「ぐらんどでんい」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

伝統的なビーフグーラッシュをだすレストランをどこか知らない？

你知道哪里有买传统匈牙利汤的餐馆吗？ - 中国語会話例文集

図21において、基準電圧駆動回路群8dは、基準電圧線Vref1を駆動するために電源77との間に直列接続されたPMOSトランジスタ75，76と、基準電圧線Vref3を駆動するためにグランドとの間に直列接続されたNMOSトランジスタ78，79とを備えている。

图 21中，基准电压驱动电路组 8d具有用于驱动基准电压线 Vref1而串联连接于与电源 77之间的 PMOS晶体管 75、76、为了驱动基准电压线 Vref3而串联连接于与电路接地端之间的 NMOS晶体管 78、79。 - 中国語 特許翻訳例文集

支持部材23にはグランド接続部29を備えており、グランドプレート30とグランドプレート30のビス止め部31を介して、不図示の回路基板15のグランドパターン部とをビスで固定することで電気的に接続される。

支撑构件 23包括接地部 29。 利用螺钉经由接地板 30和接地板 30的螺钉安装部 31将接地部 29固定至电路板 15的接地图案部 (未示出 )，使得支撑构件 23被电连接到电路板 15的接地图案部。 - 中国語 特許翻訳例文集

RFトランシーバ508は、周波数偏移、受信したRFシグナルのベースバンドへの変換、およびベースバンド伝送シグナルのRFへの変換を提供する。

RF收发器 508提供： - 中国語 特許翻訳例文集

支持部材23はグランドプレート30と電気的に接続されているため、回路基板15に静電気が回り込むことを防止できる。

由于支撑构件 23被电连接至接地板 30，所以能够防止静电流入电路板 15。 - 中国語 特許翻訳例文集

図14において、各基準電圧駆動回路19bは、同じ構成であって、1本の基準電圧線11bである基準電圧線Vrefとグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ30，31で構成されている。

图 14中，各基准电压驱动电路 19b的构成相同，包括串联连接于作为 1条基准电压线 11b的基准电压线 Vref与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 30、31。 - 中国語 特許翻訳例文集

各スイッチSW1−1〜SW1−xの端子aにそれぞれ基準電位VSS、たとえばグランドGNDに接続された電流源I1−1〜I1−xが接続されている。

连接到地 GND的基准电势 VSS，例如电流源 I1-1至 I1-x，分别连接至开关 SW1-1至 SW1-x的端子 a。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、その駆動タイミングと駆動トランジスタN2の電位状態の変化は、前述した図15及び図16を参考に説明する。

将参考上面图 15A至 15E和图 16A至 16E说明所述驱动晶体管 N2的驱动时序和电位状态的变化。 - 中国語 特許翻訳例文集

各基準電圧駆動回路19aは、同じ構成であって、3本の基準電圧線11aを、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3と呼ぶことにすると、基準電圧線Vref1とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ30，31と、基準電圧線Vref2とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ33，34と、基準電圧線Vref3とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ35，36とで構成されている。

各基准电压驱动电路 19a为相同构成，如果将 3条基准电压线 11a称作基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3，则包括串联连接于基准电压线 Vref1与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管30、31、串联连接于基准电压线 Vref2与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 33、34、串联连接于基准电压线 Vre3与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 35、36。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、このサンプリングトランジスタN1のオン動作に同期して、信号線DTLには初期化電位Vofs_Hが印加される。

与所述采样晶体管 N1的导通操作同步地将所述初始化电位 Vofs_H施加给信号线 DTL。 - 中国語 特許翻訳例文集

同様に、RFIDタグの電気コネクタ254A及び254Bはそれぞれのトランシーバ側の相手30A及び30Bと電気的に接続し、よってRICチップ280とトランシーバ回路90の間の電気的接続が確立される。

同样，RFID标签电触点 254A、254B电连接到其收发机对应方 30A、30B，由此建立 RIC芯片 280和收发机电路 90之间的电连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

ランプ駆動部119は、ランプ110を点灯するために高電圧を発生して放電経路を形成するイグナイター回路（図示せず）と、点灯後の安定した点灯状態を維持するためのバラスト回路（図示せず）とを備えている。

灯驱动部 119具备产生用于点亮灯 110的高电压并形成放电路径的点火电路 (未图示 )和用于维持点亮后的稳定的点亮状态的镇流电路 (未图示 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体的には、超高圧水銀ランプ500における消費電力を調節することで輝度が制御される。

