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窒素は大気の大部分を占めている。

氮占了空气的大部分比例。 - 中国語会話例文集

また、複数ある受信側の半導体チップ203は、その中の1つのみ(図では半導体チップ203B_1)が注入同期に対応した構成を持っているが、残りの全て(図では半導体チップ203A,203B_2)は、注入同期に対応していない。

然而,所有剩余的半导体芯片 (在图中,半导体芯片 203A和203B_2)没有准备注入锁定。 - 中国語 特許翻訳例文集

典型的には、送信側の半導体チップ103Bと受信側の半導体チップ203B_1で1つ目の通信対が形成され、同じ送信側の半導体チップ103Bと別の受信側の半導体チップ203B_2で2つ目の通信対が形成され、1つの送信側の半導体チップ103Bから2つの受信側の半導体チップ203B_1,203B_2に同報(一斉)通信を行なうものである。

典型地,从传输侧的半导体芯片 103B和接收侧的半导体芯片 203B_1形成第一通信对,并且从传输侧的半导体芯片 103B和接收侧的半导体芯片 203B_2形成第二通信对。 因此,从传输侧的半导体芯片 103B到接收侧的半导体芯片 203B_1和 203B_2执行广播或同时通信。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1通信装置100は、基板102上に、ミリ波帯送信に対応した半導体チップ103と伝送路結合部108が搭載されている。

准备好用于毫米波波导发送的半导体芯片 103和发送线耦合部分 108安装在第一通信设备 100的板 102上。 - 中国語 特許翻訳例文集

複数の半導体チップを収納したマルチチップ方式の半導体装置において、第1の半導体チップに搭載される第2の半導体チップの一辺の近傍にボンディングパッドを設け、それらの半導体チップのボンディングパッドを直接ワイヤで接続することが記載されている。

描述了一种容纳有多个半导体芯片的多芯片系统中的半导体器件,其中接合焊盘设置在装载到第一半导体芯片的第二半导体芯片的一侧附近,并且半导体芯片的接合焊盘通过引线直接连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

第2通信装置200は、基板202上に、ミリ波帯受信に対応した半導体チップ203と伝送路結合部208が搭載されている。

准备好用于毫米波波段接收的半导体芯片 203和发送线耦合部分 208安装在第二通信设备 200的板 202上。 - 中国語 特許翻訳例文集

複数ある受信側の半導体チップ203Bは、その中の1つのみ(図では半導体チップ203B_1)が注入同期に対応した構成を持っているが、残りの全て(図では半導体チップ203B_2)は、注入同期に対応していない。

只有接收侧的多个半导体芯片 203B中的一个 (在图 11中,只有半导体芯片203B_1)具有准备好注入锁定的配置。 然而,所有剩余的半导体芯片 (在图 11中,半导体芯片 203B_2)没有准备好用于注入锁定。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、複数ある受信側の半導体チップ203は、その中の1つのみ(図では半導体チップ203B_1)が注入同期に対応した構成を持っているが、残りの全て(図では半導体チップ203A,203B_2)は、注入同期に対応していない。

在接收侧的多个半导体芯片 203中只有一个 (在图中,只有半导体芯片 203_1)具有准备好注入锁定的配置。 然而,所有剩余的半导体芯片 (在图中,半导体芯片 203A和203B_2)没有准备注入锁定。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、半導体チップ203B_2は、半導体チップ203B_1において注入同期方式で再生された再生搬送信号を受け取り、周波数混合部8402は、その再生搬送信号を使って受信信号Sin_2を復調する。

另一方面,半导体芯片 203B_2接收半导体芯片 203B_1上通过注入锁定恢复的恢复的载波信号,并且混频器 8402使用恢复的载波信号解调接收信号 Sin_2。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図1】固体撮像素子であるCMOSイメージセンサの典型的なチップ構成を示す図である。

图 1是示出作为固态成像器件的 CMOS图像传感器的典型芯片配置的图; - 中国語 特許翻訳例文集


図10に示す受光素子33と増幅器34の半導体チップは、図3と同じである。

光接收元件 33和放大器 34的半导体芯片与图 3所示的相同。 - 中国語 特許翻訳例文集

この残りの全て(図では半導体チップ203B_2)は、注入同期に対応した1つの半導体チップ203B_1から再生搬送信号を受け取り、この再生搬送信号を元に同期検波する。

