「たいとらんじすた」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

本実施形態において、駆動トランジスタTd1および負荷トランジスタTs1以外のトランジスタは、スイッチとして働き、ゲートに接続されている制御線のオンで導通し、オフで遮断することとする。

假定在本实施例中，除驱动晶体管 Td1和负荷晶体管 Ts1以外的晶体管作为随着连接至栅极的控制线接通和断开而接通和断开的开关作用。 - 中国語 特許翻訳例文集

一実施形態では、スイッチ82は2つのトランジスタで構成されている。

在一个实施例中，开关 82包含两个晶体管。 - 中国語 特許翻訳例文集

図4a及び図4bは、行選択トランジスタ112を加えられた本発明の代替の実施形態を示す。

图 4a及图 4b展示本发明的添加了行选择晶体管 112的替代实施例。 - 中国語 特許翻訳例文集

これらの実施形態は、行選択トランジスタが付加された点を除いて、図3と同じである。

除添加了行选择晶体管外，这些实施例与图 3相同。 - 中国語 特許翻訳例文集

このとき、駆動トランジスタN2及び有機EL素子OLEDは共にオフ状態である。

此时，所述驱动晶体管 N2和所述有机 EL器件 OLED都处于关断状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

このときMOSトランジスタ25が導通しているので、クランプ容量の他方の端子は電源電圧VGRに接続された状態となる。

在该状态下，由于 MOS晶体管 25处于 ON状态，因此，箝位电容器的端子中的另一个与电源电压 VGR连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

すると、表示部16は、一覧画面ICHのなかに、一覧表示制御部114から出力されてきた一覧を表示する。

然后，显示部件16在列表画面 ICH上显示已从列表显示控制部件 114输出的列表。 - 中国語 特許翻訳例文集

第2設定トランジスタ621は、タイミング制御回路200から供給された維持制御信号に基づいて、第2負荷トランジスタ624のゲート端子に接続された負荷トランジスタゲート線622と、基準電流線601と間の接触の有無を切り替えるスイッチである。

第二设置晶体管 621是被适配为基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号、在连接到第二负载晶体管 624的栅极端子的第二负载晶体管栅极线 622和参考电流线 601之间出现接触和不出现接触间进行切换的开关。 - 中国語 特許翻訳例文集

リモートコマンダー100Aは、制御対象機器200から受信した対応サービス一覧から対応サービス一覧画面を生成し（ステップS104）、生成した対応サービス一覧画面を表示する（ステップS105）。

遥控器 100A从自控制目标设备 200接收的可用服务列表，生成可用服务列表屏幕(步骤 S104)，并且显示生成的可用服务列表屏幕 (步骤 S105)。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、L3およびL4ならびに対応するトランジスタは、低直線性受信モードで使用されてよい。

另外，L3及 L4以及对应晶体管可用于低线性接收模式中。 - 中国語 特許翻訳例文集

これにより、駆動トランジスタN2は、飽和領域で動作する状態に制御される。

相应地，所述驱动晶体管 N2被控制为在饱和的状态中操作。 - 中国語 特許翻訳例文集

設定トランジスタ611は、タイミング制御回路200から供給される維持制御信号に基づいて、負荷トランジスタ614のゲート端子に接続された負荷トランジスタゲート線612と、基準電流線601と間の接触の有無を切り替えるスイッチである。

设置晶体管 611是被适配为基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号、在连接到负载晶体管 614的栅极端子的负载晶体管栅极线 612和参考电流线 601之间出现接触和不出现接触间进行切换的开关。 - 中国語 特許翻訳例文集

すると、表示部16は、一覧表示制御部114から出力されてきた一覧画面ICHの画像データを表示する。

然后，显示部件 16显示已从列表显示控制部件 114输出的列表画面 ICH的图像数据。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、その駆動タイミングと駆動トランジスタN2の電位状態の変化は、前述した図15及び図16を参考に説明する。

将参考上面图 15A至 15E和图 16A至 16E说明所述驱动晶体管 N2的驱动时序和电位状态的变化。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6Bは、本発明の一実施形態に係る、ランプ発生器（図2の203、204、210及び211）のトランジスタレベルでの実装例610を示したものである。

