「きどうはんけい」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

（比喩的にも）同系繁殖，近親繁殖．

近亲繁殖（衍） - 白水社 中国語辞典

彼は反動的な反啓蒙主義者だ。

他是反动型的反启蒙主义者。 - 中国語会話例文集

警察は次々に出動して逃送犯人を追跡した．

警察纷纷出动追踪逃犯。 - 白水社 中国語辞典

同様に、連携装置50eは、保留されていた設定反映動作を自動的に実行する。

同样地，协作装置 50e自动地执行被保留的设定反映动作。 - 中国語 特許翻訳例文集

センス回路部120は、第1の半導体基板SUB1と異なる第2の半導体基板SUB2に形成される。

感测电路部分 120形成在不同于第一半导体基底 SUB 1的第二半导体基底 SUB2上。 - 中国語 特許翻訳例文集

共同販売・展示販売・代理販売するという多様な形式で販路を拡大する．

以联销、展销、代销等多种形式打开销路。 - 白水社 中国語辞典

p型半導体領域1306を、マイクロリング1302の内側の半導体基板で（または、該半導体基板に）形成することができ、n型半導体領域1308及び1310を、マイクリング1032の外側を囲む半導体基板であって導波路1304の反対側にある半導体基板で（または、該半導体基板に）形成することができる。

p型半导体区域 1306可以在微环 1302的半导体衬底内部形成，并且 n型半导体区域 1308和1310可以在包围微环 1302的外面的半导体衬底中和波导 1304的相对侧上形成。 - 中国語 特許翻訳例文集

この画素アレイ部110は、たとえば第1の半導体基板SUB1に形成される。

像素阵列部分 110例如形成在第一半导体基底 SUB1上。 - 中国語 特許翻訳例文集

（半導体メモリカード記録装置及び再生装置の実施形態）

(半导体存储卡记录装置及再生装置的实施方式 ) - 中国語 特許翻訳例文集

敬慕の気持ちを抱いてこの模範労働者を訪問した．

怀着仰慕的心情拜访了这位劳动模范。 - 白水社 中国語辞典

ステップS22において、携帯電話機11は、鳴動着信音の鳴動を停止させるか否かを判定する。

在步骤 S22处，移动电话 11确定是否停止响铃铃声的响铃。 - 中国語 特許翻訳例文集

奴隷制度反対運動と女性の権利運動の関係に関する研究

关于反奴隶制度运动和女权主义运动之间关系的研究 - 中国語会話例文集

来期も契約を更新した方がいいかどうかは、判断が難しいところです。

是否下一季度也更新契约比较好，现在很难判断。 - 中国語会話例文集

他の実施形態では、マイクロリング1302の内側の半導体基板にn型半導体領域1306を形成し、マイクロリング1302の外側を囲む半導体基板にp型半導体領域1308及び1310を形成することによってドーパントを逆にすることができる。

在其他实施例中，可以通过在微环 1302的半导体衬底内部形成 n型半导体区域 1306并且在包围微环 1302外面的半导体衬底中形成 p型半导体区域 1308和 1310来反转这些掺杂剂。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、回路ブロック200は半導体基板SUB2Aに積層された異なる半導体基板SUB2Bにアレイ状に敷き詰められて形成されている。

在半导体基底 SUB2A上层叠的不同半导体基底 SUB2B上以阵列布置电路块 200。 - 中国語 特許翻訳例文集

刑事判決は被告人が有罪か無罪か，刑罰に処すべきかどうか…などの問題を確定することである．

刑事判决在于确定被告人是否犯罪、应否处刑…等问题。 - 白水社 中国語辞典

典型的には、送信側の半導体チップ103Bと受信側の半導体チップ203B_1で1つ目の通信対が形成され、同じ送信側の半導体チップ103Bと別の受信側の半導体チップ203B_2で2つ目の通信対が形成され、1つの送信側の半導体チップ103Bから2つの受信側の半導体チップ203B_1，203B_2に同報（一斉）通信を行なうものである。

典型地，从传输侧的半导体芯片 103B和接收侧的半导体芯片 203B_1形成第一通信对，并且从传输侧的半导体芯片 103B和接收侧的半导体芯片 203B_2形成第二通信对。 因此，从传输侧的半导体芯片 103B到接收侧的半导体芯片 203B_1和 203B_2执行广播或同时通信。 - 中国語 特許翻訳例文集

受光領域54において、p型半導体領域35をも形成しない構成とすることもできる。

光接收区域 54可以被配置成不具有在其内形成的 P型半导体区域 35。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、本発明の他の側面による半導体装置は、上記受信回路が半導体基板上に形成されている。

另外，本发明的另一方面的半导体装置，在半导体基板上形成有上述接收电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

