「たいばんけいせい」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

全体の作業計画の管理看板を作成する。

作全体工作计划的管理板子。 - 中国語会話例文集

警察や裁判所にその製品を売り込みたいと思っている。

我想向警察局和法院兜售那件产品。 - 中国語会話例文集

センス回路部120は、第1の半導体基板SUB1と異なる第2の半導体基板SUB2に形成される。

感测电路部分 120形成在不同于第一半导体基底 SUB 1的第二半导体基底 SUB2上。 - 中国語 特許翻訳例文集

対向基板20におけるTFTアレイ基板10との対向面上には、遮光膜23が形成されている。

在对向基板 20中的与 TFT阵列基板 10的对向面上，形成遮光膜 23。 - 中国語 特許翻訳例文集

この画素アレイ部110は、たとえば第1の半導体基板SUB1に形成される。

像素阵列部分 110例如形成在第一半导体基底 SUB1上。 - 中国語 特許翻訳例文集

8. 前記弾性支持板が「S」字形態で構成される、請求項1〜7のいずれかに記載の携帯端末機用スライド式カバー開閉装置。

8.根据权利要求 1所述的便携式终端机滑盖开合装置，其特征在于： 所述弹性支撑板呈“S”形。 - 中国語 特許翻訳例文集

一実施形態において、バイアス電圧Vb417は、バンドギャップ回路（図示せず）によって生成される。

在一个实施例中，由带隙电路(未示出 )产生偏压 Vb 417。 - 中国語 特許翻訳例文集

テーブル502は、出力ポート番号に対応する、最大流量帯域の合計、平均流量帯域の合計から構成される。

表 502由与输出端口号对应的最大流量带宽的合计、平均流量带宽的合计构成。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、回路ブロック200は半導体基板SUB2Aに積層された異なる半導体基板SUB2Bにアレイ状に敷き詰められて形成されている。

在半导体基底 SUB2A上层叠的不同半导体基底 SUB2B上以阵列布置电路块 200。 - 中国語 特許翻訳例文集

すなわち、スライダ154を、金属板を加工して形成する際に、支軸受け部157も一体的に形成している。

也就是说，在加工金属板形成滑动器 154时，使其与支承轴轴承部 157一体地形成。 - 中国語 特許翻訳例文集

たとえば第1の半導体基板SUB1に形成された複数の画素DPXと第2の半導体基板SUB2に形成された複数のセンス回路121がそれぞれ1対1で対向するように積層される。

例如，以这样的方式执行层叠，使得在第一半导体基底 SUB 1上形成的多个数字像素 DPX一对一地面对在第二半导体基底 SUB2上形成的多个感测电路 121。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図8】本実施形態の番組表（配信テーブル）の構成イメージを示す図である。

图 8表示实施方式的节目表 (分配表 )的构成图像。 - 中国語 特許翻訳例文集

図2の例においては、再生対象のコンテンツがサッカー中継の番組とされている。

在图 2所示的示例中，要再现的内容是足球广播。 - 中国語 特許翻訳例文集

別の実施形態では、制御信号は、ディジタル・ベースバンドICから直接送信される。

在其它实施例中，直接从数字基带 IC发送控制信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

基板は、SLMデバイス108と統合され、単一の光学組立体を形成することができる。

可以将该衬底与 SLM108集成以形成单个光学组件。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図2】第1の実施形態に係るメモリ基板周辺の構成を示す側面図である。

图 2是示出根据第一示例性实施方式的存储器基板周边的构造的侧视图。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図6】第2の実施形態に係るメモリ基板周辺の構成を示す側面図である。

图 6是示出根据第二示例性实施方式的存储器基板周边的构造的侧视图。 - 中国語 特許翻訳例文集

光照射部59の回路基板59Aには、ねじ孔82に対応して複数（本実施形態では、4つ）の貫通孔83が形成されている。

在光照部件 59的电路板 59A中，形成有与螺纹孔 82对应的多个 (在本示例性实施方式中为四个 )通孔 83。 - 中国語 特許翻訳例文集

図4に示した多層基板70は、図3に示した多層基板70に対し、多層基板70を構成する単一基板70a，70b，70c，70d間に形成される金属膜77a，77b，77cを更に有している。

