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「いりはまけん」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 7



これらの関係は、負のディスパリティおよび負の収束距離が認められる限り、図3に示すように収束点が画面の後方にあるときでも成立する。

当会聚点如图 3所示在屏幕后面时,这些关系保持正确,只要允许负视差和负会聚距离即可。 - 中国語 特許翻訳例文集

別の例示的な実施形態において、パルス周波数計量はパルス発生器出力信号中の連続する立ち上がりエッジ間の時間間隔を測るタイマ計量でも構わない。

在一替代示范性实施例中,所述脉冲频率度量可为测量脉冲产生器输出信号中连续上升沿之间的时间间隔的计时器度量。 - 中国語 特許翻訳例文集

「時相及び解像度の階層化の向上」("Enhancements to Temporal and Resolution Layering”)と題する米国特許出願第09/545,233号(上記にて参照)においては、負のローブ(lobe)を有する改良された変位フィルタ(切断sinc関数(truncated sinc function))の使用が記述されている。

题为“Enhanced Temporal and Resolution Layering in Advanced Television”的美国专利申请 09/545233号 (前文引用过 )描述了改进的负半周 (截断的正弦函数 )位移滤波器的使用。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、本実施形態では、正電源302や負電源304を有する電源部300を、画素アレイ部10、駆動制御部7、カラムAD変換部26、および参照信号生成部27が形成される半導体領域(半導体チップ)とは別に設けている。

进一步,在本实施例中与半导体区域 (半导体芯片 )(其中形成像素阵列部件 10、驱动控制部件 7、列 AD转换部件 26和基准信号产生部件 27)分离地提供包括正电源 302和负电源 304的电源部件 300。 - 中国語 特許翻訳例文集

較正を実施する一方法では、マスタ装置は、クロストークの概略の大きさを検知するためあるいはクロストークが負信号から正信号に(またはその逆に)いつ遷移するかを検知するために受信信号レベルと複数の閾値とを比較することができる。

在实施校准的一种方法中,主设备可以将接收到的信号电平与多个阈值相比较,以检测大体的串扰量值,或者检测串扰何时在负信号与正信号之间转变,反之亦然; - 中国語 特許翻訳例文集

すなわち、変調方式決定部38は、記憶部34に記憶される受信電力差が周期的に負になる場合に(近接基地局から周期的に送信される制御信号の受信電力が基地局14から送信される制御信号の受信電力を越える場合に)、SINR演算部36により算出される通信信号(EXCH)のSINRに記憶部34に記憶される受信電力差(−α)を加えた値を予測SINRとして算出し、この予測SINRで適用な可能な最良の変調方式を所要SINRテーブルから選出する。

即,调制方式决定部 38在存储部 34中存储的接收功率差周期性地为负的情况下(在从邻近基站周期性地发送的控制信号的接收功率超过从基站 14发送的控制信号的接收功率的情况下 ),作为预测 SINR运算出在由 SINR运算部 36计算的通信信号 (EXCH)的SINR上加上存储部 34中存储的接收功率差 (-α)的值,使用该预测 SINR从所需 SINR表中选出可适用的最佳调制方式。 - 中国語 特許翻訳例文集

あるいは、制御部106は、その差が負の値であると、白シェーディングレベルが低く変動したと判定し、この差の絶対値(白シェーディングレベルの変動量Δwb)を第2閾値THLと比較して、その変動量Δwbが第2閾値THLを超えていれば、白シェーディングレベルが異常に低くなったと判定し(ステップS118で「Yes」)、変動量Δwbに比例した補正量Δbbを求め、黒シェーディングメモリ105内の黒シェーディングレベルを参照して、順番i=1番目の画素の黒シェーディングレベルを補正量Δbbだけ高く補正し、黒シェーディングメモリ105内のその画素の黒シェーディングレベルを更新する(ステップS119)。

或者,控制单元 106在该差为负的值的情况下,判定为白遮蔽电平变动得低,比较该差的绝对值 (白遮蔽电平的变动量Δwb)和第 2阈值 THL,如果该变动量Δwb超过第 2阈值 THL,则判定为白遮蔽电平异常地变低了 (步骤 S118中为“是”),求与变动量Δwb成比例的校正量Δbb,参照黑遮蔽存储器 105内的黑遮蔽电平,将序号 i= 1号的像素的黑遮蔽电平校正得仅高相当于校正量Δbb,更新黑遮蔽存储器 105内的该像素的黑遮蔽电平(步骤 S119)。 - 中国語 特許翻訳例文集





   

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