「でんじすいしん」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

保持容量613は、負荷電流を一定に維持するために、負荷トランジスタ614のゲート電圧を一定に保持するためのキャパシタである。

保持电容器 613维持负载晶体管 614的栅极电压恒定，以便维持负载电流恒定。 - 中国語 特許翻訳例文集

配電盤52は、電動移動体50から受信した認証情報IDevを保持する。

配电板 52保存从电动移动体 50接收的认证信息 IDev。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図34】MCS番号及び送信電力の対応関係を例示する図である。

图 34是例示 MCS号以及发送功率的对应关系的图。 - 中国語 特許翻訳例文集

放電制御信号Dischargeは、各放電用スイッチSW2nの開閉動作を指示するものである。

放电控制信号Discharge指示各放电用开关 SW2n的开闭动作。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、この場合、電圧緩和トランジスタ102のドレイン電圧およびゲート電圧は“VTT”であるので、電圧緩和トランジスタ102の端子間電圧（ゲート−ドレイン間電圧，ゲート−ソース間電圧，およびソース−ドレイン間電圧）を“VTT”よりも低くすることができる。

而且，该情况下，由于电压缓和晶体管 102的漏极电压及栅极电压为“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 102的端子间电压 (栅极—漏极间电压、栅极—源极间电压以及源极—漏极间电压 )比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号電圧V1が“VTT”である場合、供給ノードN101の電圧（電圧緩和トランジスタ102のソース電圧）は、“VTT−Vth”に設定される。

在信号电压 V1为“VTT”的情况下，供给节点 N101的电压 (电压缓和晶体管 102的源极电压 )被设定为“VTT-Vth”。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号電圧VP1が“VTT−Vα”であり、信号電圧VN1が“VTT”である場合、供給ノードN201pの電圧（電圧緩和トランジスタ202pのソース電圧）は、“VTT−Vth”に設定され、供給ノードN201nの電圧（電圧緩和トランジスタ202nのソース電圧）は、“VTT−Vα−Vth”に設定される。

在信号电压 VP1为“VTT-Vα”、信号电压 VN1为“VTT”的情况下，供给节点 N201p的电压 (电压缓和晶体管 202p的源极电压 )被设定为“VTT-Vth”，供给节点 N201n的电压(电压缓和晶体管 202n的源极电压 )被设定为“VTT-Vα-Vth”。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、このゲート電位Vgの電位変化に連動して、駆動トランジスタN2のソース電位Vsも押し下げられる（図15（E）、図16（E））。

与所述栅极电位 Vg的电位变化所关联，所述驱动晶体管 N2的源极电位 Vs也减小(图 15E，图 16E)。 - 中国語 特許翻訳例文集

ページスキャンモードにおける電力消費量は、ページスキャンモードにおける平均電流消費量に比例する。

寻呼扫描模式下的功耗与寻呼扫描模式下的平均电流消耗成比例。 - 中国語 特許翻訳例文集

リセットトランジスタ54のソース、および、増幅トランジスタ55のソースは、所定の電源電圧VDDに接続されている。

重置晶体管 54的源极和放大晶体管 55的源极连接到预定电源电压 VDD。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、電圧緩和トランジスタ202pのドレイン電圧およびゲート電圧は、それぞれ、“VTT−Vα”，“VTT”になるので、電圧緩和トランジスタ202pの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。

而且，由于电压缓和晶体管 202p的漏极电压及栅极电压分别为“VTT-Vα”、“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 202p的端子间电压比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

同様に、電圧緩和トランジスタ202nのドレイン電圧およびゲート電圧は、それぞれ、“VTT”，“VTT−Vα”になるので、電圧緩和トランジスタ202nの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。

同样，由于电压缓和晶体管 202n的漏极电压及栅极电压分别为“VTT”、“VTT-Vα”，所以可以使电压缓和晶体管 202n的端子间电压比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、電圧緩和トランジスタ202p，202nのドレイン電圧およびゲート電圧は“VTT”になるので、電圧緩和トランジスタ202p，202nの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。

而且，由于电压缓和晶体管 202p、202n的漏极电压及栅极电压为“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 202p、202n的端子间电压比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図3】図3は、種々の実施形態による種々の伝送信号のフレームシーケンスを例示する。

