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該当件数 : 35件
従前の実施形態とは対照的に、光電子要素110は、光放出ダイオード（LED）又は垂直キャビティ面放出レーザ（VCSEL）のような、表面放出素子を有し、それはZ方向に直接放射を放出する。
与前述实施方案不同，元件 110包括表面发射器件，诸如发光二极管 (LED)或垂直共振腔表面放射激光 (VCSEL)二极管，它们将射线直接发射至 Z方向。
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垂直ブランクVB中の少なくとも一部の時間中にシャッターガラス30の左眼シャッター31、31’及び右眼シャッター32、32’のうちのいずれか一方は閉状態CLOSEに切り替わり、他方は開状態OPENを維持する。
快门眼镜 30的左眼快门 31和 31’以及右眼快门 32和 32’中的任何一个快门在 VB中的至少预定时间被改变成关闭状态 CLOSE，其他快门被保持在打开状态 OPEN。 - 中国語 特許翻訳例文集
本例の制御動作では、非常に強力な過大光が入射した時（b）であっても、垂直信号線VSLの電位制御は行なわない。
在本例的控制动作中，即使入射极强光时 (b)，也不进行垂直信号线 VSL的电位控制。 - 中国語 特許翻訳例文集
非常に強力な過大光が入射した場合（b）、この第2の実施形態でも、垂直信号線VSLの電位制御は行なわない。
即使在该第 2实施方式中，在射入极强光时 (b)也不进行垂直信号线 VSL的电位控制。 - 中国語 特許翻訳例文集
本明細書において記載される技術を用いて垂直非遮蔽情報を符号化することも可能である。
也有可能使用本文描述的技术编码竖直去遮挡信息。 - 中国語 特許翻訳例文集
図3における（a）に示すように、光出射部152aは、制御装置19からの入力信号に応じて、筐体10の底面と垂直な方向である法線方向に対して幾分傾いた方向に状態検出出射光を出射する。
如图 3A中所示，发光单元 152a响应于来自控制装置19的输入信号沿着相对于法线方向略微倾斜的方向发射状态检测输出束，该法线方向是垂直于外壳 10的底部的方向。 - 中国語 特許翻訳例文集
このため、CCDメモリ30、垂直CCD50、水平CCD60には、光が入射して電荷を発生しないように、この上に金属で構成された遮光膜を形成することが好ましい。
因此，为了防止光入射而产生电荷，优选在 CCD存储器 30、垂直 CCD50及水平 CCD60上形成用金属构成的遮光膜。 - 中国語 特許翻訳例文集
各々の再方向付け面36は2種類のファセットであって、光再方向付けファセット38と、対応するアレイ44からの入射光に対して垂直である入射ファセット28と、を有する。
光重定向小面 38； 及入射小面 28，其法向于来自对应阵列 44的入射光。 - 中国語 特許翻訳例文集
垂直制御回路200は、制御入力端子16を介しての同期制御部10からの制御信号の指示により、読み出す画素に接続されている垂直制御線201〜203を所定の順番に選択し、各画素のシャッタ動作や読み出し動作を制御することができる。
垂直控制电路 200根据经由控制输入端子 16来自同步控制单元 10的控制信号的指令，按预定顺序选择连接至要读取的像素的垂直控制线 201、垂直控制线 202和垂直控制线 203，由此控制各个像素的快门操作和读取操作。 - 中国語 特許翻訳例文集
これにより、発光素子61から読取原稿Gに向けて出射された光は、読取原稿Gの被読取面GAに対して予め定められた傾斜方向から入射して散乱されるため、読取原稿Gの被読取面GAに対して垂直に光を入射した場合に比べて、読取原稿Gの下地（白）での正反射が抑えられ、画像の輝度差（コントラスト）の低下が抑えられている。
因而，从发光元件 61朝读取原稿 G发射的光相对于读取原稿 G的待读取表面 GA从预定倾斜方向入射并散射，从而与光相对于读取原稿 G的待读取表面 GA垂直入射相比，读取原稿 G的背景 (白色 )上的镜面反射得以抑制，从而图像的亮度差 (对比度 )的下降得以抑制。 - 中国語 特許翻訳例文集
20. 前記放射源は、光放出要素の行列からなり、前記光放出要素は、基板上に配置され、そして前記放射を前記基板に垂直な方向に放出する、ことを特徴とする請求項18に記載の方法。
