「でんかもれ」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

電池から電解液が漏れている。

从电池中流出电解质。 - 中国語会話例文集

漏れ電流の量は、半導体検出器では温度の強い関数である。

泄漏电流的量是半导体检测器中的温度的强函数； - 中国語 特許翻訳例文集

そして、電荷電圧変換された後の通常画素22の合算信号（S1＋M1＋M2）と、漏れ込み光補正用画素24の合算漏れ信号（M1＋M2）とが減算処理され、通常画素の正規信号S1のみが出力される。

然后，在光电转换之后从普通像素 22的合并信号 S1+M1+M2中减去漏光修正用像素 24的合并漏光信号M1+M2，从而仅输出普通像素 22的正常信号 S1。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、電荷電圧変換された後の通常画素22の合算信号（S1＋M1＋M2）と、漏れ込み光補正用画素24の合算漏れ信号（M1＋M2）とが、後段の信号処理で-減算され、通常画素の正規信号S1のみが出力される。

然后，在光电转换之后从普通像素 22的合并信号 S1+M1+M2中减去漏光修正用像素 24的合并漏光信号M1+M2，从而仅输出普通像素 22的正常信号 S1。 - 中国語 特許翻訳例文集

その結果、例えば、反射や回折などでゲート電極173Aの下部に光が入射することにより発生した電荷が、メモリ部174に漏れ込み、信号電荷S1に加算されることによるノイズ量を低減することができる。

结果，通过由于反射或衍射而导致的光入射在栅电极 173A的下部而产生的电荷泄露到存储部 174，可以减少由于加入到信号电荷 S1而产生的噪声的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

その結果、例えば、反射や回折などでゲート電極173Aの下部に光が入射することにより発生した電荷が、メモリ部174に漏れ込み、信号電荷S1に加算されることによるノイズ量を低減することができる。

因此，通过由于 (例如 )反射或衍射而入射在栅电极 173A的下部上的光产生的电荷泄露到存储部 174中，可以减少由于加入到信号电荷 S1中而导致的噪声的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

第4実施の形態に係る電子機器によれば、固体撮像装置において、通常画素におけるメモリ部への漏れ込み光による漏れ信号を補正し、スミア成分が低減された正規信号を出力することができる。

第四实施例的电子设备能够修正固体摄像装置的普通像素中由泄漏到存储部中的光所引起的漏光信号，并且输出拖尾成分较少的正常信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

このため、電荷保持時間が画素行毎に異なるが、漏れ込み光補正用画素24とその周囲の通常画素22とは、近接しているので保持時間がほぼ等しく、漏れ信号電荷2の大きさも等しくなる。

因此，虽然电荷保持时间对于逐个像素行而言是不同的，但由于漏光修正用像素 24和普通像素 22的位置彼此靠近因而使电荷保持时间基本上相同，所以漏光信号电荷 eM2的电平变成相互一致。 - 中国語 特許翻訳例文集

データ転送回路18aと基準電圧駆動回路19aでも、列選択信号が出力されて高レベルである期間では、同様に、データ線10、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の放電が行われ、電位が低下するが、それぞれの回路特性から、データ線10、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の電位変化は、例えば図7（4）に示すようになる。

在数据传输电路 18a与基准电压驱动电路 19a中，在列选择信号被输出而处于高电平的期间内，同样地进行数据线 10、基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3的放电，虽然电位会下降，然而根据各自的电路特性，数据线 10、基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3的电位变化例如将成为图 7(4)所示那样。 - 中国語 特許翻訳例文集

従って、漏れ込み光補正用画素24からの漏れ信号と、これに隣接する通常画素22からの信号を減算処理するとき、通常画素22におけるフローティングディフージョン部（FD）での暗電流を低減できる。

因此，对来自漏光修正用像素 24的漏光信号和来自与该漏光修正用像素 24相邻的普通像素 22的信号执行的减法处理能够减少普通像素 22的浮动扩散部 (FD)37中的暗电流。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかしながら、ミリ波では（特に固定位置間や既知の位置関係の信号伝送との併用時は）、ミリ波は容易に遮蔽でき、外部に漏れないようにでき、安定度の低い搬送波を伝送に使用することができ、回路規模の増大を抑えることができる。

然而，通过毫米波 (尤其当与各固定位置之间或以已知位置关系的信号传输联系使用时 )，可以容易地屏蔽毫米波，防止毫米波泄露到外部，使用用于传输的低可靠性的载波，并且由此防止电路规模的增大。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかしながら、ミリ波では（特に固定位置間や既知の位置関係の信号伝送との併用時は）、ミリ波は容易に遮蔽でき、外部に漏れないようにでき、安定度の低い搬送波を伝送に使用することができ、回路規模の増大を抑えることができる。