图 3示出了根据各实施例的各传输信号的帧序列。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、シフトレジスターに格納されている電荷をアナログ電気信号として順次A／D変換部110へと出力させる（T1〜T2、T3〜T4、T5〜T6、…の間）。

并且，将移位寄存器所存储的电荷作为模拟电信号依次向 A/D变换部 110输出 (T1～ T2、T3～ T4、T5～T6、……的期间 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

単位画素2aでは、増幅トランジスタ23のドレイン端子がアドレストランジスタ24を介して電源26が接続され、ソース端子が垂直信号線VSLおよびスイッチトランジスタ14を介して電流源15が接続されるので、増幅トランジスタ23は、ソースフォロワ回路を構成する。

在单位像素2a中，放大晶体管 23的漏极端子经由地址晶体管 24与电源 26连接，源极端子经由垂直信号线 VSL以及开关晶体管 14与电流源 15连接，因此，放大晶体管 23构成源极跟踪器电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

第2負荷トランジスタ624ソース端子には、第2負荷トランジスタ624のソース単位の電位変動が示されている。

第二负载晶体管 624的源极端子示出第二负载晶体管 624的源极端子的电势改变。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図33】変調方式及び送信電力の対応関係を例示する図である。

图 33是例示调制方式以及发送功率的对应关系的图。 - 中国語 特許翻訳例文集

203はサンプリングスイッチ202によりサンプリングした電位を保持する保持容量である。

保持电容器 203保持由采样开关 202采样的电位。 - 中国語 特許翻訳例文集

基準電圧駆動回路19aでは、列選択信号が出力されて高レベルである期間では、基準電圧線Vref1を駆動するNMOSトランジスタ30と、基準電圧線Vref2を駆動するNMOSトランジスタ33と、基準電圧線Vref3を駆動するNMOSトランジスタ35とが共にオンする。

基准电压驱动电路 19a中，在列选择信号被输出而处于高电平的期间，驱动基准电压线 Vref1的 NMOS晶体管 30、驱动基准电压线 Vref2的 NMOS晶体管 33、驱动基准电压线 Vref3的 NMOS晶体管 35都导通。 - 中国語 特許翻訳例文集

この開始時点において、駆動トランジスタN2のゲート・ソース間電圧Vgsは、バラツキを考慮しても閾値電圧Vthより広くなっている。

在开始时刻，甚至当考虑变动时，所述驱动晶体管 N2的栅 /源极之间的电压 Vgs也比所述阈值电压 Vth更宽。 - 中国語 特許翻訳例文集

光電変換素子は、常時、光の受光量に応じて電荷を蓄積しているため、電荷のシフトレジスターへの転送タイミングが、次の発光色の光についての電荷を蓄積する開始タイミングとなる。

通常，光电变换元件根据光的受光量来积蓄电荷，所以电荷向移位寄存器的转送定时为积蓄针对下一发光色光的电荷的开始定时。 - 中国語 特許翻訳例文集

フォトダイオードPDは光信号を電気信号に変換する光電変換を行い、そのアノードは接地電源GNDに接続され、カソードは読み出しトランジスタREADTrの電流経路の一端に接続される。

光电二极管 PD进行将光信号变换为电信号的光电变换，其正极连接在接地电压GND上，负极连接在读取晶体管 READTr的电流路径的一端。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1段目は、ネゴシエーション期間、フレーム(1)に表示すべきピクチャデータの伝送期間、フレーム(2）に表示すべきピクチャデータの伝送期間、フレーム(3)で表示すべきピクチャデータの伝送期間、フレーム(4)で表示すべきピクチャデータの伝送期間、フレーム(5)で表示すべきピクチャデータの伝送期間から構成される。

第 1段由协商期间、应在帧 (1)中显示的图片数据的传送期间、应在帧 (2)中显示的图片数据的传送期间、应在帧 (3)中显示的图片数据的传送期间、应在帧 (4)中显示的图片数据的传送期间、应在帧 (5)中显示的图片数据的传送期间构成。 - 中国語 特許翻訳例文集