图 6B说明根据本发明的一个实施例的斜坡产生器 (图 2的 203、204、210和 211)的晶体管级实现 610。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6Cは、本発明の一実施形態に係る、ランプ発生器（図2の203、204、210及び211）のトランジスタレベルでの実装例620を示したものである。

图6C说明根据本发明的另一个实施例的斜坡产生器(图2的203、204、210和211)的晶体管级实现 620。 - 中国語 特許翻訳例文集

container＿IDレジスタは、ブランチ装置、複合シンク装置及び複数のトランスポートを有する如何なる装置でも対応されてよい。

分支设备、复合宿设备以及具有多传输的任何设备上都可支持 container_ID寄存器。 - 中国語 特許翻訳例文集

container＿IDレジスタは、ブランチ装置、複合シンク装置及び複数のトランスポートを有する如何なる装置でも対応されてよい。

可在分支设备、复合宿设备和具有多传输的任何设备上支持 container_ID寄存器。 - 中国語 特許翻訳例文集

初期化タイミングが到来すると、書込制御線WSLはHレベルに制御され、サンプリングトランジスタN1はオン状態に切り替わる。

当初始化时刻到来时，所述写控制线 WSL被控制为处于 H电平，且所述采样晶体管 N1被切换为导通状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

単位画素2aでは、増幅トランジスタ23はオンしているが、アドレストランジスタ24が選択解除によりオフしたので、ドレイン端子が電源から切り離された状態となる。

在单位像素 2a中，虽然放大晶体管 23导通，但由于地址晶体管 24基于选择解除而被截止，因此漏极端子成为从电源被切断的状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

図2に示すように、リモートコマンダー100Aは、制御対象機器200から受信した対応サービス一覧を、例えば、対応サービス一覧画面131aとして表示することができる。

如图 2所示，例如，遥控器 100A可以显示从控制目标设备 200接收的可用服务列表作为可用服务列表屏幕 131a。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体的には、図2において、負荷トランジスタ31のゲートに図5に示すスイッチングパルスLOADを印加することで、負荷トランジスタ31にスイッチ素子としての役割を持たせる。

更具体地说，在图 4中，图 7所示的开关脉冲 LOAD被提供到负载晶体管 31的栅极，这使负载晶体管 31充当开关元件。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、表示部16がタブTB1に対応する図5に示した一覧画面ICHを表示している間、タブ選択部115が一覧表示制御部114へタブTB2を通知した場合、ステップS5にて、表示部16は、当該タブTB2に対応する一覧を示す図6の一覧画面ICHを表示する。

例如，在显示部件 16显示与标签 TB1相对应且在图 6中示出的列表画面 ICH时，如果标签选择部件 115向列表显示控制部件 114通知标签 TB2，则在步骤 5，显示部件 16显示对与标签 TB2相对应的列表进行显示列表画面 ICH，该列表画面 ICH在图 7中被示出。 - 中国語 特許翻訳例文集

この状態の画素（1，1）においては、リセットトランジスタT1がオフの状態なので、続けて、画素信号読みを行う。

在该状态下，由于在像素 (1，1)处复位晶体管 T1保持断开，因此像素信号读取操作继续。 - 中国語 特許翻訳例文集

1水平走査期間内において、まず、変換領域103−1、103−2の電圧をリセットするために、リセットトランジスタ104−1、104−2および選択トランジスタ106−1、106−2がオン状態にされる。

在水平扫描时间周期中，首先，复位晶体管 104-1和104-2以及选择晶体管 106-1和 106-2被接通，以便分别复位转换区域 103-1和 103-2的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間t4でリセットパルスRSTが“H”レベルとなり、リセットトランジスタ23がオン状態になることによってFD部26のみをリセットし、期間t5で選択電源電位SELVDDが“L”レベルになり、FD部26の電位を増幅トランジスタ24の閾値よりも低い電位とすることで、当該増幅トランジスタ24がオフして画素を非選択状態とする。

