「でんりょくようとらんじすたー」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

このように構成することにより、入力ノードN103の電圧が補助トランジスタ105のゲート電圧を超えないように入力ノードN103の電圧を制限できるので、レシーバ103の耐圧破壊を確実に防止できる。

通过如此构成，可以按照输入节点 N103的电压不超过辅助晶体管 105的栅极电压的方式来限制输入节点 N103的电压，因此能够可靠地防止接收器103的耐压破坏。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかしながら、このような長期的な電位低下は、設定トランジスタ611から負荷トランジスタゲート線612へのチャンネルリーク電流によって抑制されると考えられる。

然而，这样的长期下降有可能被从设置晶体管 611到负载晶体管栅极线 612的沟道漏电流抑制。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6においては、光電変換素子D1、FD容量C1、各トランジスタのゲート、ソース、ドレインおよび配線以外は省略している。

参考图 6，没有示出除了光电转换元件 D1、FD电容器 C1、各个晶体管的栅极、源极和漏极、以及内部连线以外的组件。 - 中国語 特許翻訳例文集

寄生容量619は、負荷トランジスタ614のゲートおよびドレイン間に生じる寄生容量、および、垂直信号線（VSL1または2）501または502と基準電流線601との間に形成される配線間容量からなる。

寄生电容器 619包括在负载晶体管 614的栅极和漏极之间产生的寄生电容器、以及在垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502和参考电流线 601之间形成的布线间电容器。 - 中国語 特許翻訳例文集

本実施例においても、最大値または最小値検出期間における共通出力線605の充放電は、最大値検出用NMOSトランジスタ116を流れるソース電流または最小値検出用PMOSトランジスタ119を流れるシンク電流によって行われる。

同样，在本实施例中，通过流过最大值检测 NMOS晶体管 116的拉电流或流过最小值检测 PMOS晶体管 119的灌电流来执行最大值检测周期或最小值检测周期中共用输出线605的充放电。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から不要電荷N0が排出される。

另外，复位晶体管 146的栅电极施加有复位脉冲 RST，浮置扩散区 145被复位，从而从浮置扩散区 145中释放多余电荷N0。 - 中国語 特許翻訳例文集

リセットトランジスタ36は、ソースがフローティングディフュージョン38に、ドレインがリセット電源Vrd（通常はアナログ用の電源Vdd＝AVDD）と共通にする）にそれぞれ接続される。

复位晶体管 36使其源极连接到浮动扩散 38，且使其漏极连接到复位电源 Vrd(通常也用作模拟电源 Vdd＝ AVDD)。 - 中国語 特許翻訳例文集

用語メモリは、ランダムアクセスメモリ（RAM）、読み出し専用メモリ（ROM）、不揮発性ランダムアクセスメモリ（NVRAM）、プログラマブル読取専用メモリ（PROM）、消去可能プログラマブル読取専用メモリ（EPROM）、電気的消去可能PROM（EEPROM）、フラッシュメモリ、磁気または光学のデータストレージ、レジスタなどのような様々なタイプのプロセッサ可読媒体を指すことができる。

术语存储器可以指代各种处理器可读介质，例如，随机存取存储器 (RAM)、只读存储器 (ROM)、非易失性随机存取存储器 (NVRAM)、可编程只读存储器 (PROM)、可擦可编程只读存储器 (EPROM)、电可擦 PROM(EEPROM)、闪存存储器、磁性或光学数据存储设备、寄存器等。 - 中国語 特許翻訳例文集

最小値検出用PMOSトランジスタ119のドレイン端子は電源VDDと接続され、ソース端子は差動アンプ118の反転入力端子および最小値検出用スイッチ120と接続される。

最小值检测PMOS晶体管 119的漏极端子与电源 VDD连接。 最小值检测 PMOS晶体管 119的源极端子与差分放大器 118的反相输入端子连接，并且还与最小值检测开关 120连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

