「かいせつのじすう」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

開示する技術の様々な態様について説明した。

已描述所揭示的技术的各种方面。 - 中国語 特許翻訳例文集

図1内に示される特定の例では、ミラー1401および1402はそれぞれ、−2次数回折および＋2次数回折に位置する。

在图 1中所示的具体示例中，镜 1401和 1402分别位于 -2级衍射和 +2级衍射。 - 中国語 特許翻訳例文集

共通の制御端47は、NMOSトランジスタ52のゲート端子に直接接続され、インバータ53を介してPMOSトランジスタ50のゲート端子に接続され、また、PMOSトランジスタ54，55の各ゲート端子に接続されている。

公共的控制端 47与 NMOS晶体管 52的栅极端子直接连接，经由反相器 53与 PMOS晶体管 50的栅极端子连接，连还接到 PMOS晶体管 54、55的各栅极端子。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号の直接直交サンプリングの装置および方法を本明細書に開示する。

本发明公开了一种用于对信号进行直接正交取样的装置和方法。 - 中国語 特許翻訳例文集

社会主義社会における初級段階．（「中国は既に社会主義社会であり社会主義を堅持すべきである」「中国はなお社会主義の初級段階にあって引き続き経済建設を推進すべきである」という2つの説がある．）

社会主义初级阶段 - 白水社 中国語辞典

次に図5と図6を用いて、OSD回路412が表示部409に表示するOSD表示の例を説明する。

接着，使用图 5和图 6，说明 OSD电路 412在显示部 409上显示的 OSD显示的示例。 - 中国語 特許翻訳例文集

単位画素2aでは、増幅トランジスタ23のドレイン端子がアドレストランジスタ24を介して電源26が接続され、ソース端子が垂直信号線VSLおよびスイッチトランジスタ14を介して電流源15が接続されるので、増幅トランジスタ23は、ソースフォロワ回路を構成する。

在单位像素2a中，放大晶体管 23的漏极端子经由地址晶体管 24与电源 26连接，源极端子经由垂直信号线 VSL以及开关晶体管 14与电流源 15连接，因此，放大晶体管 23构成源极跟踪器电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

逆相内部ノード／Dは、「差動増幅回路の一方の差動入力端」として、PMOSトランジスタ54を介してデータ線に接続され、正相内部ノードDは、「差動増幅回路の他方の差動入力端」として、PMOSトランジスタ55を介して基準電圧線Vrefに接続されている。

反相内部节点 /D作为“差动放大电路的一个差动输入端”，经由 PMOS晶体管 54与数据线连接，正相内部节点 D作为“差动放大电路的另一个差动输入端”，经由 PMOS晶体管 55与基准电压线 Vref连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに一般的にいえば、しかしながら、ミラーストリップ1402および1402は任意の適切な回折次数に位置することができる。

然而，更一般而言，镜条 1401和 1402可以位于任何适当的衍射级。 - 中国語 特許翻訳例文集

図9Bの例では、ページスキャンは11．25msのページスキャンウィンドウ長を有するが、ページスキャンウィンドウは、電力を節約するために他の長さ、たとえば、より短い長さを有することができることを理解されたい。

在图 9B中的例子中，寻呼扫描具有 11.25毫秒的寻呼扫描窗口长度，但是应当理解，寻呼扫描窗口可以具有其它的长度，例如，更短的长度以节省功率。 - 中国語 特許翻訳例文集

添付の図面および以下の説明において、開示する技術の1つまたは複数の態様の詳細を示す。

在附图和以下描述中阐述所揭示的技术的一个或一个以上方面的细节。 - 中国語 特許翻訳例文集

MOSトランジスタ5の他方の主電極は、共通出力線8および差動増幅回路4の反転入力端子と接続される。

MOS晶体管 5的主电极中的另一个与共用输出线 8和差分放大器电路 4的反相输入端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

差動増幅回路6の非反転入力端子は単位画素の出力端子と接続され、その出力端子は、第1のスイッチであるMOSトランジスタ7を介して自身の反転入力端子に接続される。

差分放大器电路 6的非反相输入端子与单位像素的输出端子连接。 差分放大器电路 6的输出端子经由用作第一开关的MOS晶体管 7与差分放大器电路 6的反相输入端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、垂直信号線Vsig11aに用いられている配線H11は、ビアB2を介してアンプトランジスタ14のソース側の拡散層DF2に接続され、垂直信号線Vsig11bに用いられている配線H11は、ビアB2を介してアンプトランジスタ14´のソース側の拡散層DF2に接続され、垂直信号線Vsig11cに用いられている配線H11は、ビアB2を介してアンプトランジスタ14´´のソース側の拡散層DF2に接続されている。