このときMOSトランジスタ25が導通しているので、クランプ容量の他方の端子は電源電圧VGRに接続された状態となる。

在该状态下，由于 MOS晶体管 25处于 ON状态，因此，箝位电容器的端子中的另一个与电源电压 VGR连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

電圧調整部207は、複数の信号線対のうちいずれか1つに対応し、その対応する信号線対にそれぞれ接続される信号ノードNP1，NN1の電圧（信号電圧VP1，VN1）の中間電圧を制御電圧VMとして電圧緩和トランジスタ203p，203p，…のゲートおよび電圧緩和トランジスタ203n，203n，…のゲートに供給する。

电压调整部 207对应于多个信号线对中的任意一个，将与该对应的信号线对分别连接的信号节点 NP1、NN1的电压 (信号电压 VP1、VN1)的中间电压作为控制电压 VM，向电压缓和晶体管 202p、202p、…的栅极及电压缓和晶体管 202n、202n、…的栅极供给。 - 中国語 特許翻訳例文集

この動作の開始に伴い、駆動トランジスタN2のゲート電位Vgは、信号電位Vsigに上昇する（図15（D）、図16（D））。

随着所述操作的开始，所述驱动晶体管 N2的栅极电位 Vg被增加到所述信号电位Vsig(图 15D，图 16D)。 - 中国語 特許翻訳例文集

携帯電話機800は、復元された電子メールデータを、LCD制御部855を介して液晶ディスプレイ818に表示する。

在移动电话 800中，恢复的电子邮件数据经 LCD控制单元 855显示在液晶显示器 818上。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、選択トランジスタ147のゲート電極への選択パルスSELの印加が停止される。

另外，停止将选择脉冲 SEL施加至选择晶体管 147的栅电极。 - 中国語 特許翻訳例文集

この例では、1行読み出し期間における垂直信号線（VSL1）501、第2負荷トランジスタゲート線622、第2負荷トランジスタ624のソース端子および負荷トランジスタゲート線612における電位変動が示されている。

在该示例中，示出了在一行读出时段期间垂直信号线 (VSL1)501、第二负载晶体管栅极线622、第二负载晶体管624的源极端子、以及负载晶体管栅极线612的电势中的改变。 - 中国語 特許翻訳例文集

増幅トランジスタ23は、アドレストランジスタ24が行選択されてオンしドレイン端子が電源26に接続され、かつスイッチトランジスタ14がオンして電流源15が垂直信号線VSLを介してソース端子に接続されたときにソースフォロワ回路を構成する。

在地址晶体管 24被行选择后导通时，放大晶体管 23的漏极端子与电源 26连接，且在开关晶体管 14导通后电流源 15经由垂直信号线 VSL与源极端子连接时，构成源极跟踪器电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間t19から期間t22では、転送トランジスタ22の制御電極への供給電圧をVtrg3として同様の動作を繰り返して実行する。

在时段 t19到时段 t22期间，在将电压 Vtrg3供应到转移晶体管 22的控制电极的情况下，与上面相同的操作被重复执行。 - 中国語 特許翻訳例文集

アドレストランジスタ24は、行選択を行うアドレス線ADDRESSの電圧によりオン・オフ制御され、行選択されてオンしている期間において増幅トランジスタ23のドレイン端子を電源26に接続する。

地址晶体管 24通过进行行选择的地址线 ADDRESS的电压来进行导通 /截止控制，在被行选择后导通的期间，放大晶体管 23的漏极端子与电源 26连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

図11に、転送トランジスタ22の制御電極へ供給する電圧の供給タイミングについての別の例を示す。

在图 11中，示出了被供应到转移晶体管 22的控制电极的供应电压的时序的另一个实例。 - 中国語 特許翻訳例文集

図12に、転送トランジスタ22の制御電極へ供給する電圧の供給タイミングについてのさらに別の例を示す。

在图 12中，示出了将被供应到转移晶体管 22的控制电极的供应电极的时序的另一个实例。 - 中国語 特許翻訳例文集

本実施例においても、最大値または最小値検出期間における共通出力線605の充放電は、最大値検出用NMOSトランジスタ116を流れるソース電流または最小値検出用PMOSトランジスタ119を流れるシンク電流によって行われる。