20.根据权利要求 18所述的方法，其中所述辐射源包括发光元件的一个矩阵，所述发光元件被布置在衬底上，并被配置为在与所述衬底垂直的方向上发射射线。 - 中国語 特許翻訳例文集
2. 上記構図判定手段は、上記被写体の目標位置について、撮像部の撮像光軸に対応する上記画像内の基準位置に対する水平方向における目標水平移動量、及び上記基準位置に対する垂直方向における目標垂直移動量として求め、上記予備位置取得手段は、上記予備位置について、上記目標水平移動量と上記ズーム倍率とにより算出した制御水平移動量、及び上記目標垂直移動量とズーム倍率とにより算出した制御水平移動量として求め、上記可動機構部制御手段は、上記制御水平移動量に応じて決まるX座標、及び上記制御垂直移動量に応じて決まるY座標に、上記被写体に設定した重心が位置するようにして、可動機構部を制御する、請求項1に記載の構図制御装置。
2.如权利要求 1所述的构图控制设备，其中所述构图确定装置获得相对于与所述成像部的成像光轴相对应的图像中的基准位置的水平方向上的水平移动目标量和相对于该基准位置的垂直方向上的垂直移动目标量，作为所述对象的目标位置，其中所述初步位置获得装置获得根据所述水平移动目标量和所述变焦放大率计算出的控制水平移动量以及根据所述垂直移动目标量和所述变焦放大率计算出的控制垂直移动量，作为所述初步位置，并且其中所述可移动机构部控制装置控制所述可移动机构部，以使在所述对象中设置的重心位于根据所述控制水平移动量确定的 x坐标和根据所述控制垂直移动量确定的 y坐标上。 - 中国語 特許翻訳例文集
本実施形態によれば、垂直転送と水平転送とを複数回に分割して行い、画素からの信号を読み出して出力する場合に、各回毎に遮光されたオプティカルブラック画素からの信号と遮光されていない有効画素からの信号を出力する。
根据该实施例，在执行所述垂直传送和水平传送多次以读出并输出来自像素的信号时，每次都输出来自被遮蔽的光学黑像素的信号和来自未被遮蔽的有效像素的信号。 - 中国語 特許翻訳例文集
図2において、画素11は、入射した光（光信号）を電気信号に変換する画素（感光画素）の一つを示し、水平方向（H）、垂直方向（V）の画素の位置を示すアドレスを（1，1）と表示する。
参考图 2，像素 11是将入射光 (光信号 )转换成电信号的像素 (感光像素 )其中之一。 由 (1，1)代表表示像素在水平方向 (H)和垂直方向 (V)上的位置的地址。 - 中国語 特許翻訳例文集
この比較例1は、非常に強力な過大光が入射した場合に、アナログ的にリセット信号が下降しない様に垂直信号線の電位を制御する一例に関する。
该比较例 1涉及在入射了极强光的情况下将垂直信号线的电位模拟地控制成不会使复位信号下降的一例。 - 中国語 特許翻訳例文集
加速度センサ26は、加速度センサの2つの測定軸であるX軸とY軸からなる平面がカメラの光軸に対して垂直な平面上に配置され、且つ、X軸が重力方向（鉛直方向）から所定の角度A（29）だけ傾斜した状態で配置される。
将加速度传感器26配置成由X轴和Y轴即加速度传感器的两个测量轴所形成的平面位于与照相机的光轴垂直的平面上，并且 X轴相对于重力方向 (垂直方向 )倾斜预定角度 A 29。 - 中国語 特許翻訳例文集
シャッタメガネ3には、例えば、赤外線を用いた無線通信によって、画像の垂直同期信号の情報を含む制御信号が表示制御装置1から供給される。
例如，通过使用红外线的无线通信，将包括有关图像的垂直同步信号的信息的控制信号从显示控制器 1提供给快门眼镜 3。 - 中国語 特許翻訳例文集
シャッタメガネ4には、例えば、赤外線を用いた無線通信によって、画像の垂直同期信号の情報を含む制御信号が表示制御装置1から供給される。
包括关于图像的垂直同步信号的信息的控制信号例如通过使用红外线的无线通信从显示控制装置 1提供给快门式眼镜 4。 - 中国語 特許翻訳例文集
シャッタメガネ4には、例えば、赤外線を用いた無線通信によって、画像の垂直同期信号の情報を含む制御信号が表示制御装置1から供給される。
经由例如使用红外光的无线通信，从显示控制设备 1向快门眼镜 4提供控制信号，该控制信号包括图像的垂直同步信号的信息。 - 中国語 特許翻訳例文集
そこで本実施形態では、後者についても焦点検出できるよう、撮影レンズの垂直方向（縦方向）に瞳分割を行う画素も備えている。