対照的に、下図では、例示するように、8個のうちの3個のトーン（例えば、トーン3A、6A、8A）が、ランダムに選択され、追加の「ピギーバックされた」データを伝送するように強められているので、これらのトーンは、環境的にもたらされた変動、および／または、自然に発生する増幅を考慮して、残っているしきい値を超えるように設計または人為的に強められている。

相反，如在下面的图中所示，8个音调中有 3个音调 (例如，音调 3A、6A和 8A)已经被随机选择或确定出携带附加的“搭载的”数据，正因如此，已经将这些音调修改或人为地提升至超过现有的门限，以将可能自然出现的环境诱发改变和 /或放大考虑在内。 - 中国語 特許翻訳例文集

ステップS62において、注目行の単位画素131は、ステップS55と同様の処理により、浮遊拡散領域145をリセットし、現在のフレームの信号電荷S1を排出し、選択トランジスタ147のゲート電極への選択パルスSELの印加を停止する。

在步骤 S62中，采用类似于步骤 S55的处理，单元像素 131的目标行使浮置扩散区145复位，释放当前帧的信号电荷 S1，并停止选择脉冲 SEL施加至选择晶体管 147的栅电极。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1のデバイス210の第1の入力211は、pチャネル電界トランジスタ（pチャネルFET）214のゲートのような第1のスイッチング要素の制御端子に連結される。

第一装置 210的第一输入 211耦合到第一切换元件的控制端子，例如 p沟道场效晶体管 (p沟道 FET)214的栅极。 - 中国語 特許翻訳例文集

寄生容量629は、第2負荷トランジスタ624のゲートおよびドレイン間に生じる寄生容量、および、垂直信号線（VSL1または2）501または502と第2基準電流線602との間に形成される配線間容量からなる。

寄生电容器 629包括在第二负载晶体管 624的栅极和漏极之间产生的寄生电容器、以及在垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502和第二参考电流线 602之间形成的布线间电容器。 - 中国語 特許翻訳例文集

最大値検出用NMOSトランジスタ116のドレイン端子は電源VDDに接続され、ソース端子は差動アンプ115の反転入力端子および最大値検出用スイッチ117と接続される。

最大值检测NMOS晶体管 116的漏极端子与电源 VDD连接。 最大值检测 NMOS晶体管 116的源极端子与差分放大器 115的反相输入端子连接并且与最大值检测开关 117连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、「CMOS」に含まれる「金属酸化物半導体」という用語は、従来は、半導体に形成される酸化物材料に金属ゲートが形成された電界効果トランジスタの物理構造のことを示す。

例如，术语“CMOS”中的短语“金属氧化物半导体”传统上可以表示在氧化物材料上形成金属栅极的场效应晶体管的物理结构，其形成于半导体上。 - 中国語 特許翻訳例文集

ICは、汎用プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（DSP）、特定用途向け集積回路（ASIC）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（FPGA）もしくは他のプログラマブル論理デバイス、個別ゲートもしくはトランジスタ論理、個別ハードウェア構成要素、電子的構成要素、光学的構成要素、機械的構成要素、または本明細書で説明する機能を実行するように設計されたそれらの任意の組合せを備えることができ、ICの内部に、ICの外側に、またはその両方に常駐するコードまたは命令を実行することができる。

IC可包含通用处理器、数字信号处理器 (DSP)、专用集成电路 (ASIC)、现场可编程门阵列 (FPGA)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件、电组件、光学组件、机械组件或其经设计以执行本文所述的功能的任何组合，且可执行驻存于 IC内或 IC外或 IC内及 IC外的代码或指令。 - 中国語 特許翻訳例文集

この動作で注目すべきなのは、最大値検出期間204では、最大値検出用NMOSトランジスタ116を流れるソース電流によって出力線141が充電される点である。

注意，在该操作中，在最大值检测周期 204期间，输出线 141通过流过最大值检测 NMOS晶体管 116的拉电流 (source current)被充电。 - 中国語 特許翻訳例文集

