「けい化物」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

例えば、「CMOS」に含まれる「金属酸化物半導体」という用語は、従来は、半導体に形成される酸化物材料に金属ゲートが形成された電界効果トランジスタの物理構造のことを示す。

例如，术语“CMOS”中的短语“金属氧化物半导体”传统上可以表示在氧化物材料上形成金属栅极的场效应晶体管的物理结构，其形成于半导体上。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかし新興している半導体技術では、従来の金属、酸化物、および半導体以外の材料を利用して同様のデバイスを形成できることもあり、これらの物理構造も慣習上または商業取引上、同様にCMOSデバイスと称される場合がある。

除了传统金属、氧化物和半导体之外的材料可以用于以新兴的半导体技术形成类似的器件，然而此类物理结构仍旧可以按照传统或商业使用而称为 CMOS器件。 - 中国語 特許翻訳例文集

この積層構造の詳細な構成については図2では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ITO（Indium Tin Oxide）等の透明材料からなる画素電極9aが、画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。

图 2省略了该层叠构造的详细构成，该层叠构造上，包括ITO(Indium Tin Oxide，铟锡氧化物 )等的透明材料的像素电极 9a按像素以规定的图形形成岛状。 - 中国語 特許翻訳例文集

イメージセンサー110は、典型的には、電荷結合素子（CCD）または相補型金属酸化膜半導体（CMOS）アクティブピクセルセンサーであってよいが、決してこれら二つのタイプのセンサーのみに限定されない。

图像传感器 110通常可以是电荷耦合器件 (CCD)或互补金属氧化物半导体 (CMOS)有源像素传感器，但并不是就只限于这两种传感器。 - 中国語 特許翻訳例文集

もちろん、理解されるべきことであるが、前述の開示は本発明の好ましい実施形態だけに関し、また前述の開示は、開示の目的のために本明細書で選ばれた本発明の例の変化物および修正物すべてをカバーする意図であり、その修正物は、本発明の精神および範囲からの逸脱を構成しない。

前述公开仅涉及本发明的优选实施例，并且旨在覆盖在本文中为了公开的目的而选择的本发明的示例的所有改变和修改，所述修改不构成对本发明的精神和范围的脱离。 CN 10216576518 A - 中国語 特許翻訳例文集