并且，用于垂直信号线 Vsig11a的配线 H11经由通孔 B2连接在放大晶体管 14的源极侧的扩散层 DF2上，用于垂直信号线 Vsig11b的配线 H11经由通孔 B2连接在放大晶体管 14′的源极侧的扩散层 DF2上，用于垂直信号线 Vsig11c的配线 H11经由通孔 B2连接在放大晶体管 14″的源极侧的扩散层 DF2上。 - 中国語 特許翻訳例文集

本明細書で開示する方法は、説明した方法を達成するための1つまたは複数のステップまたはアクションを備える。

本文公开的方法包括用于实现所描述方法的一个或多个步骤或动作。 - 中国語 特許翻訳例文集

NMS120は、物理的トポロジ変更イベントに応答して、CN410のノード111間で完全な論理接続を維持するように構成された処理を開始する。

NMS 120响应于物理拓扑改变事件启动适于维护 CN 410的节点 111之间的全逻辑连接的处理。 - 中国語 特許翻訳例文集

NMS120は、物理的トポロジ変更イベントに応答して、CN510のノード111間で完全な論理接続を維持するように構成された処理を開始する。

NMS 120响应于物理拓扑改变事件启动适于维护 CN 510的节点 111之间的全逻辑连接的处理。 - 中国語 特許翻訳例文集

薬物の取り扱い場所の近くには シャワーや手洗い及び洗眼設備を設け、その位置を表示する。

在存放药物的地方的附近，设置淋浴，或是洗手间，洗眼设备之类的设施来标注那个的位置。 - 中国語会話例文集

本開示の一態様では、ページスキャンモジュール42は、以下でさらに説明するように、ページスキャニングデバイス10のページスキャン動作を管理するように構成できる。

在本发明的一个方面，寻呼扫描模块 42可以配置为对寻呼扫描设备 10的寻呼扫描操作进行管理，如下进一步讨论地。 - 中国語 特許翻訳例文集

回折された光は、それがミラーストリップ1401または1402の方へ戻って反射するにつれてそれ自体を補強し、さまざまな回折次数によって表される位置で一連の光の点を形成する。

衍射的光当其向着镜条 1401和 1402向背反射时将加强其本身，在由各种衍射级表示的位置处形成一系列光点。 - 中国語 特許翻訳例文集

差動増幅回路4の非反転入力端子は単位画素の出力端子と接続され、その出力端子は、第1のスイッチであるMOSトランジスタ5の一方の主電極に接続される。

差分放大器电路 4的非反相输入端子与单位像素的输出端子连接，并且，差分放大器电路 4的输出端子与用作第一开关的 MOS晶体管 5的主电极中的一个连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

これらの請求項は、前述した本発明に対する適切な保護を維持するものと解釈すべきである。

这些请求应被理解为维持对最初描述的本发明的适当保护。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、転送トランジスタ412は、そのゲート端子が電荷転送線331および332に接続され、そのドレイン端子がフローティングディフュージョンFDを介してリセットトランジスタ413のソース端子と増幅トランジスタ414のゲート端子とに接続される。

此外，传输晶体管 412使其栅极端子连接到电荷传输线 331和 332，并且经由浮动扩散 FD使其漏极端子连接到复位晶体管 413的源极端子和放大晶体管 414的栅极端子。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、垂直信号線Vsig1aに用いられている配線H1は、ビアB1を介してアンプトランジスタ4のソース側の拡散層DF1に接続され、垂直信号線Vsig1bに用いられている配線H1は、ビアB1を介してアンプトランジスタ4´のソース側の拡散層DF1に接続されている。

并且，用于垂直信号线 Vsig1a的配线 H1经由通孔 B1连接在放大晶体管 4的源极侧的扩散层 DF1上，用于垂直信号线 Vsig1b的配线 H1经由通孔 B1连接在放大晶体管 4′的源极侧的扩散层 DF1上。 - 中国語 特許翻訳例文集

