「がいぶちぇっく」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

プラスチックを燃やすと有害物質が発生する。

燃烧塑料的话会产生有害气体。 - 中国語会話例文集

フレアチップに関するよくある問題は、当該チップが休止状態にある際の当該チップ内部での燃焼である。

与火炬尖端关联的常见的问题是当尖端处于休眠状态时在尖端内的燃烧。 - 中国語 特許翻訳例文集

この例では、好ましくは、送信側の第1〜第3のチャネルの送信側信号生成部110は同一チップに収容された1チップ構成であるとともに、第4〜第6のチャネルの送信側信号生成部110は同一チップに収容された1チップ構成であることが好ましい。

在本示例中，优选传输侧的第一到第三信道的传输侧信号生成单元 110具有单芯片配置，其中它们容纳在相同芯片中，并且优选第四到第六信道的传输侧信号生成单元 110具有单芯片配置，其中它们容纳在相同芯片中。 - 中国語 特許翻訳例文集

この例では、好ましくは、受信側の第1〜第3のチャネルの送信側信号生成部110は同一チップに収容された1チップ構成であるとともに、第4〜第6のチャネルの送信側信号生成部110は同一チップに収容された1チップ構成であることが好ましい。

在本示例中，优选传输侧的第一到第三信道的传输侧信号生成单元 110具有单芯片配置，其中它们容纳在相同芯片中，并且优选第四到第六信道的传输侧信号生成单元 110具有单芯片配置，其中它们容纳在相同芯片中。 - 中国語 特許翻訳例文集

空気より重い典型的なガスは次に、当該チップの内部に存在して、可燃性混合物がもやは当該チップ内部に存在しなくなるまで燃える。

通常比空气重的燃气而后位于尖端内并燃烧直到可燃混合物不再存在于尖端内。 - 中国語 特許翻訳例文集

フレアチップ内部に深く定在する火炎56は、当該チップの構造的完全性に経時的に損傷を与える。

深位于火炬尖端内部的火焰 56随着时间的消逝能够损坏该尖端的结构完整性。 - 中国語 特許翻訳例文集

本明細書に開示される制御装置を使用することで、火炎を当該チップの内部から移動させて、当該シェルを冷却することができる。 これにより、もはや当該チップ本体が内部火炎により台無しにされることはない。

使用于此公开的控制装置从该尖端的内部移除火焰将使得壳体冷却，意味着尖端的主体不再受到内部火焰的危害。 - 中国語 特許翻訳例文集

この場合、半導体チップ203Aは搬送周波数f2についても同期検波し得るが低域通過フィルタ8412を通すことでその成分がカットされ伝送対象信号SIN_2の成分が復元されることはない。

在该实例中，尽管半导体芯片 203A也可以利用载波频率 f2执行同步检测，但是因为传输信号 Sout_2通过低通滤波器 8412以截除传输信号 Sout_2的分量，所以没有恢复传输对象信号 SIN_2的分量。 - 中国語 特許翻訳例文集

LEDチップ71は、GaN系の半導体層を内部に有し、青色の光を生成するが、LEDチップ71表面に塗布された蛍光体により色変換が行なわれ、白色光を放射する。

LED芯片 71包括 GaN基半导体层并且产生蓝光。 光的颜色通过涂在 LED芯片 71表面的荧光粉变成白色。 - 中国語 特許翻訳例文集

全二重双方向化も異なる搬送周波数を用いれば容易に実現でき、電子機器の筐体内で複数の半導体チップ（送信側信号生成部110と受信側信号生成部220の組や送信側信号生成部210と受信側信号生成部120の組）が独立して通信するような状況も実現できる。

如果使用不同载波频率，则还可以容易地实现全双工双向传输，并且还可能实现这样的情况，其中多个半导体芯片(如传输侧信号生成单元110和接收侧信号生成单元220的组以及传输侧信号生成单元 210和接收侧信号生成单元 120的组 )在电子装置的外壳内相互独立地通信。 - 中国語 特許翻訳例文集

図9Bに示す第3例においては、一方（送信側）の半導体チップ103にはN組の送信側信号生成部110が収容され、他方（受信側）の半導体チップ203にはM組の受信側信号生成部220が収容され、各送信側信号生成部110から各受信側信号生成部220に同一方向に、周波数分割多重を適用して同時の信号伝送を可能にする形態である。

