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「すいちょくへんさ」の部分一致の例文検索結果

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この分割レベル1の、水平方向および垂直方向の両方に対して低域成分のサブバンド1LLに対して、分割レベル2の分析フィルタリングが行われ、分割レベル2の4つのサブバンド(2LL、2LH、2HL、および2HH)に変換される。

分割级别 1的水平方向和垂直方向的低频分量的子频带 1LL经受分割级别 2的分析滤波,由此转换成分割级别 2的四个子频带 (2LL、2LH、2HL和 2HH)。 - 中国語 特許翻訳例文集

この分割レベル2の、水平方向および垂直方向の両方に対して低域成分のサブバンド2LLに対して、分割レベル3の分析フィルタリングが行われ、分割レベル3の4つのサブバンド(3LL、3LH、3HL、および3HH)に変換される。

分割级别 2的水平方向和垂直方向的低频分量的子频带 2LL经受分割级别 3的分析滤波,由此转换成分割级别 3的四个子频带 (3LL、3LH、3HL和 3HH)。 - 中国語 特許翻訳例文集

この分割レベル3の、水平方向および垂直方向の両方に対して低域成分のサブバンド3LLに対して、分割レベル4の分析フィルタリングが行われ、分割レベル4の4つのサブバンド(4LL、4LH、4HL、および4HH)に変換される。

分割级别 3的水平方向和垂直方向的低频分量的子频带 3LL经受分割级别 4的分析滤波,由此转换成分割级别4的四个子频带 (4LL、4LH、4HL和 4HH)。 - 中国語 特許翻訳例文集

ADC群150においては、垂直信号線116に読み出されたアナログ画素信号SIGは列毎(カラム毎)に配置された比較器152で参照信号SLCADC(ある傾きを持った線形に変化するスロープ波形であるランプ信号RAMP)と比較される。

在列处理电路组 150中,读取至垂直信号线 116的模拟像素信号 SIG由针对每列所布置的比较器 152与参照信号 SLP_ADC(作为按给定倾斜度线性变化的斜波形的斜坡信号 RAMP)进行比较。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、後述する比較例1では、非常に強力な過大光が入射された場合、リセット信号レベル取得時の垂直信号線VSLの電位をモニターし、垂直信号線VSLの電位をアナログ的に制御する方法で画素信号をAD変換する前に信号制御を行なっている。

在此,在后述的比较例 1中,当入射了极强光时,在对复位信号电平取得时的垂直信号线 VSL的电位进行监视、并将垂直信号线 VSL的电位以模拟的方式进行控制的方法中,在对像素信号进行模数变换之前进行信号控制。 - 中国語 特許翻訳例文集

各ADC151は、DAC160により生成される参照信号を階段状に変化させたランプ波形である参照信号SLCADCと、行線毎に画素から垂直信号線を経由し得られるアナログ画素信号SIGと、を比較する比較器(コンパレータ)152を有する。

每个 ADC 151具有比较器 152,比较器 152把通过逐步改变 DAC 160生成的参照信号所获得的拥有斜坡波形的参照信号 SLP_ADC与经由垂直信号线 116从每行像素所获得的模拟像素信号 SIG加以比较。 - 中国語 特許翻訳例文集

各カラム処理回路(ADC)61は、DAC7により生成される参照信号を階段状に変化させたランプ波形である参照信号RAMP(Vslop)と、行線毎に画素から垂直信号線を経由し得られるアナログ信号Vslとを比較する比較器61−1を有する。

每个列处理电路 (ADC)61 包括比较器 61-1,比较器 61-1 比较基准信号RAMP(Vslop)和经由垂直信号线从每个行线上的相应像素获得的模拟信号 Vs1,其中,该基准信号 RAMP是通过改变由 DAC 7逐步生成的基准信号而获得的斜坡波形。 - 中国語 特許翻訳例文集

各ADC161は、DAC170により生成される参照信号を階段状に変化させたランプ波形である参照信号RAMP(Vslop)と、行線毎に画素から垂直信号線を経由し得られるアナログ信号VSLとを比較する機能部としての比較器162を有する。

ADC 161的每个包括作为功能部分的比较器 162,比较器 162用来比较作为通过逐步改变由 DAC 170生成的基准信号而获得的斜坡波形的基准信号 RAMP(Vslop)、与经由垂直信号线从各个行线上的相应像素获得的模拟信号 VSL。 - 中国語 特許翻訳例文集

以上のように、垂直合成フィルタリングおよび水平合成フィルタリングにおいても、9×7ウェーブレット変換フィルタのリフティング構成が用いられることで、図10を参照して上述したように、対応する分割レベルのバッファには、3ライン分の係数を記憶する各ラインの係数用のバッファが必要となり、さらに、図12のQ1およびQ2の係数を求めるため、垂直リフティング演算の際、すでに使用したラインの係数も、次の垂直リフティング演算に必要になる。

