「はんそうでんしん」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

ステップS108において設定されている送信電力が既定の最大値であると判定された場合には、送信装置100は、CH（P）の送信電力を調整せずにステップS100からの処理を繰り返す。

在步骤 S108，如果确定设置的发送功率是预先设置的最大值，则发送设备 100不调整信道 P的发送功率，而是从步骤 S100重复处理。 - 中国語 特許翻訳例文集

周波数混合部8302によりミリ波帯に変調された伝送信号のみを受信側に送出し、伝送信号に含まれる搬送信号を基準搬送信号として扱えばよく、周波数混合部8302の出力信号にさらに別の基準搬送信号を加えて受信側に送る必要はない。

满足只将通过频率混合部分 8302调制为毫米波波段中的发送信号发送到接收侧，并且将发送信号中包括的载波信号当作参考载波信号。 不必进一步增加其它参考载波信号到频率混合部分 8302的输出信号并发送输出信号到接收侧。 - 中国語 特許翻訳例文集

本発明は、複数のアップリンク搬送波を使用する無線移動通信システムの端末が制御（control）情報を伝送する方法に関する。

用于传送控制信息的方法包括： - 中国語 特許翻訳例文集

図3（2）に示す基本構成2のように、伝送信号と基準搬送信号を各別のアンテナ8136_1，8136_2で、好ましくは干渉を起さないように各別のミリ波信号伝送路9で受信側に送ってもよい。

如在图 3B所示的第二基本配置中，发送信号和参考载波信号可以通过分开的天线8136_1和 8136_2，通过分开的毫米波信号发送线 9发送到接收侧，而期望不引起干扰。 - 中国語 特許翻訳例文集

半導体チップ103には、ミリ波信号伝送路9_1，9_2（誘電体伝送路9A_1，9A_2）と結合するためのミリ波送受信端子132_1，132_2が離れた位置に設けられている。

在半导体芯片103上，在相互分开的位置提供用于耦合到毫米波信号传输路径9A_1和9A_2的毫米波传输 /接收端子 132_1和 132_2。 - 中国語 特許翻訳例文集

伝送システム20を通過した後に、信号は、チャネルフィルタ30によって、WDM信号によって搬送されるものから選択される。

在经过了传输系统 20之后，由信道滤波器 30从由 WDM信号载运的那些信号中选择信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1実施形態では、送信側が1系統で受信側が複数系統のシステム構成の例として、送信側の半導体チップ103Bと受信側の半導体チップ203B_1，203B_2間で、1対2の伝送チャネルを構成するミリ波信号伝送路9_2により同報通信が実現される。

在第一实施例的系统配置的实例中，其中传输侧包括一个信道并且接收侧包括多个信道，通过在传输侧的半导体芯片 103B和接收侧的半导体芯片 203B_1和 203B_2之间配置 1:2传输信道的毫米波信号传输路径 9_2，实现广播传输。 - 中国語 特許翻訳例文集

CCU判定制御部54は、CPUにより、伝送モード自動検出処理を実行する。

CHU判断控制器 45借助 CPU来执行传输模式自动检测处理。 - 中国語 特許翻訳例文集

第2通信装置200は、基板202上に、ミリ波帯受信に対応した半導体チップ203と伝送路結合部208が搭載されている。

准备好用于毫米波波段接收的半导体芯片 203和发送线耦合部分 208安装在第二通信设备 200的板 202上。 - 中国語 特許翻訳例文集

2： 1の圧縮比では、768Mbpsリンクは、8つのアンテナ−搬送波を伝達することになる。

对于压缩率为 2∶ 1的情形，768Mbps的链路将携带 8个天线载波。 - 中国語 特許翻訳例文集

この搬送波電圧と通信距離との変化特性から、通信距離検出部19は、アンテナ16の搬送波電圧を監視することによって通信媒体30までの距離を検出することができる。

根据这样的变化特征，通信距离检测单元 19就能通过监测在天线 16中的载波电压来检测到通信介质 30的距离。 - 中国語 特許翻訳例文集

たとえばCHU2では、CCU3からの光シリアル信号を受信し、2ch伝送と1ch伝送のモード設定を一定時間毎に変更し、受信したシリアル信号から再生した再生クロック信号にロックした周波数に基づいて接続相手の伝送モードを判断して確定している。

例如，CHU 2从 CCU 3接收光串行信号，并且针对每个预定时间段，改变 2ch传输模式和 1ch传输模式的设定，并且基于被锁定为从接收到的串行信号恢复的恢复时钟信号的频率来确定和设定连接相对方的传输模式。 - 中国語 特許翻訳例文集