具体地，通过调节超高压水银灯500中的消耗功率来控制辉度。 - 中国語 特許翻訳例文集

各スイッチSW2−1〜SW2−yの端子aにそれぞれグランドGNDに接続された電流源I2−1〜I2−yが接続されている。

连接到地 GND的电流源 I2-1至 I2-y分别连接至开关 SW2-1至 SW2-y的端子 a。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、基準電圧線Vref3を駆動するNMOSトランジスタ78，79のうち、基準電圧線Vref3にドレイン端子が接続されるNMOSトランジスタ78のゲート端子には、列選択信号が入力され、NMOSトランジスタ78のソース端子とグランドとの間に介在するNMOSトランジスタ79のゲート端子は、電源77に接続されている。

另外，驱动基准电压线 Vref3的 NMOS晶体管 78、79中漏极端子与基准电压线Vref3连接的 NMOS晶体管 78的栅极端子被输入列选择信号，处于 NMOS晶体管 78的源极端子与电路接地端之间的 NMOS晶体管 79的栅极端子与电源 77连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

基準電圧線Vref1を駆動するPMOSトランジスタ75，76のうち、電源77にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ75のゲート端子は、グランドに接続され、PMOSトランジスタ75のドレイン端子と基準電圧線Vref1との間に介在するPMOSトランジスタ76のゲート端子には、論理を反転した列選択信号（／列選択信号）が入力される。

驱动基准电压线 Vref1的 PMOS晶体管 75、76中源极端子连接到电源 77的 PMOS晶体管 75的栅极端子与电路接地端连接，处于 PMOS晶体管 75的漏极端子与基准电压线Vref1之间的 PMOS晶体管 76的栅极端子被输入反转了逻辑的列选择信号 (/列选择信号 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

このように構成することで、電源用端子孔101に電源用端子251a、グランド用端子孔102にグランド用端子252aを挿入するように、チューナユニット2AをTV基板1に装着したときのみ、他の接続端子もそれぞれ対応する端子孔に正しく挿入される。

通过该配置，只有当调谐器单元 2A安装在 TV板 1上且电源端子 251a被插入电源端子孔 101同时接地端子 252a被插入接地端子孔 102时，其余连接端子才被正确地插入相应的端子孔中。 - 中国語 特許翻訳例文集

マルチプレクシング方法は、8個のノードBアンテナから伝送された信号の受信能力を有するUEによりランダムに決定されてもよく、または、サービングノードBからブロードキャストチャンネルの1ビットを利用してシグナリングされる。

复用方法可以由具有接收从八个节点 B天线发射的信号的能力的 UE盲 (blindly)确定或者可以在来自服务节点 B的广播信道中使用 1比特来发信令告知。 - 中国語 特許翻訳例文集

リセットトランジスタ36は、ソースがフローティングディフュージョン38に、ドレインがリセット電源Vrd（通常はアナログ用の電源Vdd＝AVDD）と共通にする）にそれぞれ接続される。

复位晶体管 36使其源极连接到浮动扩散 38，且使其漏极连接到复位电源 Vrd(通常也用作模拟电源 Vdd＝ AVDD)。 - 中国語 特許翻訳例文集

垂直信号線122に接続された全ての画素の選択トランジスタ25をオフした状態（選択パルスSELが低レベルの状態）で、負荷トランジスタ31をスイッチング駆動するスイッチングパルスLOADをアクティブ（例えば、電源電圧Vdd）とする。

当被连接到垂直信号线的全部像素的选择晶体管 25被关断时 (当选择晶体管处于低电平时 )，用于对开关负载晶体管 31进行开关的开关脉冲 LOAD被激活 (例如，电源电压 Vdd)。 - 中国語 特許翻訳例文集

伝統的な有形物品に加えて、最近ではグーグル、ツイッター、フェイスブックといったインターネット無償サービスへのブランドロイヤルティが強くなって来ていると言われている。

除了传统的有形物品，最近对谷歌、推特、脸书之类的网络免费服务的品牌忠诚度也在上升。 - 中国語会話例文集

ユーザ装置からのサウンディング、ランダム・アクセス、または他のタイプのアップリンク伝送の解析などのアップリンク伝送条件の推定により、アンテナ・ビーム・インジケータの使用が可能になる。