如上所述,由于垂直合成滤波和水平合成滤波也可以使用 9×7小波变换滤波器的提升配置,如参考图 10所述的,因此,需要相应划分层次的缓冲器,以利用缓冲器存储每行的系数以便存储与三行的量相对应的系数。 另外,为了获得图 12中的 Q1和 Q2的系数,已经在垂直提升操作中使用的行的系数被用在下一垂直提升操作中。 - 中国語 特許翻訳例文集

この出力を受けた表示画面制御装置は、重力方向から、表示画面45の所定の対向する2辺の垂直方向の位置を算出して、重力方向に対して上に位置している辺を判定し、判定した辺が表示画面の上辺となるような画像表示方向を選択する。

接收到该输出的显示画面控制装置根据重力方向计算出显示画面 45的预定的对置的 2边的垂直方向的位置,判定相对于重力方向位于上方的边,并选择判定的边为显示画面的上边的图像显示方向。 - 中国語 特許翻訳例文集


ウェーブレット変換部123は、生成した係数データの、垂直方向および水平方向に低域な成分をラインバッファ122に供給して保持させ(矢印144)、その他の成分を係数処理部124(係数ライン並び替え部131)に供給する(矢印145)。

小波变换部分 123将在垂直和水平方向上生成的系数数据的低频分量提供到线缓冲器 122,以使后者保持提供的数据 (由箭头 144指示 ),并且将其它分量的数据馈送到系数处理部分 124(更具体地,馈送到系数线重排序部分 131)(由箭头 145指示 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

すなわち、画素アレイ2の中の選択された1行のN個の画素2aが出力する光量に応じた画素信号(電圧信号)が各列の垂直信号線9を伝播してサンプルホールド信号変換回路群4に入力される。

即,与像素阵列 2中被选择的 1行的 N个像素 2a所输出的光量对应的像素信号 (电压信号 )在各列的垂直信号线 9中传播,被输入到采样保持信号转换电路组 4。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、入射光が強いとき(B)は、光電変換された電子量が多いために、転送ゲート32に制御電圧Vtrgを印加することで、フォトダイオード31の蓄積電子は、転送ゲート32の下のポテンシャルを超えて垂直CCD33へ部分的に転送される。

而当入射光强时 (图 34B),因为已经被光电转换的电子的量大,所以通过向转移栅32施加控制电压Vtrg,光电二极管31中的存储电子超出转移栅 32下的电势,并且被部分转移到垂直 CCD 33。 - 中国語 特許翻訳例文集

各比較器の一方の入力は垂直信号線VSLからの画素信号(リセット電圧、リセット電圧+変換信号電圧)であり、他方の入力は参照電圧生成回路8が順に出力する2つの参照信号(三角波信号)である。

各比较器的一方的输入是来自垂直信号线 VSL的像素信号 (复位电压、复位电压 +变换信号电压 ),另一方的输入是参照电压生成电路 8依次输出的 2个参照信号 (三角波信号 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

このとき、(リセット電圧)と(リセット電圧+変換信号電圧)を垂直信号線VSLに出力している間は昇圧されないので、ソースフォロワ回路の動作点を気にすることなく、FD25の昇圧レベルを変えることができる。

此时,在将 (复位电压 )和 (复位电压 +变换信号电压 )输出至垂直信号线 VSL的期间不升压,因此,可以不需要在意源极跟踪器电路的动作点而改变 FD25的升压电平。 - 中国語 特許翻訳例文集

上記のように、比較例1,2に係る構成およびその制御動作は、いずれも非常に強力な過大光が入射された場合(b)、リセットレベル取得時の垂直信号線VSLの電位をモニターし、画素信号をAD変換する前に信号制御を行う。

如上所述,比较例 1、2的结构及其控制动作均在入射了极强光的情况下 (b),对复位电平取得时的垂直信号线 VSL的电位进行监视,在将像素信号进行模数变换之前进行信号控制。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、ゲート長(チャネル長)L3だけ長くして、ゲート幅(チャネル幅)W3を感光画素110のW1と同じにし、光電変換素子D1の垂直方向の面積の削減は行わないことにしてもよく、それでもノイズ低減効果はある。

另外,可以仅将栅极长度 (沟道长度 )L3设置为大,而将栅极宽度 (沟道宽度 )W3设置为与感光像素 110的 W1相等,从而不缩减光电转换元件 D1在垂直方向上的面积。 即使在该配置中,也可以获得一些噪声降低效果。 - 中国語 特許翻訳例文集

後述する比較例では、ある時間に入るクロック数をカウントして画素信号をデジタル変換するCMOSセンサにおいて、非常に強力な過大光が入射した場合、リセット信号が下降しない様に垂直信号線の電位をアナログ的に制御する方法で画素信号をAD変換する前に信号制御を行っている。

