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この第2負荷電流供給回路620において、第2設定トランジスタ621は、そのゲート端子が維持制御信号線203に接続され、そのドレイン端子が第2基準電流線602に接続される。

在第二负载电流提供电路 620中,第二设置晶体管 621使其栅极端子连接到维持控制信号线 203,并且使其漏极端子连接到第二参考电流线 602。 - 中国語 特許翻訳例文集

回路ブロック134は、アドレス信号ADRとNOR回路135の出力信号とを2入力とするAND回路1341、アドレス信号ADRを一方の(否定)入力とし、AND回路1341の出力信号を他方の入力とするOR回路1342、レベルシフタ1343およびNチャネルの駆動トランジスタ1344により構成され、接地電圧よりも低い電圧Vtrg4を選択して転送トランジスタ22のゲート電極に供給する。

电路块 134包括采用地址信号 ADR和 NOR电路 135的输出作为两个输入的 AND电路 1341,采用地址信号 ADR作为一个 (负 )输入并且采用 AND电路的输出信号作为另一个输入的 OR电路 1342,电平相移器 1343以及 N-沟道驱动晶体管 1344,其选定电压 Vtrg4(所述电压 Vtrg4低地电压 )并且将其供应到转移晶体管 22的栅电极。 - 中国語 特許翻訳例文集

列回路としての負荷回路150は、画素の列配列に対応して各垂直信号線116−1〜116−nにドレインが接続され、ソースが基準電位VSSに接続された機能部としての負荷MOSトランジスタ151−1〜151−nを有する。

用作列电路的负载电路 150包括与像素列相关联的负载 MOS晶体管 151-1至151-n,负载 MOS晶体管 151-1至 151-n在其漏极分别连接至垂直信号线 116-1至 116-n,并且在其源极连接至基准电势 VSS。 - 中国語 特許翻訳例文集

寄生容量629は、第2負荷トランジスタ624のゲートおよびドレイン間に生じる寄生容量、および、垂直信号線(VSL1または2)501または502と第2基準電流線602との間に形成される配線間容量からなる。

寄生电容器 629包括在第二负载晶体管 624的栅极和漏极之间产生的寄生电容器、以及在垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502和第二参考电流线 602之间形成的布线间电容器。 - 中国語 特許翻訳例文集

供給電圧制御回路13は、垂直走査回路12で選択走査された行を駆動するアドレス信号ADRを入力とし、電圧供給回路14から供給される複数の第1制御電圧、例えば4つの電圧Vtrg1,Vtrg2,Vtrg3,Vtrg4(Vtrg1>Vtrg2>Vtrg3>Vtrg4)のうちの1つを、タイミング発生回路15から供給されるタイミング信号PTRG1,PTRG2,PTRG3を基に選択して単位画素20内の転送トランジスタ22のゲート電極に供給する。

供应电压控制电路 13利用地址信号 ADR作为输入,其驱动由垂直扫描电路 12选定和扫描的行,并且通过基于从时序发生器电路 15供应的时序信号 PTRG1、PTRG2、PTRG3选定电压,向单元像素 20中的转移晶体管 22的栅电极供应从电压供应电路 14供应的多个第一控制电压中的一个电压,所述多个第一控制电压例如为四个电压 Vtrg1、Vtrg2、Vtrg3和Vtrg4(Vtrg1> Vtrg2> Vtrg3> Vtrg4)。 - 中国語 特許翻訳例文集

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