然而，在使用毫米波的情况下，特别是在与固定位置之间的或处于已知的位置关系的信号传输一起使用毫米波的情况下，可以容易地阻断毫米波并且防止毫米波泄漏到外部。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかしながら、ミリ波では（特に固定位置間や既知の位置関係の信号伝送との併用時は）、ミリ波は容易に遮蔽でき、外部に漏れないようにでき、安定度の低い搬送波を伝送に使用することができ、回路規模の増大を抑えることができる。

然而，在毫米波的情况下 (特别是结合在固定位置之间或处于已知的位置关系下的信号发送使用时 )，可能容易地屏蔽毫米波，防止毫米波泄漏到外部，因此防止电路规模的增加。 - 中国語 特許翻訳例文集

メモリ部に漏れ込む光量は、電子数に換算して数10e-といった非常に小さい量を扱い、周辺の縦構造に大きく依存するためである。

泄漏到存储部中的光量在换算成电子数时只是几 10e-这样非常小的量，并且十分依赖于垂直周边结构。 - 中国語 特許翻訳例文集

特に、MFP10の省電力モードMD12中においては、MFP10のトナー残量は変化しないため、キャッシュ情報CNを用いても、連携装置50aにおいて正確なトナー残量が表示される。

特别是，在 MFP10的省电模式 MD12中，因 MFP10的调色剂剩余量不变化，故即便使用高速缓存信息 CN，在协作装置 50a中也显示正确的调色剂剩余量。 - 中国語 特許翻訳例文集

特に、MFP10の省電力モードMD12中においては、MFP10の所定ボックスの文書情報は変化しないため、当該キャッシュ情報CNを用いても、連携装置50bにおいて正確な一覧情報が表示される。

特别是，在 MFP10的省电模式 MD12中，因 MFP10的规定文件盒的文档信息不变化，故即便使用该高速缓存信息 CN，在协作装置50b中也显示正确的一览信息。 - 中国語 特許翻訳例文集

特に、MFP10の省電力モードMD12中においては、MFP10の使用実績情報は変化しないため、キャッシュ情報CNを用いても、連携装置50cにおいて正確な使用実績情報が取得され集計される。

特别是，在 MFP10的省电模式MD12中，因MFP10的使用实绩信息不变化，故即便使用高速缓存信息CN，在协作装置 50c中也取得并统计正确的使用实绩信息。 - 中国語 特許翻訳例文集

プリズムを介した両方向通信は、受信専用状態または伝送専用状態を可能にする単信通信で行われるので、受信信号の一部が送信機13Aの表面に到達しまたは伝送光の漏れがフォトトランジスタ12Aの表面に到達する、送信機13Aから受信機12Aまたはその逆に受信機12Aから送信機13Aへの光信号のクロストークまたは漏れは、重要でなく取るに足らないものになる。

因为在实现只接收状态或只发射状态的单工通信中实施经由棱镜的双向通信，从发射器 13A到接收器 12A的光信号的串扰或泄露或者从接收器12A到发射器 13A的光信号的串扰或泄露（其中，所接收信号的一部分到达发射器 13A的表面或者所发射光信号的泄露到达光电晶体管 12A表面）变得不重要和微不足道。 - 中国語 特許翻訳例文集

別の例として、マッピングは記号のサブ記号がいつも連続的に送られるような状態でもよく、順序付けられた記号から物理層パケットへのマッピングは記号の最初のサブ記号を伝送する物理層パケットを識別する。

作为另一个实例，映射可以使得总是连续地发送符号的子符号，并且从已排序符号到物理层分组的映射标识携带符号的第一子符号的物理层分组。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1実施の形態に係る固体撮像装置31は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第一实施例的固体摄像装置 31具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集

第2実施の形態に係る固体撮像装置61は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第二实施例的固体摄像装置 61具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集

第3実施の形態に係る固体撮像装置63は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第三实施例的固体摄像装置 63具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集

例示的な方法によると、AFEの第1の入力段が、高入力インピーダンスを有し、画像センサ画像アレイの第1の所定の領域における入力漏れ電流をほぼ引き出さない、連続時間増幅として動作するように制御される。

根据示例性方法，控制AFE的第一输入级以作为具有高输入阻抗并且基本上没有针对成像传感器图像阵列的第一预定区域的输入漏电流拉出的连续时间放大器来操作。 - 中国語 特許翻訳例文集

ユーザプリファレンス254は、ユーザが音声コマンドによって、例えばウェブ検索よりも連絡先に電話することを通常は意図すること、またはユーザがカウントダウンタイマを使用するよりも、直ちにコマンドが起動されるのを好むことを示す値など、特定のユーザのためのカスタム閾値を含むことができる。

用户偏好 254可以包括： 用于特定用户的定制阈值，诸如用于指示用户一般通过语音命令例如意欲呼叫联系人而不是执行 web搜索的值； - 中国語 特許翻訳例文集