所述驱动晶体管N2的迁移率μ的增加而减小。 - 中国語 特許翻訳例文集

FD22は転送された信号電荷を電圧信号に変換して増幅トランジスタTr3のゲートに出力する。

传送的信号电荷在浮置扩散 22处被转换为电压信号，并输出到放大晶体管 Tr3的栅极。 - 中国語 特許翻訳例文集

このリセットカウントのターゲット値と冗長性を持たせたカウント値間の、リセットカウント時間分に相当する電圧分が、図3中に示す判定閾値電圧マージンとなる。

与该复位计数值的目标值及具有冗余性的计数值之间的复位计数时间相当的电压量，成为图 3所示的判定阈值电压余量。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、ゲートドライバ52およびデータドライバ51から出力される各画素20への駆動電圧によって表示駆動動作がなされる。

通过将驱动电压从栅极驱动器 52和数据驱动器 51输出到每个像素 20，来执行显示驱动操作。 - 中国語 特許翻訳例文集

各ステージSR1〜SRn＋1は、2つの入力端子IN1、IN2と、2つのクロック入力端子CK1、CK2と、ゲートオフ電圧に相当する低電圧（Vss）が印加される電圧入力端子Vinと、リセット端子REと、出力端子OUT及び伝達信号出力端子CRoutを備える。

SR1至SRn+1中的每一级均包括两个输入端 IN1和 IN2、两个时钟端 CK1和 CK2、接收与栅极截止电压相应的低电压 Vss的电压输入端 Vin、重置端 RE、输出端 OUT以及传输信号输出端 CRout。 - 中国語 特許翻訳例文集

この決定は、モード用のピークまたは定常状態の電源要件（例えば、電流、電圧）を決定すること（ブロック80）、および／または、モード用の周波数スペクトラム感度を決定すること（ブロック82）を具備することができる。

此确定可包含确定所述模式的峰值功率要求或稳态功率要求 (例如，电流、电压 )(框 80)和 /或确定所述模式的频谱敏感性 (框 82)。 - 中国語 特許翻訳例文集

基準電圧線Vref側のNMOSトランジスタ30ゲート端子には、列選択回路5aからの列選択信号が入力される。

基准电压线Vref侧的 NMOS晶体管 30的栅极端子被输入来自列选择电路 5a的列选择信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

アドレストランジスタ24は、ドレイン端子が電源（電圧VDD）26に接続され、ソース端子が増幅トランジスタ23のドレイン端子に接続され、ゲート端子がアドレス線ADDRESSに接続されている。

地址晶体管 24的漏极端子与电源 (电压 VDD)26连接，源极端子与放大晶体管 23的漏极端子连接，栅极端子与地址线 ADDRESS连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

タイミング発生回路（TG）15は、供給電圧制御回路13が転送トランジスタ22のゲート電極に制御電圧を供給する際のタイミングを決めるタイミング信号PTRG1，PTRG2，PTRG3（図2参照）を発生する。

时序发生器 (TG)15生成时序信号 PTRG1、PTRG2、PTRG3(参考图 2)，用于确定供应电压控制电路 13向转移晶体管 22的栅电极供应控制电压的定时。 - 中国語 特許翻訳例文集

図23（1）（2）において、列選択信号が出力される時間間隔の期間におけるプリチャージ信号により、プリチャージ回路80，49がオンし、データ線10、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3がVDD／2にプリチャージされ、制御信号線21が電源電位VDDにプリチャージされる。

在图 23(1)、(2)中，通过输出列选择信号的时间间隔的期间中的预充电信号，使得预充电电路 80、49接通，数据线 10、基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3被预充电至 VDD/2，控制信号线 21被预充电至电源电位 VDD。 - 中国語 特許翻訳例文集

基準電圧線Vref1を駆動するPMOSトランジスタ75，76のうち、電源77にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ75のゲート端子は、グランドに接続され、PMOSトランジスタ75のドレイン端子と基準電圧線Vref1との間に介在するPMOSトランジスタ76のゲート端子には、論理を反転した列選択信号（／列選択信号）が入力される。

驱动基准电压线 Vref1的 PMOS晶体管 75、76中源极端子连接到电源 77的 PMOS晶体管 75的栅极端子与电路接地端连接，处于 PMOS晶体管 75的漏极端子与基准电压线Vref1之间的 PMOS晶体管 76的栅极端子被输入反转了逻辑的列选择信号 (/列选择信号 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、基準電圧線Vref3を駆動するNMOSトランジスタ78，79のうち、基準電圧線Vref3にドレイン端子が接続されるNMOSトランジスタ78のゲート端子には、列選択信号が入力され、NMOSトランジスタ78のソース端子とグランドとの間に介在するNMOSトランジスタ79のゲート端子は、電源77に接続されている。

另外，驱动基准电压线 Vref3的 NMOS晶体管 78、79中漏极端子与基准电压线Vref3连接的 NMOS晶体管 78的栅极端子被输入列选择信号，处于 NMOS晶体管 78的源极端子与电路接地端之间的 NMOS晶体管 79的栅极端子与电源 77连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

より具体的には、電源部114は、外部電源300からの交流電力を内蔵するAC／DC変換部（図示せず）にて変圧し、さらに整流および平滑化して安定化させた直流電圧をプロジェクター100の各部に供給する。

更具体的，电源部 114用内置的 AC/DC变换部 (未图示 )变压来自外部电源300的交流电力，再将整流及平滑化、稳定化过的直流电压供给投影仪 100的各部。 - 中国語 特許翻訳例文集

