「とらじすたあんぷ」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

PMOSトランジスタPT312のドレインがNMOSトランジスタNT312のドレインに接続され、その接続点によりアンプ310の出力ノードND312が形成されている。

PMOS晶体管 PT312的漏极连接至 NMOS晶体管 NT312的漏极，并且连接点构成放大器 310的输出节点 ND312。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、垂直信号線Vsig11aに用いられている配線H11は、ビアB2を介してアンプトランジスタ14のソース側の拡散層DF2に接続され、垂直信号線Vsig11bに用いられている配線H11は、ビアB2を介してアンプトランジスタ14´のソース側の拡散層DF2に接続され、垂直信号線Vsig11cに用いられている配線H11は、ビアB2を介してアンプトランジスタ14´´のソース側の拡散層DF2に接続されている。

并且，用于垂直信号线 Vsig11a的配线 H11经由通孔 B2连接在放大晶体管 14的源极侧的扩散层 DF2上，用于垂直信号线 Vsig11b的配线 H11经由通孔 B2连接在放大晶体管 14′的源极侧的扩散层 DF2上，用于垂直信号线 Vsig11c的配线 H11经由通孔 B2连接在放大晶体管 14″的源极侧的扩散层 DF2上。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、垂直信号線Vsig1aに用いられている配線H1は、ビアB1を介してアンプトランジスタ4のソース側の拡散層DF1に接続され、垂直信号線Vsig1bに用いられている配線H1は、ビアB1を介してアンプトランジスタ4´のソース側の拡散層DF1に接続されている。

并且，用于垂直信号线 Vsig1a的配线 H1经由通孔 B1连接在放大晶体管 4的源极侧的扩散层 DF1上，用于垂直信号线 Vsig1b的配线 H1经由通孔 B1连接在放大晶体管 4′的源极侧的扩散层 DF1上。 - 中国語 特許翻訳例文集

画素ダミーアンプトランジスタ117のドレインが電源ラインLVDDAMPに接続され、ソースが画素ダミー選択トランジスタ118のドレインに接続されている。

像素哑放大晶体管 117具有连接至电源线 LVDDAMP的漏极、以及连接至像素哑选择晶体管 118的漏极的源极。 - 中国語 特許翻訳例文集

送信アンプ15は、変調器14から無変調または変調された搬送波が送信信号として相補型の形態で入力されると、その送信信号は、トランジスタT1，T2により増幅されてアンテナ16に供給される。

在将未经调制的或调制过的载波作为互补类型的传输信号从调制器 14输入到传输放大器 15上时，用晶体管 T1和 T2放大此传输信号并提供给天线 16。 - 中国語 特許翻訳例文集

差動アンプ115の非反転入力端子は画素101の出力端子からの信号を受けるように構成されており、その出力端子は最大値検出用NMOSトランジスタ116のゲート端子と接続されている。

差分放大器 115被配置为使得从像素 101输出的信号被输入到差分放大器 115的非反相输入端子。 差分放大器 115的输出端子与最大值检测 NMOS晶体管 116的栅极端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

差動アンプ118の非反転入力端子は画素101の出力端子からの信号を受けるように構成されており、その出力端子は最小値検出用PMOSトランジスタ119のゲート端子と接続されている。

差分放大器 118被配置为使得从像素 101输出的信号被输入到差分放大器 118的非反相输入端子。 差分放大器 118的输出端子与最小值检测 PMOS晶体管 119的栅极端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

最大値検出用NMOSトランジスタ116のドレイン端子は電源VDDに接続され、ソース端子は差動アンプ115の反転入力端子および最大値検出用スイッチ117と接続される。

最大值检测NMOS晶体管 116的漏极端子与电源 VDD连接。 最大值检测 NMOS晶体管 116的源极端子与差分放大器 115的反相输入端子连接并且与最大值检测开关 117连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

最小値検出用PMOSトランジスタ119のドレイン端子は電源VDDと接続され、ソース端子は差動アンプ118の反転入力端子および最小値検出用スイッチ120と接続される。

最小值检测PMOS晶体管 119的漏极端子与电源 VDD连接。 最小值检测 PMOS晶体管 119的源极端子与差分放大器 118的反相输入端子连接，并且还与最小值检测开关 120连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

画素100は、光を電気（信号電荷）に変換するフォトダイオード（PD）106と、電気信号を増幅するFDアンプ107と、行選択スイッチを構成する行選択トランジスタ（Tr）108を備える。

光电二极管 (PD)106，其将光转换为电力 (信号电荷 )； FD放大器 107，其放大电信号； - 中国語 特許翻訳例文集

PD1のカソードは電源電圧VDDに接続され、アノードはリセットMOSトランジスタ3の一方の主電極およびオペアンプ2の非反転入力端子に接続される。

PD 1的阴极与电源电压 VDD连接，PD 1的阳极与复位 MOS晶体管 3的主电极中的一个和运算放大器 2的非反相输入端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

