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「すうれじすた」の部分一致の例文検索結果

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限定ではなく例として、機械可読媒体は、揮発性メモリ、不揮発性メモリ、ランダムアクセスメモリ(RAM)、フラッシュメモリ、読取り専用メモリ(ROM)、プログラマブル読取り専用メモリ(PROM)、消去可能PROM(EPROM)、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、CD−ROM、DVD、または任意の他の好適な記憶デバイスのうちの1つまたは複数を含むことができる。

举例而言但非限制地,机器可读介质可以包括易失性存储器、非易失性存储器、随机存取存储器 (RAM)、闪存、只读存储器 (ROM)、可编程只读存储器 (PROM)、可擦 PROM(EPROM)、寄存器、硬盘、移动磁盘、CD-ROM、DVD或任何其它适当的存储设备中的一个或多个。 此外,机器可读介质可以包括: - 中国語 特許翻訳例文集

実施の形態6における動画像復号化装置は、実施の形態1のピクチャメモリ103を除く部分を集積回路であるLSIで実現し、ピクチャメモリ103をDRAM(Dynamic Random Access Memory)で構成し、記憶装置114から符号列を入力し、表示装置115に表示する構成である。

实施例 6中的运动图像解码装置构成为,以作为集成电路的 LSI来实现实施例 1的图像存储器 103以外的部分,由 DRAM(Dynamic Random Access Memory)构成图像存储器103,从记忆装置 114输入代码串,并在显示装置 115进行显示。 - 中国語 特許翻訳例文集

機械読取り可能媒体には、ランダムアクセスメモリ(RAM)、フラッシュメモリ、読出し専用メモリ(ROM)、プログラマブル読出し専用メモリ(PROM)、消去可能PROM(EPROM)、レジスタ、ハードディスク、取外し可能ディスク、CD−ROM、DVDまたは他の任意の適切なストレージデバイスなど、プロセッサの外部の記憶装置も含まれ得る。

机器可读媒体还可包括处理器外部的存储装置,例如,随机存取存储器 (RAM)、快闪存储器、只读存储器 (ROM)、可编程只读存储器 (PROM)、可擦除 PROM(EPROM)、寄存器、硬盘、可装卸式盘、CD-ROM、DVD或任何其它合适存储装置。 - 中国語 特許翻訳例文集

機械読取可能媒体は、ランダム・アクセス・メモリ(RAM)、読取専用メモリ(ROM)、プログラマブル読込専用メモリ(PROM)、消去可能PROM(EPROM)、レジスタ、ハード・ディスク、リムーバブル・ディスク、CD−ROM、DVD、あるいはその他任意の適切な記憶デバイスのような、プロセッサの外部に位置する記憶装置も含みうる。

机器可读介质也可以包括在处理器外部的存储设备,比如随机存取存储器 (RAM)、快闪存储器、只读存储器 (ROM)、可编程只读存储器 (PROM)、可擦除 PROM(EPROM)、寄存器、硬盘、可移动盘、CD-ROM、DVD或任何其它合适的存储设备。 - 中国語 特許翻訳例文集

機械読取可能媒体は、例えば、ランダム・アクセス・メモリ(RAM)、フラッシュ・メモリ、読取専用メモリ(ROM)、プログラマブル読取専用メモリ(PROM)、消去可能PROM(EPROM)、レジスタ、ハード・ディスク、リムーバブル・ディスク、CD−ROM、DVD、あるいはその他任意の適切な記憶デバイスのような、記憶装置をプロセッサの外側に含む。

机器可读介质还可包括外置于处理器的存储,诸如随机存取存储器 (RAM)、闪存、只读存储器 (ROM)、可编程只读存储器 (PROM)、可擦 PROM(EPROM)、寄存器、硬盘、可移动盘、CD-ROM、DVD或任何其他合适的存储设备。 - 中国語 特許翻訳例文集

原稿搬送とその画像読取とに関する部材、すなわち、ピックアップローラ32、給紙ローラ対33、中間ローラ34の他方(下方)、レジストローラ35の他方(下方)、第1搬送ローラ対36、清掃ローラ42、第2搬送ローラ37の他方(上方)、第2原稿読取手段38、第3搬送ローラ39の他方(上方)及び排紙ローラ40は、収容室60内(左右仕切側板61,62間)に位置していて、中間ローラ34の他方(下方)を除き、左右両仕切側板61,62に支持されている。

与原稿传送和其图像读取相关的部件,即搓纸轮32、进纸辊对 33、中间辊 34的另一方 (下方 )、定位辊 35的另一方 (下方 )、第 1传送辊对36、清扫辊 42、第 2传送辊 37的另一方 (上方 )、第 2原稿读取单元 38、第 3传送辊 39的另一方 (上方 )以及出纸辊 40位于收容室 60内 (左右隔开侧板 61、62之间 ),除了中间辊34的另一方 (下方 )以外,其它的被左右两个隔开侧板 61、62支承。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、期間t23での露光後、期間t24でリセットパルスRSTが“H”レベルになることによって再びリセット動作を行い、選択パルスSELが“H”レベルになることによってリセットレベルを読み出し、次いで期間t25では転送パルスTRGが“H”レベルになることによって転送トランジスタ22を完全にオン状態にしてFD部26へ完全転送を実行し、期間t26で選択パルスSELが“H”レベルになることによって信号レベルを読み出す。

在时段 t23的曝光之后,在时段 t24通过使得复位脉冲 RST为“H”电平,再次执行复位操作,并且通过使得选择脉冲 SEL为“H”电平,读出复位电平,接着,在时段 t25,通过使得转移脉冲 TRG为“H”电平,转移晶体管 22被完全导通并且执行到 FD区 26的完全转移,然后,在时段 t26,通过使得选择脉冲 SEL为“H”电平,读出信号电平。 - 中国語 特許翻訳例文集

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