所有剩余的半导体 (即,半导体芯片 203B_2)从准备好注入锁定的一个半导体芯片 203B_1接收恢复的载波信号,并且基于恢复的载波信号执行同步检测。 - 中国語 特許翻訳例文集

この残りの全て(図では半導体チップ203A,203B_2)は、注入同期に対応した1つの半導体チップ203B_1から再生搬送信号を受け取り、この再生搬送信号を元に同期検波する。

所有剩余的半导体芯片 (即,半导体芯片 203A和 203B_2)从准备好注入锁定的半导体芯片 203B_1接收恢复的载波信号,并且基于恢复的载波信号执行同步检测。 - 中国語 特許翻訳例文集

電子機器101Zには電気配線を介して信号伝送可能な半導体チップ103Zが設けられ、メモリカード201Zにも電気配線を介して信号伝送可能な半導体チップ203Zが設けられている。

电子装置 101Z具有能够经由布线进行信号传输的半导体芯片 103Z。 存储卡 201Z也具有能够经由布线进行信号传输的半导体芯片 203Z。 - 中国語 特許翻訳例文集

各組でそれぞれ異なる周波数f1,f2ではあるが同期した搬送信号を使用するため、複数ある送信側の半導体チップ103は、その中の1つのみ(図では半導体チップ103B)が搬送信号生成に対応した構成を持っているが、残りの全て(図では半導体チップ103A)は、搬送信号生成に対応していない。

因为由各组使用相互同步的载波信号,尽管它们具有相互不同的载波频率 f1和f2,所以传输侧的多个半导体芯片 103中只有一个 (在图 13到 15B中,半导体芯片 103B)具有准备好载波信号的生成的配置。 然而,所有剩余的半导体芯片 (在图 13到 15B中,半导体芯片 103A)没有准备好载波信号的生成。 - 中国語 特許翻訳例文集

アンテナ結合部とは、狭義的には半導体チップ内の電子回路と、チップ内またはチップ外に配置されるアンテナを結合する部分をいい、広義的には、半導体チップとミリ波信号伝送路を信号結合する部分をいう。

天线耦合部分在狭义上是指用于将半导体芯片内的电子电路耦合到芯片内或芯片外放置的天线的部分,而在广义上是指用于半导体芯片到毫米波信号传输线的信号耦合的部分。 - 中国語 特許翻訳例文集

アンテナ結合部とは、狭義的には半導体チップ内の電子回路と、チップ内またはチップ外に配置されるアンテナを結合する部分をいい、広義的には、半導体チップとミリ波信号伝送路9を信号結合する部分をいう。

在狭义上,天线耦合单元是耦合半导体芯片中的电子电路和芯片内或外布置的天线的块,并且在广义上,天线耦合单元是信号耦合半导体芯片和毫米波信号传输路径 9的块。 - 中国語 特許翻訳例文集

アンテナ結合部とは、狭義的には半導体チップ内の電子回路と、チップ内またはチップ外に配置されるアンテナを結合する部分をいい、広義的には、半導体チップとミリ波信号伝送路9を信号結合する部分をいう。

天线耦合部分在狭义上指用于将半导体芯片内的电子电路耦合到芯片内或芯片外布置的天线的部分,并且在广义上指用于将半导体芯片信号耦合到毫米波信号发送线 9的部分。 - 中国語 特許翻訳例文集

電子機器101Aは、基板102上に、ミリ波帯通信可能な半導体チップ103と伝送路結合部108が搭載されている。

电子装置101A具有能够进行毫米波波段通信的半导体芯片103以及安装在板102上的传输线耦合部分 108。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1通信装置100Xは、基板102上に、ミリ波帯通信可能な半導体チップ103と伝送路結合部108が搭載されている。

第一通信设备 100X包括板 102、安装在板 102上并且能够执行毫米波段通信的半导体 103、以及安装在板 102上的传输路径耦合器 108。 - 中国語 特許翻訳例文集

本発明は、受信装置、情報処理方法、プログラム、および半導体チップに関し、特に、警報情報が伝送されてきたことに迅速に対応することができるようにした受信装置、情報処理方法、プログラム、および半導体チップに関する。

本发明涉及接收装置、信息处理方法、程序和半导体芯片,尤其涉及被构造为可以对发送的警告信息的出现进行迅速响应的接收装置、信息处理方法、程序和半导体芯片。 - 中国語 特許翻訳例文集

デュアル送信機(LED)とデュアル受信機(PD)の両方を搭載しているチップオンチップ送受信機により、デュアル送受信機に対するサイズのコンパクト化およびコスト削減が可能となる。