ICは、汎用プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（DSP）、特定用途向け集積回路（ASIC）、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ（FPGA）もしくは他のプログラマブル論理デバイス、個別ゲートもしくはトランジスタロジック、個別ハードウェア構成要素、電子的構成要素、光学的構成要素、機械的構成要素、または本明細書に記載の機能を実行するように設計されたそれらの任意の組合せを備えることができ、ICの内部に、ICの外側に、またはその両方に常駐するコードまたは命令を実行することができる。

IC包括用于执行本文所述功能的通用处理器、数字信号处理器 (DSP)、专用集成电路 (ASIC)、现场可编程门阵列 (FPGA)或其它可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑、分立硬件组件、电子组件、光学组件、机械组件或者其任意组合，并可以执行存储在 IC内部、IC外部或者两者都有的代码或指令。 - 中国語 特許翻訳例文集

バッファは、トランジスタまたはICなどのよく知られているバッファ増幅器であるが、CPU30のI／Oポートのレベルおよび電流容量に依存して、バッファ220および221が必要とされず使用されないことがあり、その場合には、トリガパルスT1およびT2は、CPU30から直接トライアック223および224のトリガ入力に供給される。

该缓冲器是众所周知的缓冲放大器，诸如晶体管或IC，然而依赖于CPU 30的I/O端口的电平和电流容量，可能不需要和不使用缓冲器 220和 221，在该情况下从 CPU 30直接馈送触发脉冲 T1和 T2至三端双向可控硅开关元件 223和 224触发输入端。 - 中国語 特許翻訳例文集

ソフトウェアモジュールは、ランダムアクセスメモリ（RAM）、フラッシュメモリ、読取り専用メモリ（ROM）、プログラマブル読取り専用メモリ（PROM）、消去可能プログラマブル読取り専用メモリ（EPROM）、電気消去可能プログラマブル読取り専用メモリ（EEPROM）、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、コンパクトディスク読取り専用メモリ（CD−ROM）、または当技術で知られている記憶媒体の他の任意の形式に存在し得る。

软件模块可驻存于随机存取存储器(RAM)、快闪存储器、只读存储器 (ROM)、可编程只读存储器 (PROM)、可擦除可编程只读存储器 (EPROM)、电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)、寄存器、硬盘、可装卸盘、紧密光盘只读存储器(CD-ROM)，或此项技术中已知的任何其它形式的存储媒体中。 - 中国語 特許翻訳例文集

ソフトウェアモジュールは、ランダムアクセスメモリ（RAM）、フラッシュメモリ、読み取り専用メモリ（ROM）、電気的にプログラム可能なROM（EPROM）、電気的に消去可能でプログラム可能なROM（EEPROM）、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、CD−ROM、または当該技術で周知の任意の他の形態の記憶媒体の中に存在することもできる。

软件模块可驻存在随机存取存储器 (RAM)、快闪存储器、只读存储器 (ROM)、电可编程 ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、寄存器、硬磁盘、可装卸磁盘、CD-ROM或此项技术中已知的任何其它形式的存储媒体中。 - 中国語 特許翻訳例文集

そのため、図4に示すように、基準信号読み出し期間、最大値検出期間、最小値検出期間の順に動作を行うことで、出力線141の充放電を、負荷抵抗ではなく、トランジスタ116を流れるソース電流または119を流れるシンク電流によって行うことができる。

因此，如图 4所示，当以基准信号读取周期、最大值检测周期和最小值检测周期的次序执行操作时，不是通过负载电阻器而是通过流过晶体管 116的拉电流或流过晶体管 119的灌电流来对于输出线 141进行充放电。 - 中国語 特許翻訳例文集

ICは、本明細書で述べた機能を実行するように設計された汎用プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（DSP）、特定用途向け集積回路（ASIC）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（FPGA）、またはプログラマブル論理デバイス、ディスクリートまたはトランジスタ論理、ディスクリートハードウェア部品、電気部品、光学部品、機械部品、またはその任意の組み合わせを備えて良く、そしてICは、IC内部、IC外部、またはその両方にあるコードまたは命令を実行し得る。