在图 15A所示的第三示例中，N组传输侧信号生成单元 110容纳在一侧 (即，传输侧 )的半导体芯片 103中，同时 M组接收侧信号生成单元 220容纳在另一侧 (即，接收侧 )的半导体芯片 203中，并且应用频分复用以允许在从传输侧信号生成单元 110到接收侧信号生成单元 220的相同方向上的同时信号传输。 - 中国語 特許翻訳例文集

図9Cに示す第4例においては、一方（送信側）の半導体チップ103にはN組の送信側信号生成部110が収容され、他方（受信側）の半導体チップ203にはM組の受信側信号生成部220が収容され、各送信側信号生成部110から各受信側信号生成部220に同一方向に、周波数分割多重を適用して同時の信号伝送を可能にする形態である。

在图 15B所示的第四示例中，N组传输侧信号生成单元 110容纳在一侧 (即，传输侧 )的半导体芯片 103中，同时 M组接收侧信号生成单元 220容纳在另一侧 (即，接收侧 )的半导体芯片 203中，并且应用频分复用以允许在从传输侧信号生成单元 110到接收侧信号生成单元 220的相同方向上的同时信号传输。 - 中国語 特許翻訳例文集

ステップ1において、アプリケーション220（例えばリーダチップ215に接続されるマイクロコントローラ上に位置する）がリレーアタックチェックRAC1の第1部分に対するコマンド及び第2の乱数RANDOM#2をリーダチップ215に送信する。

在步骤 1中，应用 220(例如，位于连接到读取器芯片 215的微型控制器处 )向读取器芯片 215发送用于中继攻击检验 RAC1的命令以及第二随机数 RANDOM #2。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体的には、半導体チップ103は多重化処理部113を備えておらず、各送信側信号生成部110_1，110_2には各別にアンテナ136_1，136_2が接続されている。

具体地，半导体芯片 103不包括复用处理器 113，并且天线 136_1和 136_2分别连接到传输侧信号生成单元 110_1和 110_2。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、半導体チップ203は単一化処理部228を備えておらず、各受信側信号生成部220_1，220_2，220_3には各別にアンテナ236_1，236_2，236_3が接続されている。

同时，半导体芯片 203不包括统一处理器单元 228，并且天线 236_1、236_2和 236_3分别连接到接收侧信号生成单元 220_1、220_2和 220_3。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、本実施形態では、正電源302や負電源304を有する電源部300を、画素アレイ部10、駆動制御部7、カラムAD変換部26、および参照信号生成部27が形成される半導体領域（半導体チップ）とは別に設けている。

进一步，在本实施例中与半导体区域 (半导体芯片 )(其中形成像素阵列部件 10、驱动控制部件 7、列 AD转换部件 26和基准信号产生部件 27)分离地提供包括正电源 302和负电源 304的电源部件 300。 - 中国語 特許翻訳例文集

その上、特定の一実施形態では、図6に示されるように、ディスプレイデバイス628、入力デバイス630、スピーカ636、マイクロフォン638、ワイヤレスアンテナ642、および電源644は、システムオンチップデバイス622の外部にある。

此外，在特定实施例中，如图 6中所说明，显示装置 628、输入装置 630、扬声器 636、麦克风 638、无线天线 642和电源 644处于芯片上系统装置 622外部。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、周波数f2を使用する側の半導体チップ203B_2は第2実施形態と同様であるが、周波数f1を使用する側の半導体チップ203Aは、副搬送信号生成部8612を備えており、注入同期に対応した半導体チップ203B_1から再生搬送信号を受け取り、この再生搬送信号を元に副搬送信号生成部8612にて同期した別の周波数（この例ではf1）の再生搬送信号を生成してから周波数変換（ダウンコンバート）を行なう。

这里，尽管使用载波频率 f2的半导体芯片 203B_2类似于第二实施例中的半导体芯片 203B_2，但是使用载波频率 f1的半导体芯片 203A包括辅助载波信号生成器 8612，并且从准备好注入锁定的半导体芯片 203B_1接收恢复的载波信号。 然后，基于恢复的载波信号，辅助载波信号生成器 8612生成与恢复的载波信号同步的另一频率 (在本示例中，载波频率 f1)的另一恢复的载波信号，然后，半导体芯片 203B_2执行频率转换，即，下转换。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、このような撮像装置8は、駆動制御部7およびカラムAD変換部26を、画素アレイ部10と別体にしてモジュール状のもので示しているが、固体撮像装置1について述べたように、これらが画素アレイ部10と同一の半導体基板上に一体的に形成されたワンチップものの固体撮像装置1を利用してもよいのは言うまでもない。