包括双发送器 (LED)和双接收器 (PD)的片上芯片收发器使双收发器的紧凑尺寸和低成本成为可能。 - 中国語 特許翻訳例文集

固体撮像装置505を搭載した撮像基板502との間で信号伝送を行なうメイン基板602に第1通信装置100(半導体チップ103)を搭載し、撮像基板502に第2通信装置200(半導体チップ203)を搭載する。

第一通信设备 100(半导体芯片 103)安装在主板 602上,用于在主板 602和其上安装固态图像拾取器件 505的图像拾取板 502之间进行信号发送,并且第二通信设备 200(半导体芯片 203)安装在图像拾取板 502上。 - 中国語 特許翻訳例文集

半導体チップ203B_1は、送信側の半導体チップ103Bから送られてきたミリ波信号(送信信号Sout_2 =受信信号Sin_2)を受信側局部発振部8404への注入信号として使用し、それに基づく再生搬送信号を受信側局部発振部8404が取得する。

半导体芯片 203B_1使用从传输侧的半导体芯片 103B发送到其的毫米波信号作为到接收侧本地振荡器 8404的注入信号,该毫米波信号是传输信号 Sout_2=接收信号 Sin_2,并且接收侧本地振荡器 8404基于注入锁定获取恢复的载波信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

図5において、まず、情報処理装置200のICチップ218は、充電装置100に対して送電を要求する(ステップS502)。

在图 5中,首先,信息处理设备 200的 IC芯片 218请求充电设备 100传送功率 (步骤 S502)。 - 中国語 特許翻訳例文集

図27Cは、シーケンスa'64およびb'64に対応する相関性信号を生成する例示的な64チップ相関器1160を示す。

图 27C示出了生成对应于序列 a’64和 b’64的相关信号的示例性 64-码片相关器 1160。 - 中国語 特許翻訳例文集

1つの筐体内での信号伝送の場合は、たとえば、同一基板上に半導体チップ103Bと半導体チップ203B_1,203_2が搭載されているものと考えればよい。

在一个外壳内的信号传输的情况下,可以认为半导体芯片 103B和 203B_1和203B_2安装在相同板上。 - 中国語 特許翻訳例文集

1つの筐体内での信号伝送の場合は、たとえば、同一基板上に半導体チップ103A,103Bと半導体チップ203A,203B_1,203B_2が搭載されているものと考えればよい。

在一个外壳内的信号传输的情况下,应当考虑半导体芯片 103A和 103B以及半导体芯片 203A、203B_1和 203B_2安装在相同板上。 - 中国語 特許翻訳例文集

多層基板70にLEDチップ71を設け、このような貫通孔72を有しない場合、多層基板70が本実施の形態のガラスエポキシ基板であると、LEDチップ71から発生する熱の放熱性がよいとは言えない。

如果 LED芯片 71配置在不具有通孔 72的叠层基片 70上,并且如本实施例中叠层基片 70为环氧玻璃基片,LED芯片 71产生的热将无法有效的散发出去。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、他のチップ(図の例では半導体チップ203B_2側)へ再生搬送信号を渡すことになるので、その配線L2の長さによっては位相遅延の影響が心配される。

要注意,因为恢复的载波信号传递到不同芯片,在图 11的实例中,传递到半导体芯片 203B_2侧,依赖于到半导体芯片 203B_2的布线 L2的长度,担心相位延迟的影响。 - 中国語 特許翻訳例文集

一実施形態において、送受信機10は、LED(発光ダイオードまたはレーザダイオード)およびPD(光検出器)を搭載したチップオンチップの送受信機である。

在一个实施例中,收发器 10是包括 LED(发光二极管或半导体激光器 )和 PD(光电检测器 )的片上芯片收发器。 - 中国語 特許翻訳例文集

コントローラー130は、画像処理装置130の主要機能を搭載したチップ(SoC)などで構成され、画像処理装置130全体を制御する。

控制器 130由承载了图像处理装置 100的主要功能的芯片 (SoC)等构成,其对图像处理装置 100整体进行控制。 - 中国語 特許翻訳例文集

一実施形態例において、回路-チップ間(またはチップ-チップ間)通信は、例えば、パルス幅変調、IIC、パラレルデジタルインターフェースのような方法またはその他の方法及び技術上既知のチップ-チップ間信号プロトコルを用いる、10〜100kB/秒の範囲で動作する1線式または2線式のシリアルインターフェースを用いて、実施される。

