「ていでんあつだいおーど」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

このように、基準電圧駆動回路19dが駆動する基準電圧線Vref1，Vref3，および固定電圧（VDD／2）の基準電圧線Vref2の電位は、第1の実施例と同様に、転送2ビットの4通りのビットパターンに対応したデータ線10の電位の中間電位を取るようになっている。

如上，基准电压驱动电路 19d所驱动的基准电压线 Vref1、Vref3和固定电压(VDD/2)的基准电压线 Vref2的电位与第一实施例同样地，取与传输 2位中 4种位模式对应的数据线 10的电位的中间电位。 - 中国語 特許翻訳例文集

特に、ベースノード14を備えたモードA22は、特定の電源要件を有する。 それは、実例となる描写に、一定電圧vA−B、大電流iA、および入力電源上で運ばれたノイズ用の周波数感度fAを具備する。

明确地说，与基本节点 14的模式A22具有特定功率要求，其在说明性描绘中包含恒定电压 vA-B、大电流 iA，和对输入电源上携载的噪声的频率敏感性 fA。 - 中国語 特許翻訳例文集

図14では、フォトダイオード21のリセットから完全転送までの露光時間を約16msとして、最初の電圧Vtrg1による中間転送をフォトダイオード21のリセットから2ms後、2回目の電圧Vtrg2による中間転送を4ms後、3回目の中間転送を12ms後に実行した場合の、フォトダイオード21に残っている電子数を表している。

图 14表示在从光电二极管 21的复位到完全转移的曝光时间为大致 16ms的情形中，在通过第一电压 Vtrg1的中间转移比光电二极管 21的复位迟 2ms执行时，在通过第二电压 Vtrg2的中间转移比光电二极管 21的复位迟 4ms执行时，在第三次中间转移比光电二极管 21的复位迟 12ms执行时，分别在光电二极管 21中保留的电子的数量。 - 中国語 特許翻訳例文集

上述とは反対に、第1制御端子Tc1に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第1PINダイオード28a及び第3PINダイオード28cがオフ、第2制御端子Tc2に順バイアス電圧Vc1が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオンになると、図14に示すような等価回路となり、受信端子20のみがアンテナ接続端子14に高周波的に接続され、送信端子16には例えば50オームの終端抵抗Reが接続されることになる。

相反，当反向偏置电压 Vc2被施加到第一控制端子 Tc1以关断第一 PIN二极管 28a和第三 PIN二极管 28c，并且正向偏置电压 Vc1被施加到第二控制端子 Tc2以接通第二 PIN二极管 28b和第四 PIN二极管 28d时，第五天线开关 10E由图 14所示的等效电路表示，其中在高频下仅接收端子 20连接到天线连接端子 14，并且例如 50欧姆的端接电阻器 Re连接到传输端子 16。 - 中国語 特許翻訳例文集

従って、例えば第1制御端子Tc1に順バイアス電圧Vc1が印加されて第1PINダイオード28aがオン、第2制御端子Tc2に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオフになると、図12に示すような等価回路となり、送信端子16のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続され、受信端子20には例えば50オームの終端抵抗Reが接続されることになる。

因此，当正向偏置电压 Vc1被施加到第一控制端子 Tc1以接通第一 PIN二极管28a，并且反向偏置电压 Vc2被施加到第二控制端子 Tc2以关断第二 PIN二极管 28b和第四PIN二极管 28d时，第四天线开关 10D由图 12所示的等效电路表示，其中在高频下仅传输端子 16连接到天线连接端子 14，并且 50欧姆的端接电阻器 Re例如连接到接收端子 20。 - 中国語 特許翻訳例文集

従って、例えば第1制御端子Tc1に順バイアス電圧Vc1が印加されて第1PINダイオード28aがオン、第2制御端子Tc2に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオフになると、図12に示すような等価回路となり、送信端子16のみがアンテナ接続端子14に高周波的に接続され、受信端子20には例えば50オームの終端抵抗Reが接続されることになる。