M個のスイッチトランジスタ14の各ゲート端子はタイミング制御回路10が制御する電流制御線16に並列に接続されている。

M个开关晶体管 14的各栅极端子并联地连接在定时控制电路 10所控制的电流控制线 16上。 - 中国語 特許翻訳例文集

続いて、前記電力会社サーバ200が、例えば前記プログラム202に基づき記憶部201にて構成・保持する機能部につき説明を行う。

接着，说明所述电力公司服务器 200例如根据所述程序 202在存储部 201中构成、保持的功能部。 - 中国語 特許翻訳例文集

この負荷電流供給回路610において、設定トランジスタ611は、そのゲート端子が維持制御信号線203に接続され、そのドレイン端子が基準電流線601に接続される。

在负载电流提供电路 610中，设置晶体管 611使其栅极端子连接到维持控制信号线 203，并且使其漏极端子连接到参考电流线 601。 - 中国語 特許翻訳例文集

この第2負荷電流供給回路620において、第2設定トランジスタ621は、そのゲート端子が維持制御信号線203に接続され、そのドレイン端子が第2基準電流線602に接続される。

在第二负载电流提供电路 620中，第二设置晶体管 621使其栅极端子连接到维持控制信号线 203，并且使其漏极端子连接到第二参考电流线 602。 - 中国語 特許翻訳例文集

図15は、1504”とラベル付けされたオブジェクト1504の回転された参照画像1508の例を説明する。例示するように、オブジェクト1504”は、ライブ画像1502におけるオブジェクト1504の回転と同じか似たような形に回転している。

图 15图解说明了对象 1504的旋转参考图像 1508的例子，其标注为 1504″。 如图解说明的，以与活动图像 1502中的对象 1504的旋转相同或者类似的方式来旋转对象1504″。 - 中国語 特許翻訳例文集

CPU書き込みレジスタR（401）、カウンタスタートパルス生成回路R（407）、VD同期レジスタR（408）は、図3の説明と同じ動作であるが、奇数フィールドに対する偶数フィールドの読み出し開始行の差分であるオフセット値のレジスタが追加される。

CPU写入寄存器 R(401)、计数器开始脉冲产生电路 R(407)和VD同步寄存器 R(408)的操作与参考图 3描述的那些操作相同。 - 中国語 特許翻訳例文集

逆相内部ノード／D1，／D2，／D3は、それぞれ「差動増幅回路の一方の差動入力端」として、PMOSトランジスタ54を介してデータ線に接続され、正相内部ノードD1，D2，D3は、それぞれ「差動増幅回路の他方の差動入力端」として、PMOSトランジスタ55を介して基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3に接続されている。

反相内部节点 /D1、/D2、/D3分别作为“差动放大电路的一个差动输入端”，经由 PMOS晶体管 54与数据线连接，正相内部节点 D1、D2、D3分别作为“差动放大电路的另一个差动输入端”，经由 PMOS晶体管 55与基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

例示的プロセス（300）はブロック（302）において開始し、接続モジュールが適切なユーザーインターフェースを介し、利用可能な目的ネットワーク（例えば計算装置が接続し得る目的ネットワーク）の一式をユーザーに表示する。

说明性过程 300始于框 302，其中连接模块经由合适的用户界面向用户提供可用目的地网络 (例如，计算设备可连接到的目的地网络 )的集合。 - 中国語 特許翻訳例文集

第3のトランジスターTr3の制御端子はプルアップ駆動部511の第7のトランジスターTr7の出力端子に接続され、第2のトランジスターTr2の制御端子には第2の入力端子IN2を介して次段のステージのゲート電圧が入力される。

第三晶体管 Tr3的控制端连接到上拉驱动器 511的第七晶体管 Tr7的输出端，通过第二输入端 IN2向第二晶体管 Tr2的控制端输入下一级的栅极电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

データ通信回路31において、ドライバ201，電圧緩和トランジスタ202p，202n，および信号ノードNP1，NN1の接続関係は、図5に示した接続関係と同様である。

在数据通信电路 31中，驱动器 201、电压缓和晶体管 202p、202n以及信号节点 NP1、NN1的连接关系与图 5所示的连接关系同样。 - 中国語 特許翻訳例文集