在一示例性实施例中,电路至芯片 (或芯片至芯片 )通信是使用例如运行在10-100kB/s范围内的单线或双线串行接口、使用例如脉宽调制的方法、IIC、并行数字接口或其它业内已知的方法和芯片至芯片信号协议来实现的。 - 中国語 特許翻訳例文集

この場合、半導体チップ203Aは搬送周波数f2についても同期検波し得るが低域通過フィルタ8412を通すことでその成分がカットされ伝送対象信号SIN_2の成分が復元されることはない。

在该实例中,尽管半导体芯片 203A也可以利用载波频率 f2执行同步检测,但是因为传输信号 Sout_2通过低通滤波器 8412以截除传输信号 Sout_2的分量,所以没有恢复传输对象信号 SIN_2的分量。 - 中国語 特許翻訳例文集

1つの実施形態では、ネットワーク装置400が、バス422に結合された少なくとも1つのASICチップ(図示せず)を含むことができる。

在一个实施例中,网络设备 400可包括耦合到总线 422的至少一个 ASIC芯片 (未示出 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

水平走査部12や垂直走査部14などの駆動制御部7の各要素は、画素アレイ部10とともに、半導体集積回路製造技術と同様の技術を用いて単結晶シリコンなどの半導体領域に一体的に形成されたいわゆる1チップもの(同一の半導体基板上に設けられているもの)として、本実施形態の固体撮像装置1が構成される。

根据本实施例的固态成像器件 1以单芯片器件 (提供在同一半导体衬底上 )的形式构成,其中在单晶硅或其他半导体区域中使用与半导体集成电路制造技术相同的技术而集成地形成驱动控制部件 7的各个组件 (如水平和垂直扫描部件 12和 14)与像素阵列部件 10。 - 中国語 特許翻訳例文集

機器間での信号伝送の場合は、たとえば、第1通信装置100C側の筐体190Cと第2通信装置200C側の筐体290Cが図中の点線部分を搭載(載置)箇所として、半導体チップ103A,103Bが収容された第1通信装置100Cを具備する電子機器に対して半導体チップ203A,203B_1,203_2が収容された第2通信装置200Cを具備する電子機器が載置されると考えればよい。

然而,在不同装置之间的信号传输的情况下,例如,包括其中容纳半导体芯片 203A、203B_1和 203B_2的第二通信设备 200C的电子装置放置在包括其中容纳半导体芯片 103A和 103B的第一通信设备 100C的电子装置上,使得第一通信设备侧 100C的外壳 190C和第二通信设备 200C侧的外壳 290C安装或放置在由图12中的虚线单独指示的位置。 - 中国語 特許翻訳例文集

これにより、一対の対応する64チップの補完ゴーレイシーケンスを生成する一対のベクトルW''64およびW''64を、WiおよびDiをベクトルW128およびD''128から除去することで得ることができる。 対応する64チップ相関器は、W128およびD''128が定義する128チップ相関器から、WiおよびDiに関するステージを除去することで構築することができる。

因此用于生成相对应的 64-码片互补格雷序列的矢量对 W”64和 D”64可以通过从矢量 W128和 D”128中去除元素 Wi和 Di来得到。通过从由 W128和 D”128定义的 128-码片相关器中去除与 Wi和 Di相关联的级而构造出对应的 64-码片相关器。 - 中国語 特許翻訳例文集

簡素化を目的にこれらのブロックを個別の存在として示すが、当然のことながら実際には、設計上の事項および半導体技術の状態に応じて個別のチップ、単一のチップ、または1つ以上デバイスのあらゆる好適な組み合わせで実装されてよい。

应明白,为了简单起见,将这些块作为独立实体加以介绍,但实际上,取决于设计考虑和半导体技术的状况,它们可作为独立芯片实现、在单个芯片中实现、或在一个或多个装置的任何合适组合中实现。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、アンテナをチップに直接に形成する技術を適用することで、伝送路結合部108も半導体チップ103に組み込むようにすることもできる。

顺便提及,通过应用直接在芯片上形成天线的技术也可以将传输线耦合部分 108并入半导体芯片 103。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、アンテナをチップに直接に形成する技術を適用することで、伝送路結合部108も半導体チップ103に組み込むようにすることもできる。

要注意,还可以应用在芯片上直接形成天线使得传输路径耦合器 108也并入半导体芯片 103中的技术。 - 中国語 特許翻訳例文集

本明細書に開示される制御装置を使用することで、火炎を当該チップの内部から移動させて、当該シェルを冷却することができる。 これにより、もはや当該チップ本体が内部火炎により台無しにされることはない。