比较图 3所示的叠层基片 70，图 4所示的叠层基片 70还包括形成在单层基片 70a、70b、70c和 70d之间的金属膜 77a、77b和77c。 - 中国語 特許翻訳例文集

p型半導体領域1306を、マイクロリング1302の内側の半導体基板で（または、該半導体基板に）形成することができ、n型半導体領域1308及び1310を、マイクリング1032の外側を囲む半導体基板であって導波路1304の反対側にある半導体基板で（または、該半導体基板に）形成することができる。

p型半导体区域 1306可以在微环 1302的半导体衬底内部形成，并且 n型半导体区域 1308和1310可以在包围微环 1302的外面的半导体衬底中和波导 1304的相对侧上形成。 - 中国語 特許翻訳例文集

位置固定板85の当接面側には、左仕切側板62に形成された位置決め穴86に嵌る位置決めピン87が外向き突設されている。

在位置固定板 85的抵接面侧，向外凸出设置有定位销 87，该定位销 87嵌合在左隔开侧板 62上形成的定位孔 86中。 - 中国語 特許翻訳例文集

他の実施形態では、マイクロリング1302の内側の半導体基板にn型半導体領域1306を形成し、マイクロリング1302の外側を囲む半導体基板にp型半導体領域1308及び1310を形成することによってドーパントを逆にすることができる。

在其他实施例中，可以通过在微环 1302的半导体衬底内部形成 n型半导体区域 1306并且在包围微环 1302外面的半导体衬底中形成 p型半导体区域 1308和 1310来反转这些掺杂剂。 - 中国語 特許翻訳例文集

テーブル501は、論理ポート番号、VLAN識別子、出力ポート番号、最大流量帯域、平均流量帯域及び、論理ポートごとの最大流量帯域の合計、平均流量帯域の合計から構成される。

表 501由逻辑端口号、VLAN识别符、输出端口号、最大流量带宽、平均流量带宽以及每个逻辑端口的最大流量带宽的合计、平均流量带宽的合计构成。 - 中国語 特許翻訳例文集

つまり、液晶表示パネル300の下部面には下部偏光板12が形成され、その上には下部基板である薄膜トランジスタ基板310が形成され、これに対向する位置には上部基板320が形成され、上部基板320と薄膜トランジスタ基板310との間には液晶層330が位置している。

也就是说，在显示面板 300的下表面形成有下偏振片 12，在下偏振片上形成有作为下基板的薄膜晶体管基板 310，形成有面向薄膜晶体管基板的上基板 320，并且，在上基板 320和薄膜晶体管基板 310之间形成有液晶层 330。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図10】ベースバンド信号からOFDM信号を形成するための、本発明による基地局装置の一実施形態の基本原理を示すブロック図。

