「しょきぎゃくでんあつ」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

破線は、基準電圧線Vref1が接続される正相内部ノードD1の電位変化であり、実線は、データ線10が接続される逆相内部ノード／D1の電位変化である。

虚线是连接有基准电压线 Vref1的正相内部节点 D1的电位变化，实线是连接有数据线 10的反相内部节点 /D1的电位变化。 - 中国語 特許翻訳例文集

破線は、基準電圧線Vref2が接続される正相内部ノードD2の電位変化であり、実線は、データ線10が接続される逆相内部ノード／D2の電位変化である。

虚线是连接有基准电压线 Vref2的正相内部节点 D2的电位变化，实线是连接有数据线 10的反相内部节点 /D2的电位变化。 - 中国語 特許翻訳例文集

破線は、基準電圧線Vref3が接続される正相内部ノードD3の電位変化であり、実線は、データ線10が接続される逆相内部ノード／D3の電位変化である。

虚线是连接有基准电压线 Vref3的正相内部节点 D3的电位变化，实线是连接有数据线 10的反相内部节点 /D3的电位变化。 - 中国語 特許翻訳例文集

逆に、中継処理ボード100の動作モードを「通常モード」に変更する場合には、装置制御部11は、待機している（電源が切られている）中継処理ボード100を「通常モード」設定で起動すればよい。

相反，在把中继处理板 100的动作模式变更为”通常模式”的情况下，装置控制部 11可以以”通常模式”设定来起动待机 (电源被切断 )的中继处理板 100。 - 中国語 特許翻訳例文集

逆に、中継処理ボード100の動作モードを「通常モード」に変更する場合には、装置制御部11は、待機している（電源が切られている）中継処理ボード100を「通常モード」設定で起動すればよい。

相反，在把中继处理板 100的动作模式变更为”通常模式”的情况下，装置控制部 11可以以”通常模式”设定来起动待机(电源被切断 )的中继处理板 100。 - 中国語 特許翻訳例文集

このとき、PMOSトランジスタ54，55がオンしているので、差動増幅回路45a，45b，45cの正相内部ノードD1，D2，D3、および逆相内部ノード／D1，／D2，／D3は、データ線10、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の対応するものが接続される。

此时，由于 PMOS晶体管 54、55导通，因此差动放大电路 45a、45b、45c的正相内部节点 D1、D2、D3和反相内部节点 /D1、/D2、/D3连接着数据线 10、基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3中所对应的基准电压线。 - 中国語 特許翻訳例文集

このとき、PMOSトランジスタ54，55がオンしているので、差動増幅回路45a，45b，45cの正相内部ノードD1，D2，D3、および逆相内部ノード／D1，／D2，／D3は、データ線10、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の対応するものが接続される。

此时，由于PMOS晶体管 54、55导通，因此差动放大电路 45a、45b、45c的正相内部节点 D1、D2、D3和反相内部节点 /D1、/D2、/D3连接着数据线 10、基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3中对应的基准电压线。 - 中国語 特許翻訳例文集

6. 前記M個の参照信号のうちの前記N個の参照信号は、逆離散フーリエ変換（IDFT）または逆高速フーリエ変換（IFFT）の入力端において、割り当てられた周波数伝送帯域に対応するサンプルポイントに直接マッピングされる、請求項2または3に記載のアップリンク参照信号生成方法。

6.根据权利要求 2或 3所述的方法，其中，所述 M个基准信号中的所述 N个基准信号被直接映射至在离散傅里叶逆变换 (IDFT)或快速傅里叶逆变换 (IFFT)的输入端处与分配的频率发送频带相对应的采样点。 - 中国語 特許翻訳例文集

ソースあるいはリペア記号のセグメント識別子は、好ましくは逆順で、ソースブロックの任意の記号を伝送する最初の物理層に比べて記号がどの物理層ブロックに伝送されるかを示すために使用されることが可能である。

可以使用源符号或修复符号的段标识符来指示相对于携带源块的任意符号的第一物理层块，该符号是在哪个物理层块中携带的，优选地以逆序。 - 中国語 特許翻訳例文集

逆相内部ノード／Dは、「差動増幅回路の一方の差動入力端」として、PMOSトランジスタ54を介してデータ線に接続され、正相内部ノードDは、「差動増幅回路の他方の差動入力端」として、PMOSトランジスタ55を介して基準電圧線Vrefに接続されている。

反相内部节点 /D作为“差动放大电路的一个差动输入端”，经由 PMOS晶体管 54与数据线连接，正相内部节点 D作为“差动放大电路的另一个差动输入端”，经由 PMOS晶体管 55与基准电压线 Vref连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