使用于此公开的控制装置从该尖端的内部移除火焰将使得壳体冷却,意味着尖端的主体不再受到内部火焰的危害。 - 中国語 特許翻訳例文集

送信側の半導体チップ103Bは、たとえば、送信側局部発振部8304で生成された搬送周波数f2の搬送信号を伝送対象信号SIN_2に基づきASK方式で変調することでミリ波の送信信号Sout_2 に周波数変換する。

传输侧的半导体芯片 103B基于传输对象信号 SIN_2,通过 ASK方法调制传输侧本地振荡器 8304中生成的载波频率 f2的载波信号,以便频率转换接收信号 Sin_2为毫米波的传输信号 Sout_2。 - 中国語 特許翻訳例文集

ベース部材32の上面(部品搭載面)32cには受光素子33と増幅器34の半導体チップが搭載されている。

光接收元件 33和放大器 34的半导体芯片设置在基底部件 32的顶面 (部件布置面 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

CPU311は、印刷装置20、120、220、420、520の全体制御をおこなうものであり、NB313、MEM−P312およびSB314からなるチップセットを有し、このチップセットを介して他の機器と接続される。

CPU 311控制打印装置 20、120、220、420、520。 CPU 311包括由 NB 313、MEM-P 312和 SB 314构成的芯片组,并通过该芯片组连接到其他设备。 - 中国語 特許翻訳例文集

代わりに、(例えば、図6におけるような)RFICトランシーバを使用してもよい。 RFICトランシーバでは、出力電力が、例えば、+15dBm程度であるので、比較的単純な低電力SAWフィルタ、または、これに類するものが、受信帯域におけるその広帯域ノイズを阻止でき、そして低利得オフチップ単一広帯域電力増幅器、または2つの低利得のより狭帯域の電力増幅器を使用できる。

替代地,可使用 RFIC收发机 (例如,如图 6中的 ),其中输出功率可例如在 +15dBm的量级上,以使得相对简单的低功率 SAW滤波器等可抑制其在接收频带上的宽带噪声,并且可使用低增益片外单宽带功率放大器或两个低增益窄带功率放大器。 - 中国語 特許翻訳例文集

この場合、半導体チップ203B_1は搬送周波数f1に注入同期することはなく、再生搬送信号を使って同期検波し低域通過フィルタ8412を通すことで、搬送周波数f1の送信信号Sout_1 を半導体チップ203B_1で復調処理したとしても、伝送対象信号SIN_1の成分が復元されることはない。

在该实例中,半导体芯片 203B_1不与载波频率 f1注入锁定,并且即使载波频率 f1的传输信号 Sout_1使用恢复的载波信号经历同步检测,并且通过低通滤波器 8412,然后通过半导体芯片 203B_1经历解调处理,也没有恢复传输对象信号 SIN_1的分量。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、内蔵された半導体チップとリードをワイヤボンディングにより接続する構造の半導体集積回路装置において、半導体チップの接続用パッドの接続経路を変更するための信号線を有する配線板上に半導体チップを搭載することが記載されている。

此外,描述了一种半导体集成电路装置,其中内置半导体芯片通过引线接合连接到导线。 在该装置中,半导体芯片安装在具有用于改变半导体芯片的连接焊盘的连接路径的信号线的布线板处。 - 中国語 特許翻訳例文集

筐体190B内の半導体チップ103Bと筐体290B内の半導体チップ203Bは、配設位置が特定(典型的には固定)されたものとなるので、両者の位置関係や両者間の伝送チャネルの環境条件(たとえば反射条件など)を予め特定できる。

因为外壳 190B中的半导体芯片 103B和外壳 290B中的半导体芯片 203B具有指定的 (典型地为固定的 )安排位置,半导体芯片 103B和半导体芯片 203B的位置关系以及它们之间的传输信道的环境条件 (如例如反射条件 )可以预先指定。 - 中国語 特許翻訳例文集

つまり、半導体チップ203B_1が搬送周波数f2に注入同期しているときに搬送周波数f1の変調信号を受信しても、搬送周波数f1の成分の干渉の影響を受けることはない。

换句话说,在半导体芯片 203B_1与载波频率 f2注入锁定时,即使接收载波频率 f1的调制信号,注入锁定也不受载波频率 f1的分量的干扰的影响。 - 中国語 特許翻訳例文集

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