「のうどうがたいそうそうされーだー」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

図15Aに示すように、スラブ1504を、正にドープされた（positively doped）半導体層1512と負にドープされた半導体層1514との間に挟まれた真性層1510から構成することができる。

如图 15A中所示，板 1504可以包括夹在正掺杂的半导体层 1512与负掺杂的半导体层 1514之间的本征层 1510。 - 中国語 特許翻訳例文集

図3の例示的な回路が2つ以上のスピーカ装置において使用される場合、各スレーブスピーカ装置のシステムクロックが互いに対してある期間にわたりドリフトする結果、スピーカ装置のそれぞれのオーディオデコーダの動作間でタイミング誤差（タイミングスキュー）が累積し、そこから生成されるオーディオ信号間に関連付けられた位相誤差が生じる。

当图 3的示例性电路用在两个或更多扬声器设备中时，每个从扬声器设备的系统时钟将相对于彼此随时间而漂移，并且在扬声器设备的相应音频解码器的操作之间产生定时误差 (定时偏斜 )的累积，并且在从其生成的音频信号之间产生相关联的相位误差。 - 中国語 特許翻訳例文集

1つのそのようなタイミング要件が、DS1データ信号またはE1データ信号に関する導き出されるクロック信号の制御された位相移動（controlled phase movement）またはMTIE（最大時間間隔誤差）限度である。

一个这样的定时要求是对于用于 DS1或 E1数据信号的所得到的时钟信号的受控相位移动或最大时间间隔误差 (MTIE)限制。 - 中国語 特許翻訳例文集

このソース電極9及びドレイン電極13と半導体活性層8との間には不純物添加アモルファスシリコン等による不純物添加半導体層（不図示）が形成されている。

在源极 9和漏极 13这两者与半导体有源层 8之间形成例如掺有杂质的非晶硅等的掺有杂质的半导体层 (附图中未示出 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

このソース電極9及びドレイン電極13と半導体活性層8との間には不純物添加アモルファスシリコン等による不純物添加半導体層（不図示）が形成されている。

在源极 9以及漏极13这两者和各半导体有源层 8之间形成例如掺有杂质的非晶硅等的掺有杂质的半导体层(附图中未示出 )。 - 中国語 特許翻訳例文集