図1の実施形態において、送信器12は、逆高速フーリエ変換（IFFT）ブロック21、第1補正回路22、第1ディジタル・アナログ変換器（DAC）23、第2DAC24、第1低域フィルタ25、第2低域フィルタ26、送信局部発振器27、送信周波数合成器（シンセサイザ、synthesizer）28、送信移相器（位相シフタ、phase shifter）29、同相送信ミキサ（混合器、mixer）30、直交位相送信ミキサ31、加算器32、および電力アンプ33を含んでいる。

在图 1的实施例中，发射器 12包括逆快速傅立叶变换 (IFFT)块 21、第一校正电路22、第一数 -模转换器 (DAC)23、第二 DAC 24、第一低通滤波器 25、第二低通滤波器 26、发射本机振荡器 27、发射频率合成器 28、发射移相器 29、同相发射混频器 30、正交相位发射混频器 31、求和器 32及功率放大器 33。 - 中国語 特許翻訳例文集

逆相内部ノード／D1，／D2，／D3は、それぞれ「差動増幅回路の一方の差動入力端」として、PMOSトランジスタ54を介してデータ線に接続され、正相内部ノードD1，D2，D3は、それぞれ「差動増幅回路の他方の差動入力端」として、PMOSトランジスタ55を介して基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3に接続されている。

反相内部节点 /D1、/D2、/D3分别作为“差动放大电路的一个差动输入端”，经由 PMOS晶体管 54与数据线连接，正相内部节点 D1、D2、D3分别作为“差动放大电路的另一个差动输入端”，经由 PMOS晶体管 55与基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

逆に、少なくとも1つのノード60が、自身が比較的低い電力消費状態にある間に受け取った1以上のパケットをバッファすることができる場合には、少なくとも1つのノード60の1以上のプロセッサ12'、回路118'、および／または、NIC120'は、少なくとも部分的に、時間Tdを、BdをSuで割った値、またはTuからLlを引いた差異をSdで乗算して、Suで割った値（つまりTd＝min｛Bd，（Tu−Ll）＊Sd｝／Su）となるように設定し、ここでBdは、少なくとも1つのノード60が比較的低い電力消費状態にある間に受信する1以上のパケットのバッファ専用の1以上のバッファ22'および／または26'の格納容量等のサイズであり、Llは、1以上のリンク50の通信リンク待ち時間であり、Sdは、少なくとも1つのノード60が比較的低い電力消費状態にある間の1以上のバッファ22'および／または26'に対する期待または実際の入力パケット送信レートである。

相反地，如果在至少一个节点 60处于相对较低功耗状态时，至少一个节点 60能够缓冲由至少一个节点 60接收的一个或多个分组，那么至少一个节点 60中的一个或多个处理器 12’、电路 118’和 /或 NIC 120’可以至少部分地确定时间 Td，以使得 Td可以等于 Bd除以 Su或 Tu减去 L1之差乘以 Sd后除以 Su中的较小者 (即，Td＝ min{Bd，(Tu-L1)*Sd}/Su)，其中 Bd是专门用于缓冲在至少一个节点 60处于相对较低功耗状态时由至少一个节点60接收的一个或多个分组的一个或多个缓冲器 22’和 /或 26’的大小 (例如，存储容量 )，L1是一个或多个链路 50的通信链路恢复时延，并且 Sd是当至少一个节点 60处于相对较低功耗状态时，到一个或多个缓冲器 22’和 /或 26’的实际或期望的进入分组传输速率。 - 中国語 特許翻訳例文集

本発明のSC−FDMA送信信号形成方法は、N個の一次変調シンボルからなる一次変調信号系列を離散フーリエ変換処理することで得られた複数の周波数成分をそれぞれ異なるサブキャリアにマッピングし、得られたSC−FDMAシンボルを逆フーリエ変換処理することによりSC−FDMA送信信号を形成するSC−FDMA送信信号形成方法であって、受信側との間の伝搬路における周波数選択特性を取得するステップと、前記周波数選択特性に基づいて、前記SC−FDMAシンボルの周波数応答を調整するステップと、を具備する。

本发明的 SC-FDMA发送信号形成方法为将通过对由 N个一次调制码元构成的一次调制信号序列进行离散傅立叶变换处理所得的多个频率分量映射到互不相同的副载波，并对获得的 SC-FDMA码元进行傅立叶逆变换处理，从而形成 SC-FDMA发送信号的 SC-FDMA发送信号形成方法，该方法包括以下步骤： 获取与接收端之间的传播路径的频率选择特性； - 中国語 特許翻訳例文集