图 10是示出根据本发明用于从基带信号形成 OFDM信号的基站布置的实施例的基本原理的框图； - 中国語 特許翻訳例文集

【図11】ベースバンド信号からOFDM信号を形成するための、本発明による方法の一実施形態の基本原理を示すフロー図。

图 11是示出根据本发明用于从基带信号形成 OFDM信号的方法的实施例的基本原理的流程图； - 中国語 特許翻訳例文集

【図12】ベースバンド信号からOFDM信号を形成するための、本発明による基地局装置の他の実施形態のブロック図。

图 12是根据本发明用于从基带信号形成 OFDM信号的基站布置的另一实施例的框图； - 中国語 特許翻訳例文集

【図13】ベースバンド信号からOFDM信号を形成するための、本発明による基地局装置の他の実施形態のブロック図。

图 13是根据本发明用于从基带信号形成 OFDM信号的基站布置的另一实施例的框图； - 中国語 特許翻訳例文集

【図14】OFDM信号からベースバンド信号を形成するための、本発明による基地局装置の一実施形態の基本原理を示すブロック図。

图 14是示出根据本发明用于从 OFDM信号形成基带信号的基站布置的实施例的基本原理的框图； - 中国語 特許翻訳例文集

【図15】OFDM信号からベースバンド信号を形成するための、本発明による方法の一実施形態の基本原理を示すフロー図。

图 15是示出根据本发明用于从 OFDM信号形成基带信号的方法的实施例的基本原理的框图； - 中国語 特許翻訳例文集

【図16】OFDM信号からベースバンド信号を形成するための、本発明による基地局装置の他の実施形態のブロック図。

图 16是根据本发明用于从 OFDM信号形成基带信号的基站布置的另一实施例的框图； - 中国語 特許翻訳例文集

【図17】OFDM信号からベースバンド信号を形成するための、本発明による基地局装置の他の実施形態のブロック図。

图 17是根据本发明用于从 OFDM信号形成基带信号的基站布置的另一实施例的框图； - 中国語 特許翻訳例文集

【図2】この発明の実施の形態1による画像読取装置のセンサ基板に形成された受光部の平面図である。

图 2是本发明实施方式 1所涉及的图像读取装置的传感器基板上所形成的受光部的俯视图。 - 中国語 特許翻訳例文集

図2は、この発明の実施の形態1による画像読取装置のセンサ基板に形成された受光部の平面図である。

图 2是形成于本发明实施方式 1所涉及的图像读取装置的传感器基板上的受光部的俯视图。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、l番目の媒体チャネル係数を表わし、dkはk番目のフィンガ遅延であり、τjはj番目のチャネル遅延であり、TcはCDMAチップ幅であり、Rp（＊）は受信パルス整形フィルタの自己相関である。

其中，gl表示第 l个媒体 (medium)信道系数，dk是第 k个耙齿延迟，τj是第 j个信道延迟，Tc是 CDMA码片时长，以及 Rp(*)是接收脉冲成形滤波器的自相关。 - 中国語 特許翻訳例文集

他の実施形態では、光出力基板340のためのアクティブ・バックプレーンは、光入力基板350とは別の基板上に形成されてよい。

在其它的实施例中，针对光输出基板 340的有源底板可以在与光输入基板 350分离的基板上形成。 - 中国語 特許翻訳例文集

図1は、本発明の一実施形態である番組送出制御装置10の構成例を示している。

图 1示出了根据本发明实施例的节目发送控制设备 10的配置的示例。 - 中国語 特許翻訳例文集

これまでに生成された未処理の係数ラインのうち、最も下位レベルの係数ラインである分割レベル1の低域サブバンドの2ライン目の係数1LL2がその5回目の合成フィルタリングの対象とされる。

在已生成的但直到现在仍未处理的系数行中，作为最低等级级别的系数行的划分级别 1的低频子带中的第二行的系数 1LL2变为第五合成滤波的目标。 - 中国語 特許翻訳例文集

これまでに生成された未処理の係数ラインのうち、最も下位レベルの係数ラインである分割レベル2の低域サブバンドの2ライン目の係数2LL2がその6回目の合成フィルタリングの対象とされる。

在已生成的但直到现在仍未处理的系数行中，作为最低等级级别的系数行的划分级别 2的低频子带中的第二行的系数 2LL2变为第六合成滤波的目标。 - 中国語 特許翻訳例文集

これまでに生成された未処理の係数ラインのうち、最も下位レベルの係数ラインである分割レベル1の低域サブバンドの4ライン目の係数1LL4がその8回目の合成フィルタリングの対象とされる。

在已生成的但直到现在仍未处理的系数行中，作为最低等级级别的系数行的划分级别 1的低频子带中的第四行的系数 1LL4变为第八合成滤波的目标。 - 中国語 特許翻訳例文集

これまでに生成された未処理の係数ラインのうち、最も下位レベルの係数ラインである分割レベル3の低域サブバンドの2ライン目の係数3LL2がその9回目の合成フィルタリングの対象とされる。

