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「けんきばいよう」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 13



血液培養で検出された

在血液培养中被检查出来。 - 中国語会話例文集

また、本発明は、上記の光学読取装置において、前記光学読取部は、前記媒体の一方の面を読み取る第1読取部と、前記媒体の他方の面を読み取る第2読取部と、を備え、前記制御部は、前記媒体検出部の検出状態、及び、前記第1読取部または前記第2読取部の読取位置のいずれかと前記光学読取部の読取位置から前記媒体検出部の検出位置までの距離に基づいて、前記第1読取部及び前記第2読取部に共通する大きさの前記読取可能範囲を設定すること、を特徴とする。

此外,本发明的特征在于,在上述的光学读取装置中,所述光学读取部包括读取所述介质的一个面的第一读取部以及读取所述介质的另一个面的第二读取部,所述控制部基于所述介质检测部的检测状态、以及从所述第一读取部或第二读取部的读取位置中的任一个读取位置至所述介质检测部的检测位置为止的距离,设定所述第一读取部和第二读取部的大小相同的所述可读取范围。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、受信装置1における各要素の配置態様(メイン基板を表側から見た場合)は、図2に示す通りである。

注意接收装置 1的各个元件的布局 (在从顶侧观看主电路板的情形下 )如图 2中所图示。 - 中国語 特許翻訳例文集

これらの構成要素は、システムバス365によってともに連結され、エンドユーザシステム370内に含有される、回路基板360上に装着される。

这些部件被系统总线365耦合到一起并且布置在终端用户系统 370中包含的电路板 360上。 - 中国語 特許翻訳例文集

尚、遮光膜23をストライプ状に形成し、該遮光膜23と、TFTアレイ基板10側に設けられたデータ線等の各種構成要素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。

另外,也可以使遮光膜 23形成条纹状,通过该遮光膜 23和在 TFT阵列基板 10侧设置的数据线等的各种构成要素,规定非开口区域。 - 中国語 特許翻訳例文集

もう一つは、特定用途向けICとして製造された駆動回路を画素アレイ部が形成された基板上に実装する表示パネルモジュールである。

另一个是被制造为特定应用的 IC的驱动电路被安装在形成像素阵列单元的基板上的显示面板模块。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、モジュール104、106、108、110のうちの幾つかは、例えば、電気バスによって通信可能に接続されるカスタムIC、特定用途向け集積回路(ASIC)であってもよい。

另外,例如,某些模块 104、106、108、110可以是由例如电气总线可通信地耦合的定制集成电路、专用集成电路(ASIC),等等。 - 中国語 特許翻訳例文集

2つのサブビーム間の相対位相シフトが0度の場合には、(2つの)サブビームは、光が出力導波路150に結合して導波回路102の基板中に放射しないように光コンバイナ140で「増長的に」干渉し、最大光強度が導波路150から出力されることになる。

如果两个子束之间的相对相移是 0度,那么子束在光学合束器 140处“相长”干涉,使得光耦合到输出波导 150中,并且基本上不会辐射到波导回路 102的衬底中,结果是从波导 150输出最大光强度。 - 中国語 特許翻訳例文集

読み出し処理部282は、例えば、ストリームの最初のパケットをタイミング規定パケットとし、その到着時刻から、「初期バッファ遅延時間」遅れた時刻を最初のパケットに付加されたタイムスタンプ値に対するデコード再生予定時刻とし、以降のパケットに関しては付加されたタイムスタンプに同期した時刻をデコード再生予定時刻として処理を行う。

读取单元 282例如将流中的第一分组设置为定时定义分组,指定从其到达时间起被延迟了“初始缓冲器延迟时间”的时间作为解码再现安排时间,用于被添加到第一分组的时间戳值,并且利用与作为解码再现安排时间的所添加时间戳同步的时间来读取后续分组。 - 中国語 特許翻訳例文集

図4に示すような典型的実施態様によれば、ライン分離インプレースを達成するために、プリンタコントローラ基板400に配置されたコプロセッサ(例えば、DSP)420を使用できる(即ち、余分な作業バッファは何ら必要ない)。

根据图 4所示的示例性实施例,位于打印机控制器板 400上的协处理器 (如DSP)420可用于实现在位行分割 (line splitting in place)(即不需要额外的工作缓冲器 )。 - 中国語 特許翻訳例文集


第1実施の形態に係る固体撮像装置31は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され,このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第一实施例的固体摄像装置 31具有其中形成有第二导电型 (例如,p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如,n型 )半导体基板 72,并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集

第2実施の形態に係る固体撮像装置61は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され,このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第二实施例的固体摄像装置 61具有其中形成有第二导电型 (例如,p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如,n型 )半导体基板 72,并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集

第3実施の形態に係る固体撮像装置63は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され,このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第三实施例的固体摄像装置 63具有其中形成有第二导电型 (例如,p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如,n型 )半导体基板 72,并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集





   

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