因此，为了在后一种情况下也进行焦点检测，本实施例包括用于在摄像镜头的垂直方向 (纵向方向 )上进行光瞳分割的像素。 - 中国語 特許翻訳例文集
【図1B】図1Bは、本発明の実施形態に従って、地面に対して実質的に垂直な縦列に配列されるフォトダイオード群を有するローリングシャッターCMOSセンサーを含むカメラを示す概略図を含む。
图 1B包括示意根据本发明的一个实施例的、具有滚动快门 CMOS传感器的照相机的图表，该滚动快门 CMOS传感器带有成组的、基本垂直于地面而成列布置的光电二极管。 - 中国語 特許翻訳例文集
しかしながら、この際、非常に強力な過大光が入射した場合（b）には、リセットレベル検出期間中もさらに垂直信号線VSLのリセット信号が下降してしまい、結果としてリセットレベル検出期間終了時まで（時刻t7まで）にコンパレータ8が反転しない場合がある。
但是，此时，在入射了极强光的情况下 (b)，即使在复位电平检测期间中，垂直信号线 VSL的复位信号也会下降，结果有时在复位电平检测期间结束时为止 (时刻 t7位置 )比较器 8也不会反转。 - 中国語 特許翻訳例文集
一方、入射光が強いとき（B）は、光電変換された電子量が多いために、転送ゲート32に制御電圧Vtrgを印加することで、フォトダイオード31の蓄積電子は、転送ゲート32の下のポテンシャルを超えて垂直CCD33へ部分的に転送される。
而当入射光强时 (图 34B)，因为已经被光电转换的电子的量大，所以通过向转移栅32施加控制电压Vtrg，光电二极管31中的存储电子超出转移栅 32下的电势，并且被部分转移到垂直 CCD 33。 - 中国語 特許翻訳例文集
ここで、後述する比較例1では、非常に強力な過大光が入射された場合、リセット信号レベル取得時の垂直信号線VSLの電位をモニターし、垂直信号線VSLの電位をアナログ的に制御する方法で画素信号をAD変換する前に信号制御を行なっている。
在此，在后述的比较例 1中，当入射了极强光时，在对复位信号电平取得时的垂直信号线 VSL的电位进行监视、并将垂直信号线 VSL的电位以模拟的方式进行控制的方法中，在对像素信号进行模数变换之前进行信号控制。 - 中国語 特許翻訳例文集
また、本発明の原稿読取装置によれば、前記原稿カバーを開く方向を前後方向とするとき、前記カバー取付手段は前記原稿読取装置本体の後部側に設けられ、前記棒状ヒンジ部は、略直方体形状の棒状に形成され、前記ヒンジガイド部は、略直方体形状の開口筒に形成され、後側の内壁面上部が、前記原稿載置台の原稿読取面に垂直な方向に対して前記第2の角度だけ後方に傾斜した第1傾斜面に形成された構成としている。
并且在本发明的原稿读取装置中优选，由面对上述原稿读取装置主体中的远离上述铰接引导部的一侧的侧面的操作者观察，以打开上述原稿盖的方向为前后方向时，上述盖安装部设置在上述原稿读取装置主体的后部侧，上述棒状铰接部形成为棒状，上述铰接引导部形成为开口筒，后侧的内壁面上部形成为第 1倾斜部，该第 1倾斜部相对于和上述原稿放置台的原稿读取面垂直的方向，向后方倾斜了上述第 2角度。 - 中国語 特許翻訳例文集
上記のように、比較例1，2に係る構成およびその制御動作は、いずれも非常に強力な過大光が入射された場合（b）、リセットレベル取得時の垂直信号線VSLの電位をモニターし、画素信号をAD変換する前に信号制御を行う。
如上所述，比较例 1、2的结构及其控制动作均在入射了极强光的情况下 (b)，对复位电平取得时的垂直信号线 VSL的电位进行监视，在将像素信号进行模数变换之前进行信号控制。 - 中国語 特許翻訳例文集
例えば、トリミング枠設定部431は、シャッタフレームにおいて、座標情報取得部332からの座標情報で表される被写体領域の中心位置が、3分割構図において、3分割構図を水平方向および垂直方向に3分割する3分割線の交点（3分割線交点）となるような複数のトリミング枠を設定する。
例如，修剪框设置单元 431设置多个修剪框从而使得在快门帧中由来自坐标信息获得单元 332的坐标信息指示的被摄体区域的中心位置达到三分割构图中的三分线的交点 (三分交点 )，该三分线在水平和垂直方向上将该三分割构图分割成三份。 - 中国語 特許翻訳例文集
図示するように、例えば、時刻t4の際、通常時（a）では、リセット信号の下降はほとんどないが、非常に強力な過大光が入射した場合（b）では、行選択された単位画素のリセットTrがオンして画素信号を読み出す際に垂直信号線のリセット信号が下降してしまう。