在已生成的但直到现在仍未处理的系数行中，作为最低等级级别的系数行的划分级别 3的低频子带中的第二行的系数 3LL2变为第九合成滤波的目标。 - 中国語 特許翻訳例文集

これまでに生成された未処理の係数ラインのうち、最も下位レベルの係数ラインである分割レベル1の低域サブバンドの6ライン目の係数1LL6がその12回目の合成フィルタリングの対象とされる。

在已生成的但直到现在仍未处理的系数行中，作为最低等级级别的系数行的划分级别 1的低频子带中的第六行的系数 1LL6变为第十二合成滤波的目标。 - 中国語 特許翻訳例文集

これまでに生成された未処理の係数ラインのうち、最も下位レベルの係数ラインである分割レベル2の低域サブバンドの4ライン目の係数2LL4がその13回目の合成フィルタリングの対象とされる。

在已生成的但直到现在仍未处理的系数行中，作为最低等级级别的系数行的划分级别 2的低频子带中的第四行的系数 2LL4变为第十三合成滤波的目标。 - 中国語 特許翻訳例文集

これまでに生成された未処理の係数ラインのうち、最も下位レベルの係数ラインである分割レベル1の低域サブバンドの8ライン目の係数1LL8がその15回目の合成フィルタリングの対象とされる。

在已生成的但直到现在仍未处理的系数行中，作为最低等级级别的系数行的划分级别 1的低频子带中的第八行的系数 1LL8变为第十五合成滤波的目标。 - 中国語 特許翻訳例文集

このような回転板40は、両側サイド部に「U」字断面を有する凹溝形態のガイドレール51がそれぞれ形成され、このガイドレール51には図6に示すように一定の傾斜度を有する係止爪53が形成されている。

所述旋转板 40的两个侧边上分别形成有呈“∏”型端面的凹槽形状的导轨 51，所述导轨 51中形成有如图 6所示的具有一定倾斜度的挡块 53。 - 中国語 特許翻訳例文集

図を参照すると、上述した本発明の例示的な実施形態に係る携帯端末機用スライド式カバー開閉装置100において、弾性ユニット30は主に、1対の回転板40と、弾性支持板60と、弾性部材90とを含んで構成される。

如图所示，本发明实施例的便携式终端机滑动式开合装置 100中，弹性单元 30大致包括一对旋转板 40、弹性支撑板 60、弹性部件 90。 - 中国語 特許翻訳例文集

多層基板70にLEDチップ71を設け、このような貫通孔72を有しない場合、多層基板70が本実施の形態のガラスエポキシ基板であると、LEDチップ71から発生する熱の放熱性がよいとは言えない。

如果 LED芯片 71配置在不具有通孔 72的叠层基片 70上，并且如本实施例中叠层基片 70为环氧玻璃基片，LED芯片 71产生的热将无法有效的散发出去。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、本実施形態では、弾性支持板60と各回転板40の結合が安定的になされることにより、弾性ユニット30の移動および作動が安定的に行われ、全体構成の組み立ておよび製造が容易となって生産性を向上させることができる。

另外，本实施例中弹性支撑板 60和各旋转板 40的结合稳定，因此弹性单元 30的移动及动作稳定，整体结构组装简单、易于制造，并可提高生产效率。 - 中国語 特許翻訳例文集

これに対して第1例を適用して、基板202上の凹形状構成298Kと対応する位置（真下）にアンテナ236を配置する。

通过将第一示例应用于此，在与板 202上的凹陷形状配置 298K对应的位置中 (直接在凹陷形状配置 298K之下 )放置天线 236。 - 中国語 特許翻訳例文集

前述したように、各画素DPXは、対応するセンス回路121を含む支持回路の上に、異なる半導体基板で積層されて形成される。

如上所述，将各个像素 DPX布置在包括相关联的感测电路 121的支撑电路上的不同半导体基底上。 - 中国語 特許翻訳例文集