「とらんじすたぞうふくき」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

このため、信号読出し回路710により、増幅トランジスタ414から一定の増幅利得により出力された基準信号が読み出される。

这允许信号读出电路 710读出以恒定的放大增益从放大晶体管 414输出的参考信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

但し、このときのFD25の電圧は増幅トランジスタ23の閾値以下であるから、増幅トランジスタ23はソースフォロワ回路動作の開始をスタンバイしている状態になる。

但是，由于此时的 FD25的电压为放大晶体管 23的阈值以下，放大晶体管 23成为准备开始源极跟踪器电路动作的状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

負荷トランジスタ503は演算増幅器を動作させるための電流（バイアス電流）を供給するためのものである。

负载晶体管 503供给用于使得运算放大器 4操作的电流 (即，偏压电流 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

MOSトランジスタ5の他方の主電極は、共通出力線8および差動増幅回路4の反転入力端子と接続される。

MOS晶体管 5的主电极中的另一个与共用输出线 8和差分放大器电路 4的反相输入端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

このため、保持期間において、増幅トランジスタ414における増幅利得が一定に維持された基準信号および画素信号の2つの信号が、信号読出し回路710によって読み出される。

因此，在保持时段中，由信号读出电路 710读出以恒定的放大增益从放大晶体管 414输出的参考信号和像素信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間T3の場合は、期間t3でFD部26の電位を信号レベルとして増幅トランジスタ24を介して読み出す。

在时段 T3的情形中，在时段 t3，通过放大晶体管 24读出 FD区 26的电势作为信号电平。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間S3の場合は、期間t3でFD部26の電位を信号レベルとして増幅トランジスタ24を介して読み出す。

在时段 S3的情形中，在时段 t3，通过放大晶体管 24读出 FD区 26的电势作为信号电平。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、本発明の第1の実施の形態では、この第2カップリング変動量（ΔV2）により、画素信号読出し期間において、垂直信号線（VSL1）510に接続された増幅トランジスタ414における増幅利得が上昇してしまう。

应注意，在第一实施例中，在像素信号读出时段期间，由于第二耦合改变 (ΔV2)，连接到垂直信号线 (VSL1)501的放大晶体管 414的放大增益升高。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間T3の場合は、期間t1でFD部26の電位をリセットレベルとして増幅トランジスタ24を介して読み出す。

在时段 T3的情形中，在时段 t1，通过放大晶体管 24读出 FD区 26的电势，作为复位电平。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間S3の場合は、期間t1でFD部26の電位をリセットレベルとして増幅トランジスタ24を介して読み出す。

在时段 S3的情形中，在时段 t1，通过放大晶体管 24读出 FD区 26的电势，作为复位电平。 - 中国語 特許翻訳例文集

逆相内部ノード／Dは、「差動増幅回路の一方の差動入力端」として、PMOSトランジスタ54を介してデータ線に接続され、正相内部ノードDは、「差動増幅回路の他方の差動入力端」として、PMOSトランジスタ55を介して基準電圧線Vrefに接続されている。

反相内部节点 /D作为“差动放大电路的一个差动输入端”，经由 PMOS晶体管 54与数据线连接，正相内部节点 D作为“差动放大电路的另一个差动输入端”，经由 PMOS晶体管 55与基准电压线 Vref连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

図2の共有画素ユニット41は、フォトダイオード（PD0，PD1）51−1，51−2、転送トランジスタ（M0，M1）52−1，52−2、フローティングディフュージョン（FD）53、リセットトランジスタ（M2）54、増幅トランジスタ（M3）55、および選択トランジスタ（M4）56から構成される。

图 2中的共享像素单元 41包括光电二极管 (PD0和 PD1)51-1和 51-2、传送晶体管(M0和 M1)52-1和 52-2，浮置扩散 (FD)53、重置晶体管 (M2)54、放大晶体管 (M3)55、以及选择晶体管 (M4)56。 - 中国語 特許翻訳例文集

単位画素2aでは、増幅トランジスタ23はオンしているが、アドレストランジスタ24が選択解除によりオフしたので、ドレイン端子が電源から切り離された状態となる。

在单位像素 2a中，虽然放大晶体管 23导通，但由于地址晶体管 24基于选择解除而被截止，因此漏极端子成为从电源被切断的状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