IC可以包括设计为执行本申请所描述功能的通用处理器、数字信号处理器 (DSP)、专用集成电路 (ASIC)、现场可编程门阵列 (FPGA)或其它可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件、电组件、光组件、机械组件或者其任意组合，并且 IC可以执行代码或指令，这些代码或指令位于 IC之内、IC之外或二者中。 - 中国語 特許翻訳例文集

ソフトウェアモジュールは、ランダムアクセスメモリ（RAM）、フラッシュメモリ、読取り専用メモリ（ROM）、電気的プログラマブルROM（EPROM）、電気的消去可能なプログラマブルROM（EEPROM）、レジスタ、ハードディスク、取外し可能ディスク、CD−ROM、または当技術分野で知られている任意の他の形態の記憶媒体内に存在してもよい。

软件模块可驻留于随机存取存储器 (RAM)、快闪存储器、只读存储器 (ROM)、电可编程 ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、寄存器、硬盘、可装卸磁盘、CD-ROM或此项技术中已知的任何其它形式的存储媒体中。 - 中国語 特許翻訳例文集

ソフトウェアモジュール、ランダムアクセスメモリ（RAM）、フラッシュメモリ、読み出し専用メモリ、電子的プログラマバルROM（EPROM）、電子的消去可能プログラマブルROM（EEPROM）、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、CD−ROM、あるいは当技術分野において知られている記憶媒体のいずれの他の形態、において存在することができる。

软件模块可以位于随机存取存储器 (RAM)、闪存、只读存储器 (ROM)、电可编程 ROM(EPROM)、电可擦写 PROM(EEPROM)、寄存器、硬盘、移动磁盘、CD-ROM或者本领域已知的任何其它形式的存储介质中。 - 中国語 特許翻訳例文集

機械によって読み取り可能な媒体は、例として、RAM（ランダムアクセスメモリ）、フラッシュメモリ、ROM（読み取り専用メモリ）、PROM（プログラマブル読み取り専用メモリ）、EPROM（消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ）、EEPROM（電気的消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ）、レジスタ、磁気ディスク、光学ディスク、ハードドライブ、又はあらゆるその他の適切な記憶媒体、又はそれらの組み合わせを含むことができる。

作为示例，机器可读介质可以包括 RAM(随机存取存储器 )、闪存、ROM(只读存储器 )、PROM(可编程只读存储器 )、EPROM(可擦式可编程只读存储器 )、EEPROM(电可擦式可编程只读存储器 )、寄存器、磁盘、光盘、硬盘驱动器、或者其他任何合适的存储介质、或其任何组合。 - 中国語 特許翻訳例文集

機械可読媒体は、例として、RAM（ランダムアクセスメモリ）、フラッシュメモリ、ROM（読み取り専用メモリ）、PROM（プログラム可能な読み取り専用メモリ）、EPROM（消去可能・プログラム可能な読み取り専用メモリ）、EEPROM（電気的に消去可能・プログラム可能な読み取り専用メモリ）、レジスタ、磁気ディスク、光ディスク、ハードドライブ、または任意の他の適切な記憶媒体、またはそれらの任意の組み合わせを含むことができる。

机器可读媒体可包括 (例如 )RAM(随机存取存储器 )、快闪存储器、ROM(只读存储器 )、PROM(可编程只读存储器 )、EPROM(可擦除可编程只读存储器 )、EEPROM(电可擦除可编程只读存储器 )、寄存器、磁盘、光盘、硬盘驱动器或任何其它合适存储媒体，或其任一组合。 - 中国語 特許翻訳例文集

ソフトウェア・モジュールは、ランダム・アクセス・メモリ（RAM）、フラッシュ・メモリ、読込専用メモリ（ROM）、プログラマブル読込専用メモリ（PROM）、消去可能プログラマブル読込専用メモリ（EPROM）、電子消去可能プログラマブル読込専用メモリ（EEPROM）、レジスタ、ハード・ディスク、リムーバブル・ディスク、コンパクト・ディスク読込専用メモリ（CD−ROM）、あるいは当該技術分野において周知のその他任意の形態の記憶媒体に存在しうる。