在时段 t4，通过使得复位脉冲 RST为“H”电平并且使得复位晶体管 23处于导通状态，仅仅复位 FD区 26，并且在时段 t5，通过使得选择电源电势 SELVDD为“L”电平并且使得FD区 26的电势低于放大晶体管 24的阈值，放大晶体管 24被关断，以使得像素处于未选定状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

但し、このときのFD25の電圧は増幅トランジスタ23の閾値以下であるから、増幅トランジスタ23はソースフォロワ回路動作の開始をスタンバイしている状態になる。

但是，由于此时的 FD25的电压为放大晶体管 23的阈值以下，放大晶体管 23成为准备开始源极跟踪器电路动作的状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間t0でリセットパルスRSTが“H”レベルになり、リセットトランジスタ23がオン状態になることによってFD部26をリセットする。

在时段 t0，通过使得复位脉冲 RST为“H”电平并且使得复位晶体管 23处于导通状态，复位 FD区 26。 - 中国語 特許翻訳例文集

図3に示す各信号は、図2で示した各信号と対応し、ハイレベルであるときに対応するMOSトランジスタが導通状態になり、ローレベルで非導通状態となる。

图 3示出图 2A所示的信号的电平。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6に示す各信号は、図5で示した各信号と対応し、ハイレベルであるときに対応するMOSトランジスタが導通状態になり、ローレベルで非導通状態となる。

图 6示出图 5所示的信号的电平。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加された状態は、ステップS10まで継続される。

这里，选择脉冲 SEL施加至选择晶体管 147栅电极的状态持续到步骤 S10。 - 中国語 特許翻訳例文集

垂直信号線122に接続された全ての画素の選択トランジスタ25をオフした状態（選択パルスSELが低レベルの状態）で、負荷トランジスタ31をスイッチング駆動するスイッチングパルスLOADをアクティブ（例えば、電源電圧Vdd）とする。

当被连接到垂直信号线的全部像素的选择晶体管 25被关断时 (当选择晶体管处于低电平时 )，用于对开关负载晶体管 31进行开关的开关脉冲 LOAD被激活 (例如，电源电压 Vdd)。 - 中国語 特許翻訳例文集

ランプ駆動部119は、ランプ110を点灯するために高電圧を発生して放電経路を形成するイグナイター回路（図示せず）と、点灯後の安定した点灯状態を維持するためのバラスト回路（図示せず）とを備えている。

灯驱动部 119具备产生用于点亮灯 110的高电压并形成放电路径的点火电路 (未图示 )和用于维持点亮后的稳定的点亮状态的镇流电路 (未图示 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

選択トランジスタ56は、タイミング制御部26から供給される駆動信号SELに従って、増幅トランジスタ55からの電圧信号の垂直信号線57への出力をオン／オフする。

选择晶体管 56根据从时序控制部分 26提供的驱动信号 SEL，接通 /切断从放大晶体管 55到垂直信号线 57的电压信号的输出。 - 中国語 特許翻訳例文集

第2の表示領域には、光ディスクに録画されたコンテンツタイトルを読み出して一覧として表示する。

在第二显示区域读出光盘中所录制的内容标题以作为一览来进行显示。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6Bの実施形態と比較して、この実施形態では、PMOSトランジスタM6が加えられており、これにより、reset＿b信号がイネーブル状態になる、すなわちランプが中断する又は開放されると、浮いているノードfnodeがグランドレベルに引き下げられる。

在这个实施例中，与图 6B的实施例相比较，当使能 reset_b信号时，即当斜坡正被中止或放电时，PMOS晶体管 M6的增加将悬空节点 fnode下拉到接地。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、VMはPMOSトランジスタのオフのためにゲートに供給される電圧の絶対値よりも小さい電圧である。

电压 VM比向栅极供给以关断 PMOS晶体管的电压的绝对值小。 - 中国語 特許翻訳例文集

このとき、書込制御線WSLはLレベルであり、サンプリングトランジスタN1はオフ状態に制御されている。

此时，所述写控制线 WSL处于 L电平，且所述采样晶体管 N1被控制为处于关断状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