選択トランジスタ56は、タイミング制御部26から供給される駆動信号SELに従って、増幅トランジスタ55からの電圧信号の垂直信号線57への出力をオン／オフする。

选择晶体管 56根据从时序控制部分 26提供的驱动信号 SEL，接通 /切断从放大晶体管 55到垂直信号线 57的电压信号的输出。 - 中国語 特許翻訳例文集

アドレストランジスタ24は、行選択を行うアドレス線ADDRESSの電圧によりオン・オフ制御され、行選択されてオンしている期間において増幅トランジスタ23のドレイン端子を電源26に接続する。

地址晶体管 24通过进行行选择的地址线 ADDRESS的电压来进行导通 /截止控制，在被行选择后导通的期间，放大晶体管 23的漏极端子与电源 26连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

増幅トランジスタ23は、アドレストランジスタ24が行選択されてオンしドレイン端子が電源26に接続され、かつスイッチトランジスタ14がオンして電流源15が垂直信号線VSLを介してソース端子に接続されたときにソースフォロワ回路を構成する。

在地址晶体管 24被行选择后导通时，放大晶体管 23的漏极端子与电源 26连接，且在开关晶体管 14导通后电流源 15经由垂直信号线 VSL与源极端子连接时，构成源极跟踪器电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間t4でリセットパルスRSTが“H”レベルとなり、リセットトランジスタ23がオン状態になることによってFD部26のみをリセットし、期間t5で選択電源電位SELVDDが“L”レベルになり、FD部26の電位を増幅トランジスタ24の閾値よりも低い電位とすることで、当該増幅トランジスタ24がオフして画素を非選択状態とする。

在时段 t4，通过使得复位脉冲 RST为“H”电平并且使得复位晶体管 23处于导通状态，仅仅复位 FD区 26，并且在时段 t5，通过使得选择电源电势 SELVDD为“L”电平并且使得FD区 26的电势低于放大晶体管 24的阈值，放大晶体管 24被关断，以使得像素处于未选定状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

このため、共通出力線8または9の電位は差動増幅回路4または6の仮想接地により差動増幅回路の非反転入力端子と等しくなり、出力端子POUTまたはBOUTから出力される信号からは、MOSトランジスタ5または7で生じる電圧降下の影響が低減される。

这导致由 MOS晶体管 5或 7引起的电压降对于从输出端子 POUT或BOUT输出的信号的影响减小。 - 中国語 特許翻訳例文集

送信アンプ15は、変調器14から無変調または変調された搬送波が送信信号として相補型の形態で入力されると、その送信信号は、トランジスタT1，T2により増幅されてアンテナ16に供給される。

在将未经调制的或调制过的载波作为互补类型的传输信号从调制器 14输入到传输放大器 15上时，用晶体管 T1和 T2放大此传输信号并提供给天线 16。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加されているので、信号電荷S1が排出された浮遊拡散領域145の電圧（以下、リセットレベルR2と称する）を示す画素信号が、増幅トランジスタ148から垂直信号線155に出力される。

这里，由于选择脉冲 SEL被施加至选择晶体管 147的栅电极，表示浮置扩散区 145(其释放信号电荷 S1)的电压 (下文中称作复位电平 R2)的像素信号从放大晶体管 148输出至垂直信号线 155。 - 中国語 特許翻訳例文集

蓄積時間中は、光電変換素子21で電気信号に変換された信号が、ソースフォロワ回路の入力トランジスタ23のソース電極より増幅されて出力されている。

在积累期间中，在源极跟随器电路中的输入晶体管 23的源极处将光电转换元件 21中转换的电信号放大，并从那里输出。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、「CMOS」に含まれる「金属酸化物半導体」という用語は、従来は、半導体に形成される酸化物材料に金属ゲートが形成された電界効果トランジスタの物理構造のことを示す。

例如，术语“CMOS”中的短语“金属氧化物半导体”传统上可以表示在氧化物材料上形成金属栅极的场效应晶体管的物理结构，其形成于半导体上。 - 中国語 特許翻訳例文集

画素100は、光を電気（信号電荷）に変換するフォトダイオード（PD）106と、電気信号を増幅するFDアンプ107と、行選択スイッチを構成する行選択トランジスタ（Tr）108を備える。