復号された出力485を使用して、動的スカラ計算回路497は、まず、スケーリング係数403およびスケーリング係数407の値が更新されるべきかどうかを判断する。

使用经解码的输出 485，动态标量计算电路 497首先确定是否将更新定标因子 403和定标因子 407的值。 - 中国語 特許翻訳例文集

論理レベルの設計を、半導体基板上でエッチングされ形成される準備ができている半導体回路設計に変換するために、複雑かつ強力なソフトウェアツールが利用可能である。

复杂且强大的软件工具可用于将逻辑级设计转换成准备在半导体衬底上蚀刻并形成的半导体电路设计。 - 中国語 特許翻訳例文集

本発明は、受信回路及び受信回路を半導体基板上に形成した半導体装置に関する。

本发明涉及一种接收电路及在半导体基板上形成有接收电路的半导体装置。 - 中国語 特許翻訳例文集

典型的には送信側で使用した搬送信号に同期した発振出力信号を取得する。

典型地，获取与传输侧使用的载波信号同步的振荡输出信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

（新しいものを受け入れない，または反動的立場を変えない人・勢力を指し）強固なとりで．

顽固保垒((成語)) - 白水社 中国語辞典

同期ハイブリッド自動反復要求（HARQ）送信では、HARQ処理識別子（ID）とシステム時間との間に固定された関係がある。

在同步混合自动重复请求 (HARQ)发射中，HARQ过程识别符 (ID)与系统时间之间存在固定关系。 - 中国語 特許翻訳例文集

判定部23は、第2の実施形態に係る再送制御部16と同様に、無線通信端末の移動速度と、回線品質測定部25で計算された回線品質変動情報に基づいて、HARQ方式の動作モードを選択する。

与第 2实施方式的选择部 16a相同，选择部 23a根据无线通信终端的移动速度和由线路质量测量部 25计算的线路质量变动信息，选择 HARQ方式的工作模式。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1の実施形態と同様、第2の実施形態においても、顔向き導出部172は、顔画像のピッチ角およびヨー角を導出し、特徴量導出部476は、ピッチ角が＋15°〜15°の範囲であり、ヨー角が＋30°〜−30°の範囲外にある場合には特徴量を導出しない。

与第 1实施方式同样，在第 2实施方式中也是脸部朝向导出部 172导出脸部图像的俯仰角和偏向角，特征量导出部 476在俯仰角为 +15°～ -15°的范围、偏向角为+30°～ -30°的范围之外时不导出特征量。 - 中国語 特許翻訳例文集

2． 前記モビリティ動作が、ハンドオーバーである、実施形態1におけるような方法。

2.根据实施例 1所述的方法，其中所述移动性操作是切换。 - 中国語 特許翻訳例文集

10． 前記モビリティ動作が、ハンドオーバーである、実施形態9におけるようなWTRU。

10.根据实施例 9所述的 WTRU，其中所述移动性操作是切换。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図2】上記両面同時読取装置の搬送系の概略構成を示す断面図である。

图 2是两面同时读取设备的输送系统的示意性截面图。 - 中国語 特許翻訳例文集

絶縁膜15上のゲート電極2上には、半導体活性層8が島状に形成されている。

在绝缘膜 15上方、各个栅极 2上形成岛状的半导体有源层 8。 - 中国語 特許翻訳例文集

各半導体層21上には、それぞれ個別に上部電極22が形成されている。

在各半导体层21上形成各自的上部电极22。 - 中国語 特許翻訳例文集

絶縁膜15上のゲート電極2上には、半導体活性層8が島状に形成されている。

在绝缘膜 15上方的各栅极 2上形成岛形的半导体有源层 8。 - 中国語 特許翻訳例文集

プロセス950は、ステップ955において、モバイルデバイス111が既知の障害があるロケーション中にあるかどうかを判断し、モバイルデバイス111が問題がある信号を経験しているように見えるかどうかを判断する。

过程 950确定移动装置 111是否处于已知的易出故障位置且移动装置 111是否看起来正经历有问题的信号 (步骤 955)。 - 中国語 特許翻訳例文集

より詳細には、再生装置のスロット（図示せず）に半導体メモリーカードが挿入されると、半導体メモリーカードI/Fを経由して再生装置と半導体メモリーカードが電気的に接続される。

更详细地讲，如果在再生装置的插槽 (未图示 )中插入半导体存储卡，则经由半导体存储卡 I/F将再生装置与半导体存储卡电气地连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図8】本発明の模範的な一実施形態による情報処理／コンピュータ・システムの典型的なハードウェア構成を示す図である。