この状態において、転送トランジスタ22の制御電極に中間電圧Vfg1を印加することで、電荷Qi1の一部がFD部26へ転送される。

在此状态中，通过向转移晶体管 22的控制电极施加中间电压 Vfg1，电荷 Qi1的一部分被转移到 FD区 26。 - 中国語 特許翻訳例文集

表示部22は、ディスプレイや指示ランプ等を備え、各種の設定画面や装置の動作状態等を表示することが可能である。

显示部 22包括显示器和指示灯，并且显示该装置的各种设定屏幕和操作状况。 - 中国語 特許翻訳例文集

M個のスイッチトランジスタ14の各ゲート端子はタイミング制御回路10が制御する電流制御線16に並列に接続されている。

M个开关晶体管 14的各栅极端子并联地连接在定时控制电路 10所控制的电流控制线 16上。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、一覧画面ICH内のタブと特定の単語とを対応付けておき、該タブが選択された際に当該特定の単語から連想される単語候補の一覧である連想変換候補の一覧を表示するようにしてもよい。

例如，列表画面 ICH上的标签可以被使得与特定字词相对应，并且当该标签被选择时，作为从该特定字词联想的字词候选的列表的联想变换候选的列表可被显示。 - 中国語 特許翻訳例文集

使用することができる記憶媒体の幾つかの例は、ランダムアクセスメモリ（RAM）と、読み取り専用メモリ（ROM）と、フラッシュメモリと、EPROMメモリと、EEPROMメモリと、レジスタと、ハードディスクと、取り外し可能なディスクと、CD−ROMと、等を含む。

可使用的存储介质的一些例子包括随机访问存储器 (RAM)、只读存储器 (ROM)、闪存、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、可移动盘、CD-ROM等。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、特許文献1は、デジタルカメラなどの撮影機器に記録媒体が装着されたときに、アクセスランプなどの情報提示手段を用いて、撮影機器と記録媒体との間でどのような通信が行われているかをユーザに通知する技術を開示する。

例如，专利文献 1公开了如下技术： - 中国語 特許翻訳例文集

この第2リセットトランジスタTr16は、そのリセットゲートをオーバーフローゲートとし、そのドレインをオーバーフロードレインとした、いわゆるオーバーフロードレイン機構として構成される。

第二复位晶体管Tr16被配置为所谓的溢出沟道机构(overflow drain mechanism)，其具有用作溢出栅极的复位栅极以及用作溢出漏极的漏极。 - 中国語 特許翻訳例文集

つまり、リモートクライアント103は、上述したトランスコードの変換体系（その中に含まれる各クリップの素性）を表すファミリーツリー（FT）等をモニタに表示する等して、ユーザに提示する。

即，远程客户端 103通过将表示上述的转码的转换体系 (包含在其中的各剪辑的来历 )的家谱树 (FT)等显示在监视器上等来向用户进行提示。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、「CMOS」に含まれる「金属酸化物半導体」という用語は、従来は、半導体に形成される酸化物材料に金属ゲートが形成された電界効果トランジスタの物理構造のことを示す。

例如，术语“CMOS”中的短语“金属氧化物半导体”传统上可以表示在氧化物材料上形成金属栅极的场效应晶体管的物理结构，其形成于半导体上。 - 中国語 特許翻訳例文集

その後、第1実施の形態で説明したと同様に、1画素行毎に読み出しトランジスタTr12がオン状態となり、通常画素22の合算信号電荷（eS1＋eM1＋eM2）がフローティングディフージョン部（FD）37へ読み出される。

此后，如第一实施例的前述说明中所述的那样逐个像素行地接通读晶体管 Tr12，使普通像素 22的合并信号电荷 eS1+eM1+eM2被读出到浮动扩散部 (FD)37。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図4】本実施形態に係る4つのトランジスタで構成されるCMOSイメージセンサの画素の一例を拡大して示す図である。

图 4放大地描述了根据实施例的具有 4个晶体管的 CMOS图像传感器中的像素的例子； - 中国語 特許翻訳例文集

図4は、本実施形態に係る4つのトランジスタで構成されるCMOSイメージセンサの画素の一例を拡大して示す図である。

图 4放大地描述了根据实施例的具有 4个晶体管的 CMOS图像传感器中的像素的例子。 - 中国語 特許翻訳例文集