光电二极管 (PD)106，其将光转换为电力 (信号电荷 )； FD放大器 107，其放大电信号； - 中国語 特許翻訳例文集

各選択トランジスタ41のゲートには、それぞれ別の制御信号φSW1、φSW2、φSW3が供給され、この制御信号に従って任意の中間保持手段2の信号が選択されて増幅回路42を介し出力される。

不同的控制信号和 被施加到相应的选择晶体管 41的栅极，并且根据控制信号，从相应的中间保持单元 2选择信号并经由放大电路 42将该信号输出。 - 中国語 特許翻訳例文集

逆相内部ノード／D1，／D2，／D3は、それぞれ「差動増幅回路の一方の差動入力端」として、PMOSトランジスタ54を介してデータ線に接続され、正相内部ノードD1，D2，D3は、それぞれ「差動増幅回路の他方の差動入力端」として、PMOSトランジスタ55を介して基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3に接続されている。

反相内部节点 /D1、/D2、/D3分别作为“差动放大电路的一个差动输入端”，经由 PMOS晶体管 54与数据线连接，正相内部节点 D1、D2、D3分别作为“差动放大电路的另一个差动输入端”，经由 PMOS晶体管 55与基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

このとき、PMOSトランジスタ54，55がオンしているので、差動増幅回路45a，45b，45cの正相内部ノードD1，D2，D3、および逆相内部ノード／D1，／D2，／D3は、データ線10、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の対応するものが接続される。

此时，由于 PMOS晶体管 54、55导通，因此差动放大电路 45a、45b、45c的正相内部节点 D1、D2、D3和反相内部节点 /D1、/D2、/D3连接着数据线 10、基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3中所对应的基准电压线。 - 中国語 特許翻訳例文集

このとき、PMOSトランジスタ54，55がオンしているので、差動増幅回路45a，45b，45cの正相内部ノードD1，D2，D3、および逆相内部ノード／D1，／D2，／D3は、データ線10、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の対応するものが接続される。

此时，由于PMOS晶体管 54、55导通，因此差动放大电路 45a、45b、45c的正相内部节点 D1、D2、D3和反相内部节点 /D1、/D2、/D3连接着数据线 10、基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3中对应的基准电压线。 - 中国語 特許翻訳例文集

差動増幅回路4の非反転入力端子は単位画素の出力端子と接続され、その出力端子は、第1のスイッチであるMOSトランジスタ5の一方の主電極に接続される。

差分放大器电路 4的非反相输入端子与单位像素的输出端子连接，并且，差分放大器电路 4的输出端子与用作第一开关的 MOS晶体管 5的主电极中的一个连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

これにより、画素回路410における増幅トランジスタ414から基準信号および画素信号の信号レベルが、垂直信号線（VSL1および2）501および502に出力される。

这允许将参考信号和像素信号的电平从像素电路 410的放大晶体管 414输出到垂直信号线 (VSL1和 VSL2)501和 502。 - 中国語 特許翻訳例文集

これにより、画素回路410における増幅トランジスタ414から基準信号および画素信号の信号レベルが垂直信号線（VSL1および2）501および502に出力される。

这允许将参考信号和像素信号的电平从像素电路 410的放大晶体管 414输出到垂直信号线 (VSL1和 VSL2)501和 502。 - 中国語 特許翻訳例文集

各選択トランジスタ41のドレイン電極は、対応するノードN41を介してそれぞれ別の中間保持手段2（中間保持手段2のノードN32）に接続されており、ソース電極はすべてショートされ増幅回路42の入力端に接続されている。

选择晶体管 41的漏极经由相应的节点 N41连接到相应的中间保持单元2(中间保持单元 2的节点 N32)，并且各自的源极耦接到放大电路 42的输入节点。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、画像モニタリング装置20側では、インターフェイス23を介して画像形成装置10からのトラブル発生信号（ジャムトラブルコードと、画像形成装置10側のディスプレイ15上に表示されたトラブル画面60の画像データとが含まれている。）を受信すると、通常画面の画像データの受信ではなく（図11BのステップP31でNo）、トラブル発生信号を受信したと判別して（図11BのステップP32でYes）、前述した図14Bのフローチャートで示すトラブル処理を開始し、ディスプレイコントローラ25が、CPU22の指示に基づいて、画像モニタリング装置20側のディスプレイ28上にトラブルメッセージ（アイコン50付きのトラブル画面70）を表示する（図14BのステップP40）。