图 8说明根据本发明的示例性实施例的信息处理 /计算机系统的典型硬件配置； - 中国語 特許翻訳例文集

【図16】本発明の好適な実施の形態による10Mbpsの無線移動通信システムにおける典型的な受信可能範囲を示す図である。

图 16举例说明了按照本发明优选实施例的 10Mbps无线移动通信系统的示范覆盖范围； - 中国語 特許翻訳例文集

【図17】本発明の好適な実施の形態による6Mbpsの無線移動通信システムにおける典型的な受信可能範囲を示す図である。

图 17举例说明了按照本发明优选实施例的 6Mbps无线移动通信系统的示范覆盖范围； - 中国語 特許翻訳例文集

図15aは、パラメータが変化したかどうかを判断するためのテスト（ステップ405）を含む、図14aに示す上記の実施形態の代替を示す。

图 15a说明图 14a中所示的前述实施例的替代方案，其包含测试 (步骤 405)以确定任一参数是否已改变。 - 中国語 特許翻訳例文集

次に、この検知処理の結果から、画像形成装置11からの一定距離内に人がいるかどうかを判定する（S13、処理a2）。

接着，根据该检测处理结果，判定距图像形成装置 11的一定距离内是否有人(S13，处理 a2)。 - 中国語 特許翻訳例文集

プロセス650は、ステップ652において、モバイルデバイス111が問題がある状況を経験しているように見えるかどうかを判断する。

过程 650确定移动装置 111是否看起来正经历有问题的情形 (步骤 652)。 - 中国語 特許翻訳例文集

水平走査部12や垂直走査部14などの駆動制御部7の各要素は、画素アレイ部10とともに、半導体集積回路製造技術と同様の技術を用いて単結晶シリコンなどの半導体領域に一体的に形成されたいわゆる1チップもの（同一の半導体基板上に設けられているもの）として、本実施形態の固体撮像装置1が構成される。

根据本实施例的固态成像器件 1以单芯片器件 (提供在同一半导体衬底上 )的形式构成，其中在单晶硅或其他半导体区域中使用与半导体集成电路制造技术相同的技术而集成地形成驱动控制部件 7的各个组件 (如水平和垂直扫描部件 12和 14)与像素阵列部件 10。 - 中国語 特許翻訳例文集

まず、前述した第1の実施の形態と同様に、同期ヘッダが破損しているか否かを判定し（S101）、前後のブロックの同期ヘッダから、当該ブロックの同期ヘッダを推測可能か否かを判定し（S102）、中間ブロックの同期ヘッダを、推測された値に訂正する（S103）。

首先，和上述的第一实施方式相同，判定同步头是否已损坏 (S101)，判定能否从前后块的同步头推测该块的同步头 (S102)，将中间块的同步头纠正为推测出的值 (S103)。 - 中国語 特許翻訳例文集

たとえば第1の半導体基板SUB1に形成された複数の画素DPXと第2の半導体基板SUB2に形成された複数のセンス回路121がそれぞれ1対1で対向するように積層される。

例如，以这样的方式执行层叠，使得在第一半导体基底 SUB 1上形成的多个数字像素 DPX一对一地面对在第二半导体基底 SUB2上形成的多个感测电路 121。 - 中国語 特許翻訳例文集

同期コードデテクタ26が同期コードを検出している場合、CCU判定制御部54は、3．7G系の高クロック信号に同期したと判断する。

如果同步代码检测器 26检测到同步代码，则 CCU判断控制器 54判定恢复时钟信号与 3.7GHz高比特率时钟信号同步。 - 中国語 特許翻訳例文集

同期コードデテクタ26が同期コードを検出していない場合、CCU判定制御部54は、3．7G系の高クロック信号への同期確認回数を判断する（ステップST24）。

如果同步代码检测器 26没有检测到同步代码，则 CCU判断控制器 54判定确认与3.7GHz高比特率时钟信号同步的次数 (步骤 ST24)。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図11】図10の携帯電話機の第2の筐体が第1の筐体に対して反時計方向へ90度回動した状態の概略正面図である。

图 11是图 10的携带电话机的第二框体相对于第一框体向逆时针方向转动了 90度的状态的简要主视图； - 中国語 特許翻訳例文集

【図18】図17の携帯電話機の第2の筐体が第1の筐体に対して反時計方向へ90度回動した状態の概略正面図である。

图 18是图 17的携带电话机的第二框体相对于第一框体向逆时针方向转动了 90度的状态的简要主视图； - 中国語 特許翻訳例文集

半導体回路の設計が完了すると、結果として得られる（Opus、GDSIIなどの）標準化された電子フォーマットの形の設計を製造のために半導体加工施設すなわち「fab」へ送ることができる。

一旦已完成半导体电路的设计，就可以将结果得到的设计以标准化电子格式 (例如 Opus、GDSII等等 )传输到半导体制造设施或“工厂 (fab)”以便制造。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、「CMOS」に含まれる「金属酸化物半導体」という用語は、従来は、半導体に形成される酸化物材料に金属ゲートが形成された電界効果トランジスタの物理構造のことを示す。

例如，术语“CMOS”中的短语“金属氧化物半导体”传统上可以表示在氧化物材料上形成金属栅极的场效应晶体管的物理结构，其形成于半导体上。 - 中国語 特許翻訳例文集