「たたきばし」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

それらの牙は咀嚼の役には立たない。

那些牙完全不能帮助咀嚼。 - 中国語会話例文集

図3に示した多層基板70は、4層構造であり、多層基板70を構成する4枚の単一基板70a，70b，70c，70dを積層した構造を採る。

图 3所示的叠层基片 70具有四层结构，包括层叠设置的四个单层基片 70a、70b、70c和 70d。 - 中国語 特許翻訳例文集

図4に示した多層基板70は、図3に示した多層基板70に対し、多層基板70を構成する単一基板70a，70b，70c，70d間に形成される金属膜77a，77b，77cを更に有している。

比较图 3所示的叠层基片 70，图 4所示的叠层基片 70还包括形成在单层基片 70a、70b、70c和 70d之间的金属膜 77a、77b和77c。 - 中国語 特許翻訳例文集

台風が過ぎ去ったので、今日は秋晴れの良い天気でした。

因为台风过去了，今天是秋天晴朗的好天气啊。 - 中国語会話例文集

シャークリペラントの目的は他社の敵対的買収に対して戦うことである。

反收购措施的目的是指抵抗其他公司的敌对收购行为。 - 中国語会話例文集

【図8】本発明のまた他の実施形態による表示パネルの第1基板の平面図である。

图 8是示出图 7的显示面板的第二基板的平面图； - 中国語 特許翻訳例文集

図5に示した多層基板70は、図4における単一基板70a，70b，70c，70dとして示している層を同一の1枚の素材として構成し、その中に金属膜77a，77b，77cを形成したものである。

图 5所示的叠层基片 70中，如图 4所示的单层基片 70a、70b、70c和 70d形成单一元件，而金属膜 77a、77b和 77c形成在这个单一元件之中。 - 中国語 特許翻訳例文集

センサ基板10は誘電体基板の表面に直線的に形成された多数の受光部（光電変換部）を含み受光部を駆動するシフトレジスタ、ラッチ回路及びスイッチなどの駆動回路部からなる。

传感器基板 10包括多个在介质基板表面形成为直线形的受光部 (光电转换部 )，由驱动受光部的移位寄存器、锁存电路及开关等驱动电路部构成。 - 中国語 特許翻訳例文集

画素電極9aを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号S1、S2、・・・、Snは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。

经由像素电极 9a，写入作为电光物质一例的液晶的规定电平的图像信号 S1、S2、...、Sn，与形成于对向基板的对向电极之间保持一定期间。 - 中国語 特許翻訳例文集

「初期バッファ遅延時間」は、受信後デコード処理を行うまで行う処理にかかる処理遅延、最大処理遅延ジッタ値、および最大ネットワークジッタ値等を用いた、例えば、以下の式（9）のように求められる。

“初始缓冲器延迟时间”例如是利用在接收之后直到解码处理被执行为止的处理延迟、最大处理延迟抖动值以及最大网络抖动值等，通过下式 (9)来获得的。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、ここでは、「回復用FECブロック元データ単位」が「非圧縮データブロック」1個分であるものとし、「初期バッファ遅延時間」を決定するパラメータbuf_paramを1と設定する。

另外，这里，“用于复原的 FEC块原始数据单位”与一个“未经压缩数据块”相对应，并且用于确定“初始缓冲器延迟时间”的参数 buf_param被设置为 1。 - 中国語 特許翻訳例文集

読み出し処理部282は、例えば、ストリームの最初のパケットをタイミング規定パケットとし、その到着時刻から、「初期バッファ遅延時間」遅れた時刻を最初のパケットに付加されたタイムスタンプ値に対するデコード再生予定時刻とし、以降のパケットに関しては付加されたタイムスタンプに同期した時刻をデコード再生予定時刻として処理を行う。

读取单元 282例如将流中的第一分组设置为定时定义分组，指定从其到达时间起被延迟了“初始缓冲器延迟时间”的时间作为解码再现安排时间，用于被添加到第一分组的时间戳值，并且利用与作为解码再现安排时间的所添加时间戳同步的时间来读取后续分组。 - 中国語 特許翻訳例文集

FECブロック元データ単位を大きく設定すれば、一般にバーストパケット損失耐性は高くなるが「初期バッファ遅延時間」にFECブロック内パケット受信時間を含めるように設定した場合、高遅延となってしまう。

如果 FEC块原始数据单位被设置得较大，则通常突发分组丢失抵抗力被提高，但是当 FEC块原始数据单位被设置为使得 FEC块内的分组接收时间被包括在“初始缓冲器延迟时间”中时，延迟会大幅增加。 - 中国語 特許翻訳例文集

回復用FECブロック元データ単位決定部341は、例えばユーザ等に与えられる目標遅延時間（許容されるネットワークシステム100全体の処理の遅延時間）を用いて以下の式（10）を満たすように「初期バッファ遅延時間」を設定する。

复原用 FEC块原始数据单位设置单元 341例如利用由用户等给予的目标延迟时间(在整个网络系统 100的处理中可允许的延迟时间 )来设置“初始缓冲器延迟时间”以满足下式 (10)。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1実施の形態に係る固体撮像装置31は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第一实施例的固体摄像装置 31具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集

第2実施の形態に係る固体撮像装置61は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第二实施例的固体摄像装置 61具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集

第3実施の形態に係る固体撮像装置63は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第三实施例的固体摄像装置 63具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集