図7の機器構成においては、このことは、コンデンサ220を、ループ22に接続する端子をはさむ電圧降下を調整する調整器248のための分路素子として、オペアンプ254及び分路トランジスタ252と併せて配置することによって達成される。

在图 7的配置中，这是通过将电容器 220作为稳压器 348的分路元件来达成的，其中稳压器 248与 OP amp 254和分路晶体管252一起调节与环路 22耦合的端子上的压降。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、垂直信号線Vsig1a、Vsig1bに用いられている配線H1をアンプトランジスタ4、4´のソース側の拡散層DF1にそれぞれ接続することにより、フローティングディフージョンFD1、FD1´と垂直信号線Vsig1b、Vsig1aとの間の距離をそれぞれ大きくすることができる。

此外，通过将用于垂直信号线Vsig1a、Vsig1b的配线H1分别连接在放大晶体管4、4′的源极侧的扩散层 DF1上，能够使浮动扩散部 FD1、FD1′与垂直信号线 Vsig1b、Vsig1a之间的距离分别变大。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間（10）から低感度モードに移行する動作で特徴的なのは、期間（14）にバッファアンプ202から出力される信号−S3には、蓄積動作中にMOSトランジスタ115を導通させたことによるノイズが含まれる。

被执行以在时段 (10)期间向低灵敏度模式转换的操作的特征在于，在时段 (14)中从缓冲放大器 202输出的信号 -S3包含由于 MOS晶体管 115在累积操作期间进入导通状态而出现的噪声。 - 中国語 特許翻訳例文集

1A・・・固体撮像素子、10A・・・画素部、11A・・・A／D変換部、12A・・・光通信部、13A・・・タイミングジェネレータ、14A・・・制御I／O、15A・・・DC−DC部、16A・・・制御部、17・・・バス、2A・・・光学装置、20A・・・レンズ部、21・・・ハウジング、3A・・・信号処理装置、30A・・・光通信部、31A・・・制御I／O、32A・・・操作部、33A・・・読み出し制御部、34A・・・信号処理部、35A・・・データ保持部、36A・・・表示部、37A・・・電源、38A・・・電源制御部、4A・・・信号処理システム、100・・・画素、101・・・画素アレイ、102・・・垂直走査回路、103・・・水平走査回路、104・・・カラムCDS回路、105・・・列信号線、106・・・フォトダイオード、107・・・FDアンプ、108・・・行選択トランジスタ、109・・・行選択線、110・・・電荷検出部、111・・・リセットトランジスタ、112・・・増幅トランジスタ、113・・・リセット線、114・・・行読み出し線、120・・・シリアルインタフェース、120A・・・パラレル／シリアル変換部、121、121S，121CL・・・発光部、122A，122B・・・配線、123・・・配線、124・・・エンコード部、125・・・データスクランブル部、126・・・パラレル／シリアル変換部、128A・・・面発光型半導体レーザ、130H，130AD，130OP・・・配線、300S，300CL・・・光受信部、301A・・・シリアル／パラレル変換部、302・・・光受信部、303・・・シリアル／パラレル変換部、304・・・デスクランブル部、305・・・デコード部、306・・・受光部、307・・・パラレルインタフェース、401A・・・カメラシステム、402A・・・レンズユニット、403A・・・カメラ本体部、404・・・シャッタ、405・・・AE／AF検出部、406・・・ストロボ、407・・・ストロボ制御部

1A固态图像拾取元件，10A像素单元，11AA/D转换器，12A光通信单元，13A时序发生器，14A控制 I/O，15A DC-DC单元，16A控制器，17总线，2A光学设备，20A透镜单元，21外壳，3A信号处理设备，30A光通信单元，31A控制 I/O，32A操作单元，33A读取控制器，34A信号处理器，35A数据存储单元，36A显示单元，37A电源，38A电源控制器，4A信号处理系统，100像素，101像素阵列，102垂直扫描电路，103水平扫描电路，104列 CDS电路，105列信号线，106光电二极管，107FD放大器，108行选择晶体管，109行选择线，110电荷检测器，111复位晶体管，112放大晶体管，113复位线，114行读取线，120串行接口，120A并 /串转换器，121 121S 121CL发光单元，122A 122B线，123线，124编码单元，125数据加扰单元，126并/串转换器，128A表面发射半导体激光器，130H 130AD130OP线，300S 300CL光接收单元，301A串 /并转换器，302光接收单元，303串 /并转换器，304解扰单元，305解码单元，306光接收单元，307并行接口，401A相机系统，402A透镜单元，403A相机机身单元，404快门，405AE/AF检测器，406电子闪光，407电子闪光控制器 - 中国語 特許翻訳例文集