通过估计上行链路发射条件 (诸如分析来自用户设备的探测、随机接入或者其它类型的上行链路发射 )使天线波束指示符的使用变得可能。 - 中国語 特許翻訳例文集

転送トランジスタ（以下転送Trと呼ぶ）302a〜302c はフォトダイオードに蓄積された光信号電荷をフローティングディフフュージョンに転送し、フォトダオード（以下、PD）303a〜303cは光電変換素子である。

传送晶体管 (下文中简称为传送 Tr)302a至 302c将累积在 PD303a至 PD 303c上的光信号电荷传送到浮动扩散 (下文中简称为 FD)304a至 304c，并且 PD 303a至 PD 303c是光电转换元件。 - 中国語 特許翻訳例文集

この電圧設定回路631は、タイミング制御回路200からの維持制御信号に基づいて、そのドレイン側の基準電流線601とソース側の負荷トランジスタゲート線632との間を接続する。

电压设置电路 631基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号，将在其漏极侧的参考电流线 601和其源极侧的负载晶体管栅极线 632连接到一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

このような、アナログ出力用の接続端子が省略されているチューナユニットであっても、のこりの接続端子（電源、グランド、I2C、IF、TS）を端子孔と正確に対応させることで、TV基板1に取り付けることができる。

没有用于模拟输出的连接端子的调谐器单元仍可安装在 TV板1上，只要其余连接端子 (电源、接地、I2C、IF和 TS)恰当地与端子孔配合。 - 中国語 特許翻訳例文集

ランプDAC171は、アナログ信号読み出しおよびAD変換期間中にノイズ発生源である内部電圧生成回路180からサンプルホールド回路190により電気的に切り離される。

以此方式，在模拟信号被读出及 A-D转换时，由采样 /保持电路 190将斜坡 DAC 171与作为噪声源的内部电压生成电路 180电隔离，并防止噪声进入 DAC和 ADC。 - 中国語 特許翻訳例文集

選択トランジスタ56は、タイミング制御部26から供給される駆動信号SELに従って、増幅トランジスタ55からの電圧信号の垂直信号線57への出力をオン／オフする。

选择晶体管 56根据从时序控制部分 26提供的驱动信号 SEL，接通 /切断从放大晶体管 55到垂直信号线 57的电压信号的输出。 - 中国語 特許翻訳例文集

転送トランジスタ22のゲート電極に供給する電圧をVtrg1，Vtrg2，Vtrg3，Vtrg4とした場合において、アドレス信号ADRによって行が選択された際に、タイミング信号PTRG1，PTRG2，PTRG3によって、それぞれに対応する電圧Vtrg1，Vtrg2，Vtrg3を供給し、それ以外は電圧Vtrg4を供給する。

在将被供应到转移晶体管 22的栅电极的电压为 Vtrg1、Vtrg2、Vtrg3和 Vtrg4的情形中，当通过地址信号 ADR选定行时，根据时序信号 PTRG1、PTRG2和 PTRG3，对应于各个时序信号的电压Vtrg1、Vtrg2和 Vtrg3被供应，而电压 Vtrg4被供应到其它行。 - 中国語 特許翻訳例文集

画素部3内の全ての通常画素22［22R，22G，22B］は、第2リセットトランジスタTr16のゲート電極（OFG）43にリセットパルスを印加することで、完全電荷排出によるグローバルリセット動作が行われる。

当向第二复位晶体管 Tr16的溢出栅极电极 (OFG)43施加复位脉冲时，像素部 3中的全部像素 22(22R、22G和 22B)进行通过完全排出电荷而实现的全局复位操作。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、転送トランジスタ412は、そのゲート端子が電荷転送線331および332に接続され、そのドレイン端子がフローティングディフュージョンFDを介してリセットトランジスタ413のソース端子と増幅トランジスタ414のゲート端子とに接続される。

此外，传输晶体管 412使其栅极端子连接到电荷传输线 331和 332，并且经由浮动扩散 FD使其漏极端子连接到复位晶体管 413的源极端子和放大晶体管 414的栅极端子。 - 中国語 特許翻訳例文集

コンピュータ可読媒体は、ランダムアクセスメモリ（RAM）、同期ダイナミックランダムアクセスメモリ（SDRAM）、読取り専用メモリ（ROM）、不揮発性ランダムアクセスメモリ（NVRAM）、電気消去可能プログラマブル読取り専用メモリ（EEPROM）、フラッシュメモリ、磁気または光学データ記憶媒体などのコンピュータデータ記憶媒体を備えることができる。