另一方面，在图像监控装置 20侧，当经由接口 23接收到来自图像形成装置 10的故障发生信号 (包含：卡纸故障码、和在图像形成装置 10侧的显示器 15上显示的故障画面60的图像数据。)时，判别为不是通常画面的图像数据的接收 (在图 11B的步骤 P31“否”)，而接收到故障发生信号 (在图 11B的步骤 P32为“是”)，开始上述的图 14B的流程图所示的故障处理，显示控制器 25基于 CPU22的指示，在图像监控装置 20侧的显示器 28上显示故障消息 (带有图标 50的故障画面 70)(图 14B的步骤 P40)。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、画像モニタリング装置20側では、インターフェイス23を介して画像形成装置10からのトラブル発生信号（ジャムトラブルコードと、画像形成装置10側のディスプレイ15上に表示したトラブル画面60の画像データとが含まれている。）を受信すると、通常画面の画像データの受信ではなく（図11BのステップP31でNo）、トラブル発生信号を受信したと判別して（図11BのステップP32でYes）、前述した図6Bのフローチャートに示すトラブル処理を開始し、ディスプレイコントローラ25が、CPU22の指示に基づいて、ディスプレイ28上にトラブルメッセージ（操作パネルアイコン50付きのトラブル画面70）を表示する（図6BのステップP20）。

另一方面，在图像监控装置 20侧，当经由接口 23接收到来自图像形成装置 10的故障发生信号 (包含：卡纸故障码、和在图像形成装置 10侧的显示器 15上显示的故障画面 60的图像数据。)时，判别为不是通常画面的图像数据的接收 (在图 11B的步骤 P31为“否”)，而接收到故障发生信号 (在图 11B的步骤 P32为“是”)，开始上述的图 6B的流程图所示的故障处理，显示控制器 25基于 CPU22的指示，在显示器 28上显示故障消息 (带有操作面板图标 50的故障画面 70)(图 6B的步骤 P20)。 - 中国語 特許翻訳例文集

この画素回路では、リセット電圧Vrstを垂直信号線111から選択的に供給する構成となっているために、リセットトランジスタ23がFD部26（増幅トランジスタ24のゲート電極）と垂直信号線111との間に接続されるとともに、垂直信号線111にはスイッチパルスSWでオン状態となるスイッチトランジスタ27を介して選択的にリセット電圧Vrstが供給されることになる。

像素电路具有如下配置，其中，复位电压 Vrst被选择性地从垂直信号线 111供应，因此，复位晶体管 23被连接在 FD区 26(放大晶体管 24的栅电极 )和垂直信号线 111之间，并且复位电压 Vrst通过开关晶体管 27被选择性地供应到垂直信号线 111，所示开关晶体管 27通过开关脉冲 SW导通。 - 中国語 特許翻訳例文集

増幅トランジスタ23は、ソースフォロワ回路を構成している期間において、リセットトランジスタ22によりリセットされた後のFD25の電圧（リセット電圧）を同レベルの画素信号に変換して垂直信号線VSLに出力し、さらに、読み出しトランジスタ21により、フォトダイオード20から信号電荷がFD25に読み出された後のFD25の電圧（リセット電圧＋変換信号電圧）を同レベルの画素信号に変換して垂直信号線VSLに出力する。

放大晶体管 23在构成源极跟踪器电路的期间中，将被复位晶体管 22复位后的 FD25的电压 (复位电压 )变换为同电平的像素信号并输出至垂直信号线 VSL，另外，通过读出晶体管 21，在从光电二极管 20将信号电荷读出至 FD25之后的 FD25的电压 (复位电压 +变换信号电压 )变换为同电平的像素信号并输出至垂直信号线 VSL。 - 中国語 特許翻訳例文集

バッファは、トランジスタまたはICなどのよく知られているバッファ増幅器であるが、CPU30のI／Oポートのレベルおよび電流容量に依存して、バッファ220および221が必要とされず使用されないことがあり、その場合には、トリガパルスT1およびT2は、CPU30から直接トライアック223および224のトリガ入力に供給される。

该缓冲器是众所周知的缓冲放大器，诸如晶体管或IC，然而依赖于CPU 30的I/O端口的电平和电流容量，可能不需要和不使用缓冲器 220和 221，在该情况下从 CPU 30直接馈送触发脉冲 T1和 T2至三端双向可控硅开关元件 223和 224触发输入端。 - 中国語 特許翻訳例文集