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「だいなみっくめもり」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 11



RAM P115は、ダイミックランダムアクセスメモリ(DRAM)、同期型ダイミックランダムアクセスメモリ(SDRAM)、および/または他の任意のタイプのRAM装置によって実装されてよく、ROMはフラッシュメモリおよび/または他の任意の所望のタイプのメモリ装置によって実装されてよい。

RAM P115可以由动态随机存储器 (DRAM)、同步动态随机存储器 (SDRAM)和 /或任意其它类型的 RAM设备实现,而 ROM可以由闪存和 /或任意其它期望类型的存储设备实现。 - 中国語 特許翻訳例文集

コンピューターシステム500は、情報又はプロセッサー504により実行すべき命令を記憶するために、ランダムアクセスメモリー(RAM)、又はその他のダイミックメモリーのような主メモリー508も備えることができる。

计算系统500也可以包括主存储器508,诸如随机存取存储器(RAM)或其他动态存储器,用于存储由处理器 504执行的信息和指令。 - 中国語 特許翻訳例文集

コンピュータ可読媒体は、ランダムアクセスメモリ(RAM)、シンクロナスダイミックランダムアクセスメモリ(SDRAM)、読取り専用メモリ(ROM)、不揮発性ランダムアクセスメモリ(NVRAM)、電気消去可能プログラマブル読取り専用メモリ(EEPROM)、フラッシュメモリ、磁気または光学データ記憶媒体などのコンピュータデータ記憶媒体を備えることができる。

计算机可读媒体可包含计算机数据存储媒体,例如,随机存取存储器 (RAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、只读存储器 (ROM)、非易失性随机存取存储器 (NVRAM)、电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)、快闪存储器、磁性或光学数据存储媒体等。 - 中国語 特許翻訳例文集

コンピュータ可読媒体は、ランダムアクセスメモリ(RAM)、同期ダイミックランダムアクセスメモリ(SDRAM)、読取り専用メモリ(ROM)、不揮発性ランダムアクセスメモリ(NVRAM)、電気消去可能プログラマブル読取り専用メモリ(EEPROM)、フラッシュメモリ、磁気または光学データ記憶媒体などのコンピュータデータ記憶媒体を備えることができる。

计算机可读媒体可包含计算机数据存储媒体,例如随机存取存储器 (RAM)、同步动态随机存取存储器 (SDRAM)、只读存储器 (ROM)、非易失性随机存取存储器 (NVRAM)、电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)、快闪存储器、磁性或光学数据存储媒体等。 - 中国語 特許翻訳例文集

プラットフォーム200はメモリ装置をさらに含み、メモリ装置は、例えば、ダイミックランダムアクセスメモリ(DRAM)212、チップセット220内のスタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)222、フラッシュメモリ290に加えて、ストレージコントローラ250を介してアクセスすることが可能なストレージデバイス252をさらに含む。

平台 200还包括存储器设备,例如动态随机存取存储器 (DRAM)212、芯片组 220中的静态随机存取存储器 (SRAM)222,和闪速存储器 290,以及经由存储控制器 250可访问的存储设备 252。 - 中国語 特許翻訳例文集

4. 前記ホストは、前記メモリサブシステムが動作する間に前記自律的メモリ装置のアドレスをダイミックに決定する、請求項1に記載の方法。

4.根据权利要求 1所述的方法,其中,当所述存储器子系统操作时,所述主机动态地确定所述自主存储器装置的地址。 - 中国語 特許翻訳例文集

複数のレジスタ152A−0〜152A−3が選択回路155を介してカウント回路153Aを共有しており、カウント結果はたとえばダイミックRAM(DRAM)よりなるメモリ154Aに格納される。

多个寄存器 152A-0到 152A-3经由选择电路 155共享计数电路 153A,并且将计数结果存储在例如作为动态 RAM(DRAM)的存储器 154A中。 - 中国語 特許翻訳例文集

13. 分散型メモリサブシステム内で自律的メモリを動作する方法において、ホストからホストインターフェイスを通してダウンロードされたデータベースを記憶するステップと、分散型メモリサブシステムにおける複数のダイの構成をダイミックに決定するステップと、オペレーションをパーズして、分散型メモリサブシステムにおける複数のダイへ、自律的に実行すべく送出するステップと、結果を累積し、オペレーション完了時にホストへ報告するステップと、を備えた方法。

13.一种操作分布式存储器子系统中的自主存储器的方法,该方法包括: 存储通过主机接口从主机下载的数据库; - 中国語 特許翻訳例文集

一実施形態において、アドレッシングスキームは絶対的なもので、各自律的メモリ装置102には、自律的メモリ装置へのルートにより決定された独特のスタティックアドレスが指定され、例えば、メモリ装置は、装置の特定ポート上にあってルート装置のポートに電気的に接続されるとして指定される。 別の実施形態では、自律的メモリ装置のアドレスは、システム内で動作する間にダイミックに決定することができる。

在一个实施方式中,寻址方案可以是绝对的,其中每个自主存储器装置 102被分配有唯一的静态地址,该静态地址由到自主存储器装置的路由确定,例如,存储器装置可以被指定为在装置的特定端口上并电连接至根装置 (rootdevice)的端口。 - 中国語 特許翻訳例文集

当該格納媒体は、これらに限定されないが、フロッピー(登録商標)ディスク、光ディスク、コンパクトディスクリードオンリーメモリ(CD−ROM)、コンパクトディスクリライタブル(CD−RW)、および、光磁気ディスク等の任意の種類のディスク、リードオンリーメモリ(ROM)等の半導体デバイス、ダイミックランダムアクセスメモリ(DRAM)等のランダムアクセスメモリ(RAM)、スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)、消去可能プログラム可能リードオンリーメモリ(EPROM)、フラッシュメモリ、電気的消去可能プログラム可能リードオンリーメモリ(EEPROM)、磁気カードあるいは光カード、または、電子的に命令を格納するのに適した任意のその他の種類の媒体を含むとしてよい。

该存储介质可以包括但不限于任何类型的盘 (包括软盘、光盘、压缩盘只读存储器 (CD-ROM)、压缩盘可重写 (CD-RW)、以及磁光盘 )、半导体器件 (例如,只读存储器 (ROM),诸如动态随机存取存储器 (DRAM)、静态随机存取存储器 (SRAM)这样的随机存取存储器 (RAM),可擦可编程只读存储器 (EPROM),闪存,电可擦可编程只读存储器 (EEPROM))、磁卡或光卡、或者适用于存储电子指令的任何其他类型的媒介。 - 中国語 特許翻訳例文集


このようなクリップおよび加算を行うことによる高S/N化および広ダイミックレンジ化の処理は、例えばCMOSイメージセンサ10の後段に設けられる信号処理回路(図示せず)において、複数回読み出された画像を蓄えておくフレームメモリを用いることによって実行されることになる。

例如在后续阶段提供的 CMOS图像传感器 10的信号处理电路 (没有示出 )中,将通过使用帧存储器,执行用于通过剪切和叠加实现高的 S/N和宽的动态范围的处理,其中所述帧存储器存储多次读出的图像。 - 中国語 特許翻訳例文集





   

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