基準電圧線Vref1を駆動するPMOSトランジスタ75，76のうち、電源77にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ75のゲート端子は、グランドに接続され、PMOSトランジスタ75のドレイン端子と基準電圧線Vref1との間に介在するPMOSトランジスタ76のゲート端子には、論理を反転した列選択信号（／列選択信号）が入力される。

驱动基准电压线 Vref1的 PMOS晶体管 75、76中源极端子连接到电源 77的 PMOS晶体管 75的栅极端子与电路接地端连接，处于 PMOS晶体管 75的漏极端子与基准电压线Vref1之间的 PMOS晶体管 76的栅极端子被输入反转了逻辑的列选择信号 (/列选择信号 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

電源側に直列配置されるPMOSトランジスタ60，61およびPMOSトランジスタ66，67において、電源64にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ60，66のうち、PMOSトランジスタ60のゲート端子には、n＋1列目のレジスタデータDn＋1が直接入力され、PMOSトランジスタ66のゲート端子には、n＋1列目のレジスタデータDn＋1を論理反転したデータ（／Dn＋1）とn列目のレジスタデータDnを論理反転したデータ（／Dn）とがNAND回路70を介して入力される。

在配置于电源侧的 PMOS晶体管 60、61和 PMOS晶体管 66、67中，在源极端子连接到电源 64的 PMOS晶体管 60、66中 PMOS晶体管 60的栅极端子被直接输入第 n+1列的寄存器数据 Dn+1，PMOS晶体管 66的栅极端子经由 NAND电路 70被输入对第 n+1列寄存器数据Dn+1进行逻辑反转后的数据 (/Dn+1)和对第 n列寄存器数据 Dn进行逻辑反转后的数据 (/Dn)。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6の右側に見られる連続点により示されるように、駆動回路601の出力特性を調節する際にさらなる分解能を実現するために追加の制御信号およびトランジスタ部を設けてもよい。

如见于图 6右侧的持续点所示，可以提供额外的控制信号和晶体管段来实现对于驱动电路 601的输出特性的调节的更高分辨率。 - 中国語 特許翻訳例文集

各選択トランジスタ41のドレイン電極は、対応するノードN41を介してそれぞれ別の中間保持手段2（中間保持手段2のノードN32）に接続されており、ソース電極はすべてショートされ増幅回路42の入力端に接続されている。

选择晶体管 41的漏极经由相应的节点 N41连接到相应的中间保持单元2(中间保持单元 2的节点 N32)，并且各自的源极耦接到放大电路 42的输入节点。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、基準電圧線Vref3を駆動するNMOSトランジスタ78，79のうち、基準電圧線Vref3にドレイン端子が接続されるNMOSトランジスタ78のゲート端子には、列選択信号が入力され、NMOSトランジスタ78のソース端子とグランドとの間に介在するNMOSトランジスタ79のゲート端子は、電源77に接続されている。

另外，驱动基准电压线 Vref3的 NMOS晶体管 78、79中漏极端子与基准电压线Vref3连接的 NMOS晶体管 78的栅极端子被输入列选择信号，处于 NMOS晶体管 78的源极端子与电路接地端之间的 NMOS晶体管 79的栅极端子与电源 77连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

広域ネットワーク106の通信品質が悪い場合、ネットワーク接続装置105は、重要度の高いデータがネットワーク相互接続装置105のバッファ溢れによって失われないように、重要度が低いデータの送信をみあわせるように通信端末201に指示する。

在广域网 106的通信品质差的情况下，网络连接装置 105指示通信终端 201以使重要度高的数据不会因网络相互连接装置 105的缓冲器溢出而被丢失，使重要度低的数据的发送暂停。 - 中国語 特許翻訳例文集

この電圧設定回路631は、タイミング制御回路200からの維持制御信号に基づいて、そのドレイン側の基準電流線601とソース側の負荷トランジスタゲート線632との間を接続する。

电压设置电路 631基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号，将在其漏极侧的参考电流线 601和其源极侧的负载晶体管栅极线 632连接到一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

ネットワーク相互接続装置105が取得した広域ネットワーク106の通信品質が良い場合には、重要度が高いデータを複数回送信し、重要度が低いデータも送信するようにネットワーク接続装置105は通信端末201に指示する。