リセットトランジスタ22は、ドレイン端子が電源（電圧VDD）26に接続され、ソース端子がFD25に接続され、ゲート端子がリセット線RESETに接続されている。

复位晶体管 22的漏极端子与电源 (电压 VDD)26连接，源极端子与 FD25连接，栅极端子与复位线 RESET连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1実施例では、画素20内の選択トランジスタ25をオフときに、そのゲート電圧を当該選択トランジスタ25が形成されているウェルの電圧よりもオフ側、本例では負電圧に設定することを特徴としている。

第一实施例的特征在于，当像素 20的选择晶体管 25被关断时，其栅极电压被设为一电压也就是负电压，该电压距关断侧比距其中形成了选择晶体管 25的阱的电压更近。 - 中国語 特許翻訳例文集

転送トランジスタ22のゲート電極に供給する電圧をVtrg1，Vtrg2，Vtrg3，Vtrg4とした場合において、アドレス信号ADRによって行が選択された際に、タイミング信号PTRG1，PTRG2，PTRG3によって、それぞれに対応する電圧Vtrg1，Vtrg2，Vtrg3を供給し、それ以外は電圧Vtrg4を供給する。

在将被供应到转移晶体管 22的栅电极的电压为 Vtrg1、Vtrg2、Vtrg3和 Vtrg4的情形中，当通过地址信号 ADR选定行时，根据时序信号 PTRG1、PTRG2和 PTRG3，对应于各个时序信号的电压Vtrg1、Vtrg2和 Vtrg3被供应，而电压 Vtrg4被供应到其它行。 - 中国語 特許翻訳例文集

読み出しトランジスタ21は、ゲート端子に接続される読み出し線READの電圧によりオン・オフ制御される。

读出晶体管 21通过与栅极端子连接的读出线 READ的电压来进行导通 /截止控制。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体的には、イメージセンサー110は、原稿などに反射した光を受光し、受光量に応じて蓄積された電荷を電圧として読み出し、A／D変換装置120に出力する。

具体地，图像传感器 110对原稿等所反射的光进行受光，将与受光量相应地蓄积的电荷作为电压读出，输出到 A/D转换装置 120。 - 中国語 特許翻訳例文集

第6のトランジスターTr6の制御端子にはリセット端子REを介してダミーステージの伝達信号CRが印加され、第9のトランジスターTr9の制御端子には第2の入力端子IN2を介して次段のステージのゲート電圧が入力される。

第六晶体管 Tr6的控制端通过重置端 RE接收伪级的传输信号 CR，通过第二输入端 IN2向第九晶体管 Tr9的控制端输入下一级的栅极电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、図11を参照すると、水平に配列された複数のゲート線に上から下へ向かってゲートオン電圧が印加される場合、画面の下部にのみホワイトイメージを入力する。

例如，参照图 11，栅极导通电压被施加到从上到下水平布置的多条栅极线，白图像被输入到屏幕的下部。 - 中国語 特許翻訳例文集

PD1のカソードは電源電圧VDDに接続され、アノードはリセットMOSトランジスタ3の一方の主電極およびオペアンプ2の非反転入力端子に接続される。

PD 1的阴极与电源电压 VDD连接，PD 1的阳极与复位 MOS晶体管 3的主电极中的一个和运算放大器 2的非反相输入端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、上述の説明の様々な箇所で言及された可能性のある、データ、命令、コマンド、情報、信号、ビット、記号、およびチップは、電圧、電流、電磁波、磁場もしくは磁気粒子、光場もしくは光粒子、またはそれらの任意の組み合わせによって表現することができる。

例如，可以用电压、电流、电磁波、磁场或粒子、光场或粒子或者其任意组合来表示在上文的描述中可能提及的数据、指令、命令、信息、信号、比特、符号和码片。 - 中国語 特許翻訳例文集

この電圧設定回路631は、タイミング制御回路200からの維持制御信号に基づいて、そのドレイン側の基準電流線601とソース側の負荷トランジスタゲート線632との間を接続する。

电压设置电路 631基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号，将在其漏极侧的参考电流线 601和其源极侧的负载晶体管栅极线 632连接到一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

ゲートアレイ45は、整列センサー39、媒体端センサー47及び媒体幅センサー55から入力されるアナログ電圧を量子化してデジタルデータとし、CPU40に出力する。

门阵列 45将从调齐传感器 39、介质端传感器 47及介质宽度传感器 55输入的模拟电压量子化而作为数字数据向 CPU40输出。 - 中国語 特許翻訳例文集

ゲートアレイ45は、整列センサー39、媒体端センサー47及び媒体幅センサー55から入力されるアナログ電圧を量子化してデジタルデータとし、CPU40に出力する。

门阵列 45对从校准传感器 39、介质端传感器 47以及介质宽度传感器 55输入的模拟电压进行量化而作为数字数据，并输出给 CPU40。 - 中国語 特許翻訳例文集

ゲートアレイ45は、整列センサー39、媒体端センサー47及び媒体幅センサー55から入力されるアナログ電圧を量子化してデジタルデータとし、CPU40に出力する。

门阵列 45对从调整传感器 39、介质端传感器 47以及介质宽度传感器 55输入的模拟电压进行量化，使之成为数字数据，并输出到 CPU40。 - 中国語 特許翻訳例文集

ゲートアレイ45は、検出値処理部として機能し、第1スキャナー111及び第2スキャナー112から供給されたアナログ電圧を量子化して、画素毎のデジタルデータを並べたデータとしてCPU40に出力する。

门阵列 45作为检测值处理部发挥作用，对从第一扫描器 111以及第二扫描器 112供给的模拟电压进行量化，并将其作为排列了每个像素的数字数据的数据，输出到 CPU40。 - 中国語 特許翻訳例文集