如图所示，例如在时刻 t4时，通常时 (a)，复位信号几乎不会下降，但是在入射极强光的情况下 (b)，在被行选择的单位像素的复位 Tr导通而读取像素信号时，垂直信号线的复位信号下降。 - 中国語 特許翻訳例文集
MEMS空間光変調器への光の入射角は、マイクロミラー74の面内にあるか又はその面に対して垂直であるかのどちらかである入力及び出力偏光状態を方向合わせすることにより、図10に示す何れかの不所望の偏光の影響を最小化するように調節されることが可能である。
光到MEMS空间光调制器的入射角度 (箭头B)可经调整以通过使输入及输出偏振状态定向在微镜 74的平面中或正交于微镜 74的平面来最小化任何不希望的偏振效应，如图 10中所示。 - 中国語 特許翻訳例文集
しかしながら、この際、非常に強力な過大光が入射された場合（b）では、リセットレベル検出期間（2）中もさらに垂直信号線VSLのリセット信号の電圧が下降し続けるため、リセットレベル検出期間（2）の終了時（時刻t7）までにコンパレータ8が反転しないおそれがある。
但是，此时，在被入射极强光的情况下 (b)，在复位电平检测期间 (2)，垂直信号线VSL的复位信号的电压继续下降，所以在复位电平检测期间 (2)结束时 (时刻 t7)之前，比较器 8有可能不反转。 - 中国語 特許翻訳例文集
後述する比較例では、ある時間に入るクロック数をカウントして画素信号をデジタル変換するCMOSセンサにおいて、非常に強力な過大光が入射した場合、リセット信号が下降しない様に垂直信号線の電位をアナログ的に制御する方法で画素信号をAD変換する前に信号制御を行っている。
在后述的比较例中，在将进入到某时间的时钟数进行计数来将像素信号进行数字变换的 CMOS传感器中，在入射了极强光的情况下，在通过将垂直信号线的电位以复位信号不会降低的方式进行模拟控制的方法中，在对像素信号进行模数变换之前进行信号控制。 - 中国語 特許翻訳例文集
続いて、時刻t6の際、通常時（a）では、フローティングディフージョンFDは遮光されており電位変動はほぼ無いため、リセット信号は垂直信号線VSLにはオートゼロ期間（1）中に取得した信号とほぼ等しい電圧が読み出されるので、垂直信号線VSLと参照電圧VREFが等しくなった時にコンパレータ8は反転し、エッジ検出器10でその反転時のエッジを捉える事で、その時間までのクロックカウント（count clk）の値をカウント11でカウント（計測）することでき、リセットカウントが確定する。
接着，在时刻t6时，在通常时(a)，浮点扩散器FD被遮光，电位变动大致变无，所以复位信号向垂直信号线 VSL读取与在自动调零期间 (1)取得的信号大致相等的电压，所以在垂直信号线 VSL和参照电压 VREF变相等时比较器 8反转，通过在边缘检测器 10捕捉该反转时的边缘，能够在计数器 11对该时间为止的时钟计数 (count clk)的值进行计数 (计测 )，并确定复位计数。 - 中国語 特許翻訳例文集
上記のように、比較例1の構成およびその制御動作は、非常に強力な過大光が入射した場合（b）、アナログ的にリセット信号が下降しない様にリセット信号制御回路106が垂直信号線VSLの電位を制御する点で、上記実施形態および変形例と相違する。
如上所述，比较例 1的结构及其控制动作，在入射了非常过大的光的情况下 (b)，复位信号控制电路 106将垂直信号线 VSL的电位控制成使得复位信号不会模拟地下降，在这一点上，不同于上述实施方式和变形例。 - 中国語 特許翻訳例文集
ところで、非常に強力な過大光が入射した場合、行選択された単位画素のリセットTr．がオンして画素信号を読み出す際に垂直信号線VSLのリセット信号が下降してしまい、これによって、リセット信号と画素(PD)信号の差分で作られる画素信号成分が小さくなり、映像的に黒く沈んだ模様が発生してしまう問題が発生する。
在此，在入射了极强光的情况下，在使行选择的单位像素的复位 Tr导通而读取了像素信号时，垂直信号线 VSL的复位信号下降，由此，由复位信号和像素 (PD)信号的差分制作的像素信号成分变小，发生影像变暗黑的情形的问题。 - 中国語 特許翻訳例文集
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