计算机可读媒体可包含计算机数据存储媒体，例如随机存取存储器 (RAM)、同步动态随机存取存储器 (SDRAM)、只读存储器 (ROM)、非易失性随机存取存储器 (NVRAM)、电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)、快闪存储器、磁性或光学数据存储媒体等。 - 中国語 特許翻訳例文集

セレクタ181は、第1入力が各スイッチSW0〜SWNの出力端子に接続され、第2入力が基準電位、たとえばグランドGNDに接続されている。

选择器 181具有连接至开关 SW0～ SWN的输出端的第一输入、以及连接至例如地GND的参照电势的第二输入。 - 中国語 特許翻訳例文集

M個のスイッチトランジスタ12の各ドレイン端子はバイアス電圧生成回路5の出力端子に並列に接続され、各ゲート端子はタイミング制御回路10が制御する電圧制御線13に並列に接続されている。

M个开关晶体管 12的各漏极端子并联地连接在偏压生成电路 5的输出端子上，各栅极端子并联地连接在定时控制电路 10所控制的电压控制线 13上。 - 中国語 特許翻訳例文集

その後、第1実施の形態で説明したと同様に、1画素行毎に読み出しトランジスタTr12がオン状態となり、通常画素22の合算信号電荷（eS1＋eM1＋eM2）がフローティングディフージョン部（FD）37へ読み出される。

此后，如第一实施例的前述说明中所述的那样逐个像素行地接通读晶体管 Tr12，使普通像素 22的合并信号电荷 eS1+eM1+eM2被读出到浮动扩散部 (FD)37。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、本実施形態の固体撮像素子100は、黒化検出用クランプ電圧を、AD変換用参照信号の傾きを決める量子化ビット数、アナログゲイン、カラムAD回路カウンタ動作部の周波数などに連動して変化させる。

根据实施例的固态成像装置 100与确定用于 AD转换的参照信号的斜率的量化比特的数目、模拟增益、列 AD电路中计数器部分的频率等相关联地改变黑化检测钳制电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

用語メモリは、ランダムアクセスメモリ（RAM）、読み出し専用メモリ（ROM）、不揮発性ランダムアクセスメモリ（NVRAM）、プログラマブル読取専用メモリ（PROM）、消去可能プログラマブル読取専用メモリ（EPROM）、電気的消去可能PROM（EEPROM）、フラッシュメモリ、磁気または光学のデータストレージ、レジスタなどのような様々なタイプのプロセッサ可読媒体を指すことができる。

术语存储器可以指代各种处理器可读介质，例如，随机存取存储器 (RAM)、只读存储器 (ROM)、非易失性随机存取存储器 (NVRAM)、可编程只读存储器 (PROM)、可擦可编程只读存储器 (EPROM)、电可擦 PROM(EEPROM)、闪存存储器、磁性或光学数据存储设备、寄存器等。 - 中国語 特許翻訳例文集

コンピュータ可読媒体は、ランダムアクセスメモリ（RAM）、シンクロナスダイナミックランダムアクセスメモリ（SDRAM）、読取り専用メモリ（ROM）、不揮発性ランダムアクセスメモリ（NVRAM）、電気消去可能プログラマブル読取り専用メモリ（EEPROM）、フラッシュメモリ、磁気または光学データ記憶媒体などのコンピュータデータ記憶媒体を備えることができる。

计算机可读媒体可包含计算机数据存储媒体，例如，随机存取存储器 (RAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、只读存储器 (ROM)、非易失性随机存取存储器 (NVRAM)、电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)、快闪存储器、磁性或光学数据存储媒体等。 - 中国語 特許翻訳例文集

次の1水平走査期間では、再び、変換領域103−1、103−2の電圧がリセットされた後、今度は、転送トランジスタ102−2、102−4がオン状態にされて、偶数行の光信号が読み出される。

在下一个水平扫描时间周期中，转换区域 103-1和 103-2的电压被再次复位，在接下来传输晶体管 102-2和 102-4接通时，偶数行内的光信号然后被读取。 - 中国語 特許翻訳例文集