在后述的比较例中,在将进入到某时间的时钟数进行计数来将像素信号进行数字变换的 CMOS传感器中,在入射了极强光的情况下,在通过将垂直信号线的电位以复位信号不会降低的方式进行模拟控制的方法中,在对像素信号进行模数变换之前进行信号控制。 - 中国語 特許翻訳例文集

続いて、時刻t6の際、通常時(a)では、フローティングディフージョンFDは遮光されており電位変動はほぼ無いため、リセット信号は垂直信号線VSLにはオートゼロ期間(1)中に取得した信号とほぼ等しい電圧が読み出されるので、垂直信号線VSLと参照電圧VREFが等しくなった時にコンパレータ8は反転し、エッジ検出器10でその反転時のエッジを捉える事で、その時間までのクロックカウント(count clk)の値をカウント11でカウント(計測)することでき、リセットカウントが確定する。

接着,在时刻t6时,在通常时(a),浮点扩散器FD被遮光,电位变动大致变无,所以复位信号向垂直信号线 VSL读取与在自动调零期间 (1)取得的信号大致相等的电压,所以在垂直信号线 VSL和参照电压 VREF变相等时比较器 8反转,通过在边缘检测器 10捕捉该反转时的边缘,能够在计数器 11对该时间为止的时钟计数 (count clk)的值进行计数 (计测 ),并确定复位计数。 - 中国語 特許翻訳例文集

ブロックMB(i,2)に関連する動きベクトルのy成分が0に等しいとき、動き補償中に参照フレームからフェッチされるブロックの上側の垂直y座標(「ブロックのY」)が上部境界の下側のy座標(「境界のY」)よりも小さくないとき、または偽境界修正の後、フレーム置換ユニット52は変数iがMに等しいかどうかを判断する。 ここで、Mは第1行のブロックの数である(160)。

当与块MB(i,2)相关联的运动向量的 y分量等于零时,在运动补偿期间从参考帧取得的块的顶部侧的垂直 y坐标 ( “块的 Y” )不小于顶部边界的底部侧的 y坐标( “边界的 Y”),或在假边界校正之后,帧代换单元 52确定变量 i是否等于M,其中M为第一行的块的数目 (160)。 - 中国語 特許翻訳例文集

上記のように、比較例1の構成およびその制御動作は、非常に強力な過大光が入射した場合(b)、アナログ的にリセット信号が下降しない様にリセット信号制御回路106が垂直信号線VSLの電位を制御する点で、上記実施形態および変形例と相違する。

如上所述,比较例 1的结构及其控制动作,在入射了非常过大的光的情况下 (b),复位信号控制电路 106将垂直信号线 VSL的电位控制成使得复位信号不会模拟地下降,在这一点上,不同于上述实施方式和变形例。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプルホールド信号変換回路群4aは、列毎の垂直信号線9と1対1で配置される10ビット出力のADC16と、各列において対応するADC16が出力する10ビットデータを保持する10個の1ビットレジスタ回路(Bit No.0 Reg.〜Bit No.9 Reg.)17と、各2列において各行方向に並ぶ2個の1ビットレジスタ回路毎に列方向に配置される10個のデータ転送回路(Bit No.0 データ転送回路〜Bit No.9 データ転送回路)18aとを備えている。

采样保持信号转换电路组 4a具有与每列的垂直信号线 9一对一配置的 10位输出的 ADC16、在各列保持由对应的 ADC16输出的 10位数据的 10个 1位寄存器电路 (Bit No.0Reg.~ Bit No.9Reg.)17、按各 2列中并列于各行方向的 2个 1位寄存器电路来配置于列方向的 10个数据传输电路 (BitNo.0数据传输电路~ Bit No.9数据传输电路 )18a。 - 中国語 特許翻訳例文集

ブロックMB(i,N−1)に関連する動きベクトルのy成分が0に等しいとき、動き補償中に参照フレームからフェッチされるブロックの下側の垂直y座標(「ブロックのY」)が下部境界の上側のy座標(「境界のY」)よりも大きいとき、または偽境界修正の後、フレーム置換ユニット52は変数iがMに等しいかどうかを判断する。 ここで、Mは第1行のブロックの数である(180)。

当与块MB(i, N-1)相关联的运动向量的 y分量等于零时,在运动补偿期间从CN 10201761257 AA 说 明 书 22/25页参考帧取得的块的底部侧的垂直 y坐标 ( “块的 Y” )大于底部边界的顶部侧的 y坐标( “边界的 Y”),或在假边界校正之后,帧代换单元 52确定变量 i是否等于M,其中M为第一行的块的数目 (180)。 - 中国語 特許翻訳例文集