因此，当正向偏置电压 Vc1被施加到第一控制端子 Tc1以接通第一 PIN二极管28a，并且反向偏置电压 Vc2被施加到第二控制端子 Tc2以关断第二 PIN二极管 28b和第四PIN二极管 28d时，第六天线开关 10F由图 12所示的等效电路表示，其中在高频下仅传输端子 16连接到天线连接端子 14，并且例如 50欧姆的端接电阻器 Re连接到接收端子 20。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、第2撮像モードのときには、受光部における連続するM1行の特定範囲に含まれる各画素部Pm,nのフォトダイオードで発生した電荷の量に応じた電圧値が信号読出部から出力される。

另一方面，在第 2摄像模式时，从信号读出部输出对应于电荷的量的电压值，该电荷的量为在包含于受光部中呈连续的M1行的特定范围的各像素部 Pm，n的光电二极管中所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、制御部40Aは、第2撮像モードのときに、受光部10Aにおける連続するM1行の特定範囲に含まれる各画素部Pm,nのフォトダイオードPDで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部20から出力させる。

另外，控制部 40A在第 2摄像模式时，使信号读出部 20输出对应于电荷的量的电压值，所述电荷的量为在包含于受光部 10A中的呈连续的M1行的特定范围的各像素部Pm，n的光电二极管 PD中所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、第2撮像モードのときには、受光部における連続するM1行またはN1列の特定範囲に含まれる各画素部Pm,nのフォトダイオードで発生した電荷の量に応じた電圧値が信号読出部から出力される。

另一方面，在第 2摄像模式时，从信号读出部输出对应于电荷的量的电压值，所述电荷的量为在包含于受光部中呈连续的M1行或 N1列的特定范围的各像素部 Pm，n的光电二极管中所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、制御部40Aは、第2撮像モードのときに、受光部10Aにおける連続するM1行またはN1列の特定範囲に含まれる各画素部Pm,nのフォトダイオードPDで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部20から出力させる。

另外，控制部 40A在第 2摄像模式时，使信号读出部 20输出对应于电荷的量的电压值，所述电荷的量为在包含于受光部 10A中的呈连续的M1行或 N1列的特定范围的各像素部 Pm，n的光电二极管 PD中所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、制御部は、(a) 第1撮像モードのときに、受光部におけるM×N個の画素部P1,1〜PM,Nそれぞれのフォトダイオードで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部から出力させ、(b) 第2撮像モードのときに、受光部における連続するM1行の特定範囲に含まれる各画素部Pm,nのフォトダイオードで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部から出力させる、ことを特徴とする。

进而，控制部的特征为 (a)在第 1摄像模式时，从信号读出部输出对应于电荷的量的电压值，该电荷的量为在受光部中的M×N个像素部 P1，1～ PM，N的各个的光电二极管中所产生的电荷的量； 及 (b)在第 2摄像模式时，从信号读出部输出对应于电荷的量的电压值，该电荷的量为在包含于受光部中呈连续的M1行的特定范围的各像素部 Pm，n的光电二极管中所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

増幅トランジスタ23は、ソースフォロワ回路を構成している期間において、リセットトランジスタ22によりリセットされた後のFD25の電圧（リセット電圧）を同レベルの画素信号に変換して垂直信号線VSLに出力し、さらに、読み出しトランジスタ21により、フォトダイオード20から信号電荷がFD25に読み出された後のFD25の電圧（リセット電圧＋変換信号電圧）を同レベルの画素信号に変換して垂直信号線VSLに出力する。

放大晶体管 23在构成源极跟踪器电路的期间中，将被复位晶体管 22复位后的 FD25的电压 (复位电压 )变换为同电平的像素信号并输出至垂直信号线 VSL，另外，通过读出晶体管 21，在从光电二极管 20将信号电荷读出至 FD25之后的 FD25的电压 (复位电压 +变换信号电压 )变换为同电平的像素信号并输出至垂直信号线 VSL。 - 中国語 特許翻訳例文集

すなわち、図1に示されるように受光部10Aにおいて信号読出部20に最も近い行が第1行となっている場合に、制御部40Aは、第2撮像モードのときに、受光部10Aにおける第1行から第M1行までの範囲を上記特定範囲として、この特定範囲（第1行〜第M1行）の各画素部Pm,nのフォトダイオードPDで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部20から出力させるのが好ましい。