増幅用トランジスタ42は、ゲートがフローティングディフュージョン38に接続され、ドレインが電源Vddに、ソースは垂直選択用トランジスタ40を介して画素線51に接続され、さらに垂直信号線19に接続されるようになっている。

放大晶体管 42使其栅极连接到浮动扩散 38，使其漏极连接到电源 Vdd，且使其源极经由垂直选择晶体管 40连接到像素线 51，并进一步连接到垂直信号线 19。 - 中国語 特許翻訳例文集

給電点425Aおよび425Bは、50オームインピーダンスの同軸ケーブルを介してトランシーバへ、マッチングコンポーネントを必要とすることなく受容的に接続されることが可能である。

馈点 425A和 425B可以通过 50欧姆阻抗的同轴电缆可接受地连接至收发器，而无需匹配组件。 - 中国語 特許翻訳例文集

ソフトウェアモジュール、ランダムアクセスメモリ（RAM）、フラッシュメモリ、読み出し専用メモリ、電子的プログラマバルROM（EPROM）、電子的消去可能プログラマブルROM（EEPROM）、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、CD−ROM、あるいは当技術分野において知られている記憶媒体のいずれの他の形態、において存在することができる。

软件模块可以位于随机存取存储器 (RAM)、闪存、只读存储器 (ROM)、电可编程 ROM(EPROM)、电可擦写 PROM(EEPROM)、寄存器、硬盘、移动磁盘、CD-ROM或者本领域已知的任何其它形式的存储介质中。 - 中国語 特許翻訳例文集

供給電圧制御回路13は、垂直走査回路12で選択走査された行を駆動するアドレス信号ADRを入力とし、電圧供給回路14から供給される複数の第1制御電圧、例えば4つの電圧Vtrg1，Vtrg2，Vtrg3，Vtrg4（Vtrg1＞Vtrg2＞Vtrg3＞Vtrg4）のうちの1つを、タイミング発生回路15から供給されるタイミング信号PTRG1，PTRG2，PTRG3を基に選択して単位画素20内の転送トランジスタ22のゲート電極に供給する。

供应电压控制电路 13利用地址信号 ADR作为输入，其驱动由垂直扫描电路 12选定和扫描的行，并且通过基于从时序发生器电路 15供应的时序信号 PTRG1、PTRG2、PTRG3选定电压，向单元像素 20中的转移晶体管 22的栅电极供应从电压供应电路 14供应的多个第一控制电压中的一个电压，所述多个第一控制电压例如为四个电压 Vtrg1、Vtrg2、Vtrg3和Vtrg4(Vtrg1＞ Vtrg2＞ Vtrg3＞ Vtrg4)。 - 中国語 特許翻訳例文集

ソフトウェアモジュールは、ランダムアクセスメモリ（RAM）、フラッシュメモリ、読取り専用メモリ（ROM）、電気的プログラマブルROM（EPROM）、電気的消去可能なプログラマブルROM（EEPROM）、レジスタ、ハードディスク、取外し可能ディスク、CD−ROM、または当技術分野で知られている任意の他の形態の記憶媒体内に存在してもよい。

软件模块可驻留于随机存取存储器 (RAM)、快闪存储器、只读存储器 (ROM)、电可编程 ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、寄存器、硬盘、可装卸磁盘、CD-ROM或此项技术中已知的任何其它形式的存储媒体中。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、毎秒30フレームであれば1／30秒、毎秒60フレームであれば1／60秒といった基準となる露光時間Tsで飽和電子数Qsに達する入射光強度を仮定し、転送トランジスタ22の制御電極に電圧Vtrgを供給するタイミングTiにおける、蓄積電子数Neiを見積もる。

例如，当入射光强度被假定为在该入射光强度下电子数量在标准的曝光时间 Ts内 (诸如，当 30帧 /秒时 1/30秒，当 60帧 /秒时 1/60秒 )达到饱和电子数量Qs，则当电压 Vtrg被供应到转移晶体管 22的控制电极时的定时 Ti的存储电子的数量 Nei被估计。 - 中国語 特許翻訳例文集

もちろん、そのような単一の一方向命令変換器は、電気器具を操作するためにTX回路33AおよびLED13Aだけを、または電気器具から状態またはデータを受信するためにRX回路32Aおよびフォトダイオードまたはフォトトランジスタ12Aだけを持ち、さらに、図8Aに示された端子を通して有線ネットワークに接続される。