以具有与像素阵列部件 10分离的驱动控制部件 7和列 AD转换部件 26的模块形式示出了成像装置 8。 然而，不必说，如关于所述器件 1描述的那样，可以使用具有在相同的半导体衬底上与像素阵列部件 10集成地形成的驱动控制部件 7和列 AD转换部件 26的固态成像器件 1。 - 中国語 特許翻訳例文集

この場合、半導体チップ203B_1は搬送周波数f1に注入同期することはなく、再生搬送信号を使って同期検波し低域通過フィルタ8412を通すことで、搬送周波数f1の送信信号Sout_1 を半導体チップ203B_1で復調処理したとしても、伝送対象信号SIN_1の成分が復元されることはない。

在该实例中，半导体芯片 203B_1不与载波频率 f1注入锁定，并且即使载波频率 f1的传输信号 Sout_1使用恢复的载波信号经历同步检测，并且通过低通滤波器 8412，然后通过半导体芯片 203B_1经历解调处理，也没有恢复传输对象信号 SIN_1的分量。 - 中国語 特許翻訳例文集

図9Aは、図4に示される実施形態と同様の、コネクタ200内のコネクタ情報及び／またはトランシーバ10内のトランシーバ情報がエレクトニクス装置400に通信されて、内部エレクトロニクス420，例えばEICメモリチップ426に格納され、次いでEICメモリチップに接続されたEICプロセッサ427において処理されるようにシステムが構成された、RFIDベース情報収集システム4の一実施形態例の略図である。

图 9A是与图 4所示类似的基于 RFID的信息采集系统 4的示例性实施例的示意图，其中该系统被配置成使连接器 200中的连接器信息和 /或收发机 10中的收发机信息被传送至电子设备 400并被存储在内部电子器件 420中，例如存储在 EIC存储器芯片 426中，并随后在连接于 EIC存储器芯片的 EIC处理器 427中进行处理。 - 中国語 特許翻訳例文集

以下の説明においては、本発明の実施形態が完全に理解されるように、プログラミング、ソフトウェア・モジュール、ユーザ選択、ネットワーク・トランザクション、データベース照会、データベース構造、ハードウェア・モジュール、ハードウェア回路、ハードウェア・チップなどの例のような多数の特定の細部が提供される。

在以下描述中，提供了众多特定细节，诸如，编程示例、软件模块、用户选择、网络事务、数据库查询、数据库结构、硬件模块、硬件电路、硬件芯片等，以提供对本发明实施方式的透彻理解。 - 中国語 特許翻訳例文集

図1に示すように、本実施形態に係る固体撮像装置10は、半導体基板（チップ）11上に、画素アレイ部12、垂直駆動回路13、カラム回路群14、水平駆動回路15、水平信号線16、出力回路17、制御回路18および負電圧生成回路19などが搭載されたシステム構成となっている。

如图 3所示，根据该实施例的固态成像装置 10包括半导体衬底 (芯片 )11上的像素阵列 12、垂直驱动电路 13、列电路组 14、水平驱动电路 15、垂直信号线 16、输出电路 17、控制单元 18，以及负电压发生电路 19。 - 中国語 特許翻訳例文集

これらの物理的コンポーネントは、メモリー・コントローラー／チップセット1206との接続によって、コントローラー1225を通じて集合的にハード・ディスク・ドライブ1221（または他のソリッド・ステート・メモリー）に結合することができ、更にシステム・バス1230を通じて機能コンポーネント・システムの残りの部分にも結合することができる。

通过与存储器控制器 /芯片组 1206的连接，这些物理组件可经由控制器 1225被共同耦合到硬盘驱动器 1221(或其他固态存储器 )以及经由系统总线 1230被共同耦合到功能组件系统的其余组件。 - 中国語 特許翻訳例文集

水平走査部12や垂直走査部14などの駆動制御部7の各要素は、画素アレイ部10とともに、半導体集積回路製造技術と同様の技術を用いて単結晶シリコンなどの半導体領域に一体的に形成されたいわゆる1チップもの（同一の半導体基板上に設けられているもの）として、本実施形態の固体撮像装置1が構成される。

根据本实施例的固态成像器件 1以单芯片器件 (提供在同一半导体衬底上 )的形式构成，其中在单晶硅或其他半导体区域中使用与半导体集成电路制造技术相同的技术而集成地形成驱动控制部件 7的各个组件 (如水平和垂直扫描部件 12和 14)与像素阵列部件 10。 - 中国語 特許翻訳例文集