软件模块可驻留于随机存取存储器(RAM)、快闪存储器、只读存储器 (ROM)、可编程只读存储器 (PROM)、可擦除可编程只读存储器 (EPROM)、电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)、寄存器、硬盘、可装卸式盘、压缩光盘只读存储器 (CD-ROM)或此项技术中已知的任何其它形式的存储媒体中。 - 中国語 特許翻訳例文集

ソフトウェア・モジュールは、ランダムアクセスメモリ（RAM）、フラッシュ・メモリ、読出し専用メモリ（ROM）、消去可能プログラマブル読出し専用メモリ（EPROM）、電気的消去可能プログラマブル読出し専用メモリ（EEPROM）、レジスタ、ハード・ディスク、リムーバブル・ディスク、コンパクトディスク読出し専用メモリ（CD−ROM）、あるいは当該技術分野で知られているその他任意の形式の記憶媒体に収納されうる。

软件模块可驻留于随机存取存储器 (RAM)、快闪存储器、只读存储器 (ROM)、可编程只读存储器 (PROM)、可擦除可编程只读存储器 (EPROM)、电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)、寄存器、硬磁盘、可装卸磁盘、紧密光盘只读存储器(CD-ROM)，或此项技术中已知的任何其它形式的存储媒体中。 - 中国語 特許翻訳例文集

プリズムを介した両方向通信は、受信専用状態または伝送専用状態を可能にする単信通信で行われるので、受信信号の一部が送信機13Aの表面に到達しまたは伝送光の漏れがフォトトランジスタ12Aの表面に到達する、送信機13Aから受信機12Aまたはその逆に受信機12Aから送信機13Aへの光信号のクロストークまたは漏れは、重要でなく取るに足らないものになる。

因为在实现只接收状态或只发射状态的单工通信中实施经由棱镜的双向通信，从发射器 13A到接收器 12A的光信号的串扰或泄露或者从接收器12A到发射器 13A的光信号的串扰或泄露（其中，所接收信号的一部分到达发射器 13A的表面或者所发射光信号的泄露到达光电晶体管 12A表面）变得不重要和微不足道。 - 中国語 特許翻訳例文集

機械可読媒体は、例として、RAM（ランダムアクセスメモリ）、フラッシュメモリ、ROM（読み出し専用メモリ）、PROM（プログラマブルな読み出し専用メモリ）、EPROM（消去可能プログラム可能読み出し専用メモリ）、EEPROM（電気的に消去可能なPROM）、レジスタ、磁気ディスク、光ディスク、ハードドライブ、又はその他任意の適切な記憶媒体、或いはそれらの何れの組み合わせを含む様々なメモリ構成要素を含むことができる。

机器可读介质可以包括各种存储器组件，作为示例，包括： RAM(随机存取存储器 )、闪存、ROM(只读存储器 )、PROM(可编程只读存储器 )、EPROM(可擦除可编程只读存储器 )、EEPROM(电可擦可编程只读存储器 )、寄存器、磁盘、光盘、硬盘、或任何其他适当的存储介质、或其任意组合。 - 中国語 特許翻訳例文集

機械読取可能媒体は、例として、RAM（ランダムアクセスメモリ）、フラッシュメモリ、ROM（読出専用メモリ）、PROM（プログラム可能読出専用メモリ）、EPROM（消去可能プログラム可能読出専用メモリ）、EEPROM（電気的消去可能プログラム可能読出専用メモリ）、レジスタ、磁気ディスク、光学ディスク、ハードドライブ、または、他の何らかの適切な記憶媒体、あるいは、これらの何らかの組み合わせを含んでもよい。

机器可读媒体可包括各种存储器组件，包括 (例如 )RAM(随机存取存储器 )、快闪存储器、ROM(只读存储器 )、 PROM(可编程只读存储器 )、 EPROM(可擦除可编程只读存储器 )、 EEPROM(电可擦可编程只读存储器 )、寄存器、磁盘、光盘、硬盘驱动器或任何CN 102027679049 AA 说 明 书 8/8页其它合适存储媒体，或其任何组合。 - 中国語 特許翻訳例文集