即，如图 1所示，如在受光部 10A中最接近信号读出部 20的行为第 1行的情况下，优选为控制部 40A在第 2摄像模式时，将从受光部 10A中的第 1行至第M1行为止的范围作为上述特定范围，使信号读出部20输出对应于电荷的量的电压值，所述电荷的量为在该特定范围 (第 1行～第M1行 )的各像素部 Pm，n的光电二极管 PD中所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

すなわち、図1に示されるように受光部10Aにおいて信号読出部20に最も近い行が第1行となっている場合に、制御部40Aは、第2撮像モードのときに、受光部10Aにおける第1行から第M1行までの範囲を上記特定範囲として、この特定範囲（第1行〜第M1行）の各画素部Pm,nのフォトダイオードPDで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部20から出力させるのが好ましい。

即，如图 1所示，如在受光部 10A中最接近信号读出部 20的行为第 1行的情况下，优选为控制部 40A在第 2摄像模式时，将从受光部 10A中的第 1行至第M1行为止的范围作为上述特定范围，使信号读出部 20输出对应于电荷的量的电压值，所述电荷的量为在该特定范围 (第 1行～第M1行 )的各像素部 Pm，n的光电二极管 PD中所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

このようにすることにより、第n列読出用配線LO,nが断線している場合であっても、第2撮像モードのときに、上記特定範囲の各画素部Pm,nのフォトダイオードPDで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部20から正常に出力させることができる確率が高くなる。

通过采取此方式，即使在第 n列读出用配线 LO，n断线的情况下，在第 2摄像模式时，也使信号读出部 20可正常输出对应于电荷的量的电压值的机率变高，所述电荷的量为上述特定范围的各像素部 Pm，n的光电二极管 PD中所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

このようにすることにより、第n列読出用配線LO,nが断線している場合であっても、第2撮像モードのときに、上記特定範囲の各画素部Pm,nのフォトダイオードPDで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部20から正常に出力させることができる確率が高くなる。

通过采取此方式，即使在第 n列读出用配线 LO，n断线的情况下，在第 2摄像模式时，也使信号读出部 20可正常输出对应于电CN 10201761202 AA 说 明 书 7/17页荷的量的电压值的机率变高，所述电荷的量为上述特定范围的各像素部 Pm， n的光电二极管 PD中所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

補正用バイアス回路180は、セレクタ181、およびノードND0〜NDNの設定電圧値SVL0〜SLVNを選択的にセレクタ181の第1入力に供給するスイッチSW0〜SWNを有する。

校正偏置电路180具有选择器181、以及把节点ND0～NDN处的设置电压值SVL0～SVLN选择地供给至选择器 181的第一输入的开关 SW0～ SWN。 - 中国語 特許翻訳例文集

本発明に係る固体撮像装置では、制御部は、第2撮像モードのときに、受光部におけるM行のうち信号読出部に最も近い行から順に数えてM1行の範囲を上記特定範囲として、この特定範囲の各画素部Pm,nのフォトダイオードで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部から出力させるのが好適である。

本发明所涉及的固体摄像装置中，优选为控制部在第 2摄像模式时，从受光部中的M行内最接近信号读出部的行开始依次数起，将M1行的范围作为上述特定范围，使信号读出部输出对应于电荷的量的电压值，所述电荷的量为在此特定范围的各像素部Pm，n的光电二极管在所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

制御部40Aは、第2撮像モードのときに、受光部10AにおけるM行のうち信号読出部20に最も近い行から順に数えてM1行の範囲を上記特定範囲として、この特定範囲の各画素部Pm,nのフォトダイオードPDで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部20から出力させるのが好ましい。

控制部 40A在第 2摄像模式时，优选为从受光部 10A中的M行内最接近信号读出部 20的行开始依次数起，将M1行的范围作为上述特定范围，使信号读出部 20输出对应于电荷的量的电压值，所述电荷的量为在该特定范围的各像素部 Pm，n的光电二极管 PD中所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