同样，在本实施例中，通过流过最大值检测 NMOS晶体管 116的拉电流或流过最小值检测 PMOS晶体管 119的灌电流来执行最大值检测周期或最小值检测周期中共用输出线605的充放电。 - 中国語 特許翻訳例文集

アドレストランジスタ24は、ドレイン端子が電源（電圧VDD）26に接続され、ソース端子が増幅トランジスタ23のドレイン端子に接続され、ゲート端子がアドレス線ADDRESSに接続されている。

地址晶体管 24的漏极端子与电源 (电压 VDD)26连接，源极端子与放大晶体管 23的漏极端子连接，栅极端子与地址线 ADDRESS连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図25】従来の他の光伝送装置における光送信部を例示する概略構成図である。

图 25是例示现有的另一光传输装置中的光发送部的概略结构图。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図26】従来の他の光伝送装置における光送信部を例示する概略構成図である。

图 26是例示现有的另一光传输装置中的光发送部的概略结构图。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図27】従来の他の光伝送装置における光受信部を例示する概略構成図である。

图 27是例示现有的另一光传输装置中的光接收部的概略结构图。 - 中国語 特許翻訳例文集

基準電圧線Vref1を駆動するPMOSトランジスタ75，76のうち、電源77にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ75のゲート端子は、グランドに接続され、PMOSトランジスタ75のドレイン端子と基準電圧線Vref1との間に介在するPMOSトランジスタ76のゲート端子には、論理を反転した列選択信号（／列選択信号）が入力される。

驱动基准电压线 Vref1的 PMOS晶体管 75、76中源极端子连接到电源 77的 PMOS晶体管 75的栅极端子与电路接地端连接，处于 PMOS晶体管 75的漏极端子与基准电压线Vref1之间的 PMOS晶体管 76的栅极端子被输入反转了逻辑的列选择信号 (/列选择信号 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図11】携帯電話のディスプレイの表示推移の他の例を示す図である。

图 11是表示便携式电话的显示器之显示推移的其他例子的图。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図3】ページスキャンモードにおける電力消費量の一例を示す図。

图 3是示出寻呼扫描模式下的功耗的例子的图示。 - 中国語 特許翻訳例文集

この態様は、短縮ページスキャンを使用することによって電力を節約する。

这个方面由于使用了缩减的寻呼扫描而节省了功率。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、省電力モードでは、加熱部を印刷可能温度で維持する定着温度制御を行わず、省電力モードから通常モードとなる（復帰する）際、加熱部を印刷可能温度で維持する制御を行う。

并且，在省电模式下，不进行将加热部维持在能够印刷温度的定影温度控制，当从省电模式变为 (回归 )通常模式时，进行将加热部维持为能够印刷温度的控制。 - 中国語 特許翻訳例文集

このとき、MOSトランジスタ221と定電流源225とで構成されるソースフォロワの出力はVRSである。

此时，包含 MOS晶体管 221和恒流源 225的源跟随器的输出为 VRS。 - 中国語 特許翻訳例文集

ページスキャンモードにおける平均電流消費量は、次のように近似できる。

寻呼扫描模式下的平均电流消耗可以近似为： - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加されているので、信号電荷S1が排出された浮遊拡散領域145の電圧（以下、リセットレベルR2と称する）を示す画素信号が、増幅トランジスタ148から垂直信号線155に出力される。

这里，由于选择脉冲 SEL被施加至选择晶体管 147的栅电极，表示浮置扩散区 145(其释放信号电荷 S1)的电压 (下文中称作复位电平 R2)的像素信号从放大晶体管 148输出至垂直信号线 155。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかしながら、電気信号の完全性を維持するという、上記トランザクションに関連し、かつ、回路基板を横断するほとんど全ての長い電線による通信における共通の課題が存在する。

然而，与上述事务关联的并且在几乎所有跨电路板的长导线通信中的常见问题是维持电信号的完整性。 - 中国語 特許翻訳例文集

図43の表示構成は、局所電力管理システム1内に設置された各機器等の消費電力量をグラフ表示するものである。

图 43的显示结构示出了安装在本地电力管理系统 1中的每个设备等的电力消耗量的图表。 - 中国語 特許翻訳例文集