当然，这种单个单向命令转换器将仅具有用于操作设备的 TX电路 33A和 LED 13A，或者仅具有用于接收来自设备的状态或数据的 RX电路 32A和光电二极管或光电晶体管 12A，并且它们通过图 8A中所示的端子连接到其有线网络。 - 中国語 特許翻訳例文集

ソフトウェアモジュールは、ランダムアクセスメモリ（RAM）、フラッシュメモリ、読み取り専用メモリ（ROM）、電気的にプログラム可能なROM（EPROM）、電気的に消去可能でプログラム可能なROM（EEPROM）、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、CD−ROM、または当該技術で周知の任意の他の形態の記憶媒体の中に存在することもできる。

软件模块可驻存在随机存取存储器 (RAM)、快闪存储器、只读存储器 (ROM)、电可编程 ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、寄存器、硬磁盘、可装卸磁盘、CD-ROM或此项技术中已知的任何其它形式的存储媒体中。 - 中国語 特許翻訳例文集

一実施形態例において、(技術上「RFIDトランスポンダー」とも称される)RFIDタグ250は、ネットワーク装置の装着または保守を行っている人間(例えば作業者)がその過程でRFIDタグを選択的に起動できるように、RFIDアンテナを電気的に接続／切断及び起動／停止させるスイッチ(例えば押しボタン式スイッチ)260(図3及び図4)を有する。

在一示例性实施例中，RFID标签 250(在本领域内也称为“RFID应答器”)包括开关 (例如按钮式开关 )260(图 3和图 4)，该开关 260电连接 /断开并激活/禁用 RFID天线以使安装或维护网络设备的人员 (例如技工 )能在该过程中有选择地激活RFID标签。 - 中国語 特許翻訳例文集

機械読取可能媒体は、事例として、RAM（ランダムアクセスメモリ）、フラッシュメモリ、ROM（リードオンリーメモリ）、PROM（プログラム可能リードオンリーメモリ）、EPROM（消去可能プログラム可能リードオンリーメモリ）、EEPROM（電気的消去可能プログラム可能リードオンリーメモリ）、レジスタ、磁気ディスク、光ディスク、ハードドライブ、または他の何らかの適した記憶媒体、あるいはこれらの任意の組み合わせを含んでもよい。

机器可读媒体可包括 (举例来说 )RAM(随机存取存储器 )、快闪存储器、ROM(只读存储器 )、PROM(可编程只读存储器 )、EPROM(可擦除可编程只读存储器 )、EEPROM(电可擦除可编程只读存储器 )、寄存器、磁盘、光盘、硬盘驱动器，或任何其它合适的存储媒体，或其任何组合。 - 中国語 特許翻訳例文集

図3に示すようにTV基板1の端子孔は左から、電源用端子孔101、グランド用端子孔102、I2Cバス用端子孔103、104、アナログ映像信号（CVBS）用端子孔105、音声中間周波（SIF）信号用端子孔106、中間周波（IF）信号用端子孔107、トランスポートストリーム（TS）信号用端子孔108である。

如图 3中所示，TV板 1的端子孔 10包括电源端子孔 101、接地端子孔 102、I2C总线端子孔 103和 104、模拟信号视频(CVBS)端子孔 105、声音中频 (SIF)信号端子孔 106、中频 (IF)信号端子孔 107、以及传输流 (TS)信号端子孔 108，它们从左侧起按所述次序排列。 - 中国語 特許翻訳例文集

コンピュータ読取可能媒体は、例によれば、RAM（ランダム・アクセス・メモリ）、フラッシュ・メモリ、ROM（リード・オンリー・メモリ）、PROM（プログラマブル・リード・オンリー・メモリ）、EPROM（消去可能プログラマブル・リード・オンリー・メモリ）、EEPROM（電気的消去可能プログラマブル・リード・オンリー・メモリ）、レジスタ、磁気ディスク、光ディスク、ハード・ドライブ、またはその他任意の適切な記憶媒体、あるいはこれら任意の組み合わせを含みうる。

作为实例，计算机可读媒体可包括 RAM(随机存取存储器 )、快闪存储器、ROM(只读存储器 )、PROM(可编程只读存储器 )、EPROM(可擦除可编程只读存储器 )、EEPROM(电可擦除可编程只读存储器 )、寄存器、磁盘、光盘、硬盘驱动器或任何其它适合的存储媒体，或其任何组合。 - 中国語 特許翻訳例文集