2以上の整数n個のビューを見るためにn個の一次視点補正されたビューウィンドウを生成するために、該視差光学素子と協働する行および列として配列された複数の画素を備える空間光変調器であって、各ビューウィンドウ内の各視差エレメントを介して見ることのできる画素のそれぞれの単一の列を有し、該画素は、それぞれのカラー画像エレメントを表示するための複合色グループとして配列され、各グループは、互いに同じ列に隣接して配置された3以上の整数x個の異なるカラーのx以上の整数z個の画素を備え、各ビューに対する各カラーの該画素は、実質的に等間隔で水平に、かつ、実質的に等間隔で垂直になるように配置され、各グループの該画素の該カラーの列方向の順番は、同じ行内の隣接する各グループの該画素の該カラーの列方向の順番と異なることを特徴とする、空間光変調器とを備える。

以及空间光调制器,它包括排列成行与列的多个像素,这些像素与视差光学器件相互配合以便为观看 n个视图而产生 n个主视点校正的观看窗口,其中 n是大于 1的整数,透过每个视差元件可以在每个观看窗口中看到各个单列像素,这些像素排列成用于显示各颜色图像元件的复合颜色组,各组包括在同一列中彼此相邻设置的 x种不同颜色的z个像素,其中 x是大于 2的整数,z是大于或等于 x的整数,用于各视图的各种颜色的像素被设置成在水平方向上和垂直方向上都基本上均匀间隔开,其特征在于,每组的像素的颜色在列向上的顺序都不同于同一行中各相邻组的像素的颜色在列向上的顺序。 - 中国語 特許翻訳例文集

1A・・・固体撮像素子、10A・・・画素部、11A・・・A/D変換部、12A・・・光通信部、13A・・・タイミングジェネレータ、14A・・・制御I/O、15A・・・DC−DC部、16A・・・制御部、17・・・バス、2A・・・光学装置、20A・・・レンズ部、21・・・ハウジング、3A・・・信号処理装置、30A・・・光通信部、31A・・・制御I/O、32A・・・操作部、33A・・・読み出し制御部、34A・・・信号処理部、35A・・・データ保持部、36A・・・表示部、37A・・・電源、38A・・・電源制御部、4A・・・信号処理システム、100・・・画素、101・・・画素アレイ、102・・・垂直走査回路、103・・・水平走査回路、104・・・カラムCDS回路、105・・・列信号線、106・・・フォトダイオード、107・・・FDアンプ、108・・・行選択トランジスタ、109・・・行選択線、110・・・電荷検出部、111・・・リセットトランジスタ、112・・・増幅トランジスタ、113・・・リセット線、114・・・行読み出し線、120・・・シリアルインタフェース、120A・・・パラレル/シリアル変換部、121、121S,121CL・・・発光部、122A,122B・・・配線、123・・・配線、124・・・エンコード部、125・・・データスクランブル部、126・・・パラレル/シリアル変換部、128A・・・面発光型半導体レーザ、130H,130AD,130OP・・・配線、300S,300CL・・・光受信部、301A・・・シリアル/パラレル変換部、302・・・光受信部、303・・・シリアル/パラレル変換部、304・・・デスクランブル部、305・・・デコード部、306・・・受光部、307・・・パラレルインタフェース、401A・・・カメラシステム、402A・・・レンズユニット、403A・・・カメラ本体部、404・・・シャッタ、405・・・AE/AF検出部、406・・・ストロボ、407・・・ストロボ制御部

1A固态图像拾取元件,10A像素单元,11AA/D转换器,12A光通信单元,13A时序发生器,14A控制 I/O,15A DC-DC单元,16A控制器,17总线,2A光学设备,20A透镜单元,21外壳,3A信号处理设备,30A光通信单元,31A控制 I/O,32A操作单元,33A读取控制器,34A信号处理器,35A数据存储单元,36A显示单元,37A电源,38A电源控制器,4A信号处理系统,100像素,101像素阵列,102垂直扫描电路,103水平扫描电路,104列 CDS电路,105列信号线,106光电二极管,107FD放大器,108行选择晶体管,109行选择线,110电荷检测器,111复位晶体管,112放大晶体管,113复位线,114行读取线,120串行接口,120A并 /串转换器,121 121S 121CL发光单元,122A 122B线,123线,124编码单元,125数据加扰单元,126并/串转换器,128A表面发射半导体激光器,130H 130AD130OP线,300S 300CL光接收单元,301A串 /并转换器,302光接收单元,303串 /并转换器,304解扰单元,305解码单元,306光接收单元,307并行接口,401A相机系统,402A透镜单元,403A相机机身单元,404快门,405AE/AF检测器,406电子闪光,407电子闪光控制器 - 中国語 特許翻訳例文集

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