本発明に係る固体撮像装置では、制御部は、第2撮像モードのときに、受光部におけるM行のうち信号読出部に最も近い行から順に数えてM1行の範囲を上記特定範囲として、この特定範囲の各画素部Pm,nのフォトダイオードで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部から出力させるのが好適である。

本发明所涉及的固体摄像装置中，优选为控制部在第 2摄像模式时，从受光部中的M行内最接近信号读出部的行开始依次数起，将M1行的范围作为上述特定范围，使信号读出部输出对应于电荷的量的电压值，所述电荷的量为在此特定范围的各像素部 Pm，n的光电二极管在所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

このように、時刻T6乃至T7の期間の、VSL57における電圧レベルの変化が所定の閾値より大きい場合、ステップS15において、検出部27は、欠陥検出対象となっている画素（フォトダイオード51−1）の位置を示すアドレスを、欠陥画素のアドレスとして、アドレス記憶部28に供給し、記憶させる。

当在从时间 T6到时间 T7的时段期间 VSL 57的电压电平的改变因此大于预定阈值时，检测部分 27在步骤 S15为地址存储部分 28提供指示设为缺陷检测的目标的像素 (光电二极管 51-1)的位置的地址作为缺陷像素的地址，并且使得地址存储部分 28存储该地址。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、図示するように、時刻t1の際、リセットパルスが立ち上がりフォトダイオードから画素リセット信号が垂直信号線VSLに送られた後、コンパレータ108でのリセット信号検出期間中一定の基準閾値電圧以下にならないように、クランプイネーブル信号を”H”にしておき、垂直信号線VSLの電位をクランプさせておく。

例如，如图所示，在时刻 t1时，在复位脉冲上升、并从光电二极管向垂直信号线VSL发送像素复位信号之后，将钳位启用信号设为“H”来钳住垂直信号线 VSL的电位，以便在比较器 108中的复位信号检测期间不会成为一定的基准阈值电压以下。 - 中国語 特許翻訳例文集

QPSKを実行する場合、第1および第2駆動電気信号（V1（t），V2（t））として、（3／4×Vπ，−1／4×Vπ）、（1／4×Vπ，−3／4×Vπ）、（5／4×Vπ，1／4×Vπ）、（−1／4×Vπ，−5／4×Vπ）の4組の電圧が得られるように、D／Aコンバータ11a、11bの設定を行うことにより、2電極MZ変調器14の出力としてQPSKの信号を得ることができる。

在执行 QPSK的情况下，进行 D/A转换器 11a、11b的设定，使得作为第一以及第二驱动电信号 (V1(t)，V2(t))，得 到 (3/4×Vπ，-1/4×Vπ)、(1/4×Vπ，-3/4×Vπ)、(5/4×Vπ，1/4×Vπ)、(-1/4×Vπ，-5/4×Vπ)这 4组的电压，从而作为双电极 MZ调制器 14的输出可得到 QPSK的信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

以上に述べたように、本発明に係る撮像装置によれば、従来通電加熱タイプの形状記憶アクチュエータを用いたカメラモジュールにおいて、応答速度は形状記憶アクチュエータの放熱速度により律則され、また形状記憶アクチュエータと通電用の電極との接続部では通電時の膨張率差が大きく、接続部で接触不良となる課題があったが、前記導電性の金属ピンを前記アクチュエータの貫通する溝構造に圧入することにより金属ピンと形状記憶アクチュエータとの電気的な接触を行い、さらに前記アクチュエータを前記筐体に固定できる。

如上所述，在以往使用通电加热类型的形状记忆致动器的照相机模块中，响应速度由于形状记忆致动器的散热速度而受到限制，另外，由于在形状记忆致动器与通电用的电极的连接部中通电时的膨胀率差较大，所以有在连接部中产生接触不良的问题，但根据本发明的摄像装置，通过将上述导电性的金属引脚压入到贯通上述致动器的槽结构中，而进行金属引脚与形状记忆致动器的电接触，进而能够将上述致动器固定到上述框体上。 - 中国語 特許翻訳例文集