在网络相互连接装置 105所取得的广域网 106的通信品质良好的情况下，网络连接装置 105指示通信终端 201，以发送多次重要度高的数据，并且也发送重要度低的数据。 - 中国語 特許翻訳例文集

プロセッサ1712は、図17では全体にチップ上にあるように示されているが、全体又は部分的にチップ外に配置され、専用の電気接続及び／又は相互接続ネットワーク又はバス1714を介してプロセッサ1712に結合されたたレジスタ・セット又はレジスタ空間116を含んでもよい。

处理器1712包括寄存器组或寄存器空间116，其在图17中描述为整体在片上(on-chip)，但是另选地也可以整体或部分离片 (off-chip)并通过专用电连接和 /或通过互连网络或总线 1714直接连接到处理器 1712。 - 中国語 特許翻訳例文集

図21において、基準電圧駆動回路群8dは、基準電圧線Vref1を駆動するために電源77との間に直列接続されたPMOSトランジスタ75，76と、基準電圧線Vref3を駆動するためにグランドとの間に直列接続されたNMOSトランジスタ78，79とを備えている。

图 21中，基准电压驱动电路组 8d具有用于驱动基准电压线 Vref1而串联连接于与电源 77之间的 PMOS晶体管 75、76、为了驱动基准电压线 Vref3而串联连接于与电路接地端之间的 NMOS晶体管 78、79。 - 中国語 特許翻訳例文集

列回路としての負荷回路150は、画素の列配列に対応して各垂直信号線116−1〜116−nにドレインが接続され、ソースが基準電位VSSに接続された機能部としての負荷MOSトランジスタ151−1〜151−nを有する。

用作列电路的负载电路 150包括与像素列相关联的负载 MOS晶体管 151-1至151-n，负载 MOS晶体管 151-1至 151-n在其漏极分别连接至垂直信号线 116-1至 116-n，并且在其源极连接至基准电势 VSS。 - 中国語 特許翻訳例文集

例示するために本技術の様々な構成について示され述べられている以下の詳細な説明から、本技術の他の構成が当業者には容易に明らかになることが理解されよう。

应理解，对于所属领域的技术人员来说，标的技术的其它配置将从以下详细描述中变得容易显而易见，其中标的技术的各种配置是以说明方式来展示并描述。 - 中国語 特許翻訳例文集

設定トランジスタ611は、タイミング制御回路200から供給される維持制御信号に基づいて、負荷トランジスタ614のゲート端子に接続された負荷トランジスタゲート線612と、基準電流線601と間の接触の有無を切り替えるスイッチである。

设置晶体管 611是被适配为基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号、在连接到负载晶体管 614的栅极端子的负载晶体管栅极线 612和参考电流线 601之间出现接触和不出现接触间进行切换的开关。 - 中国語 特許翻訳例文集

第2設定トランジスタ621は、タイミング制御回路200から供給された維持制御信号に基づいて、第2負荷トランジスタ624のゲート端子に接続された負荷トランジスタゲート線622と、基準電流線601と間の接触の有無を切り替えるスイッチである。

第二设置晶体管 621是被适配为基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号、在连接到第二负载晶体管 624的栅极端子的第二负载晶体管栅极线 622和参考电流线 601之间出现接触和不出现接触间进行切换的开关。 - 中国語 特許翻訳例文集

このとき、PMOSトランジスタ54，55がオンしているので、差動増幅回路45a，45b，45cの正相内部ノードD1，D2，D3、および逆相内部ノード／D1，／D2，／D3は、データ線10、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の対応するものが接続される。

此时，由于 PMOS晶体管 54、55导通，因此差动放大电路 45a、45b、45c的正相内部节点 D1、D2、D3和反相内部节点 /D1、/D2、/D3连接着数据线 10、基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3中所对应的基准电压线。 - 中国語 特許翻訳例文集

このとき、PMOSトランジスタ54，55がオンしているので、差動増幅回路45a，45b，45cの正相内部ノードD1，D2，D3、および逆相内部ノード／D1，／D2，／D3は、データ線10、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の対応するものが接続される。

此时，由于PMOS晶体管 54、55导通，因此差动放大电路 45a、45b、45c的正相内部节点 D1、D2、D3和反相内部节点 /D1、/D2、/D3连接着数据线 10、基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3中对应的基准电压线。 - 中国語 特許翻訳例文集