田園部の環境では、半波長間隔の線形アレイを配備して、ビーム形成法を用いてデータ伝送することが望ましい場合がある。

在农村环境中，可能期望部署半波间隔线性阵列并将波束形成用于数据传输。 - 中国語 特許翻訳例文集

半導体チップ203には、ミリ波信号伝送路9と結合するためのミリ波送受信端子232が設けられている。

半导体芯片203提供有用于耦合到毫米波信号发送线9的毫米波发送和接收端子232。 - 中国語 特許翻訳例文集

半導体チップ103にはミリ波信号伝送路9と結合するためのミリ波送受信端子132が設けられている。

半导体芯片 103提供有用于耦合到毫米波信号发送线 9的毫米波发送和接收端子 132。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、図7は、図5と同様に、送信装置10と受信装置20A、20Bとからなる音声信号伝送システムと、通信装置300Aおよび通信装置300Bからなる無線通信システム2000とが同一範囲内に混在している例を示している。

这里，以与图 5相同的方式，图 7示出这样的示例，其中包括发送设备 10和接收设备 20A和 20B的声音信号发送系统与包括通信设备 300A和通信设备 300B的无线通信系统 2000一起存在于相同范围内。 - 中国語 特許翻訳例文集

必然的に、伝送信号の伝送対象信号を載せる変調軸と同じ軸（変調軸と同相で）に基準搬送信号が載ることになる。

自然，参考载波信号叠加在与调制轴相同的轴上 (与调制轴同相 )，在该调制轴上叠加发送信号的发送对象信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体的には、ミリ波信号伝送路9による影響を無視するべく、つまり送信チップ単体の特性を把握するべく、測定点を増幅部8117の出力端として、一意の搬送周波数の搬送波で変調信号を変調し、搬送波に対する出力信号の比（変換ゲイン＝出力信号／搬送波［dB］）の周波数特性を測定する。

具体地，为了忽略毫米波信号发送线 9的影响，即，为了掌握作为单个单元的发送芯片的特性，将放大部分 8117的输出端设为测量点，调制信号通过独特载波频率的载波调制，并且测量作为输出信号与载波的比(转换增益＝输出信号 /载波 [dB])的频率特性。 - 中国語 特許翻訳例文集

一実施の形態においては、位置特定装置410は、電子機器110の地理的位置を判定する。

在一个实施例中，定位器系统 410确定电子装置 110的地理位置。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、この第3アンテナスイッチ10Cは、第1λ／4信号伝送路18aを構成要素の1つとし、送信信号の反射波を検出する第1方向性結合器36aと、第3λ／4信号伝送路18cを構成要素の1つとし、送信信号の進行波を検出する第2方向性結合器36bとを有する。

第一定向耦合器 36a把第一λ/4信号传输线 18a作为其部件，用于检测传输信号的反射波。 第二定向耦合器 36b把第三λ/4信号传输线 18c作为其部件，用于检测传输信号的行波。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、この第7アンテナスイッチ10Gは、第1λ／4信号伝送路18aを構成要素の1つとし、送信信号の反射波を検出する第1方向性結合器36aと、第3λ／4信号伝送路18cを構成要素の1つとし、送信信号の進行波を検出する第2方向性結合器36bとを有する。

第一定向耦合器 36a把第一λ/4信号传输线 18a作为其部件，用于检测传输信号的反射波。 第二定向耦合器 36b把第三λ/4信号传输线 18c作为其部件，用于检测传输信号的行波。 - 中国語 特許翻訳例文集

絶縁膜15上のゲート電極2上には、半導体活性層8が島状に形成されている。

在绝缘膜 15上方、各个栅极 2上形成岛状的半导体有源层 8。 - 中国語 特許翻訳例文集

絶縁膜15上のゲート電極2上には、半導体活性層8が島状に形成されている。

在绝缘膜 15上方的各栅极 2上形成岛形的半导体有源层 8。 - 中国語 特許翻訳例文集

画像形成装置100の電源が投入されたと判定されると（S10000にてYES）、処理はS10010へ移される。

当判断为接通了图像形成装置 100的电源 (在 S10000中为“是”)时，处理移向 S10010。 - 中国語 特許翻訳例文集

画像形成装置100の電源が投入されたと判定されると（S10000にてYES）、処理はS10010へ移される。

当判断为接通了图像形成装置 100的电源 (在 S10000中是“是”)时，处理移向 S10010。 - 中国語 特許翻訳例文集

画像形成装置100の電源が投入されたと判定されると（S10000にてYES）、処理はS10010へ移される。

当判断为图像形成装置 100的电源被接通时 (S10000中的“是”)，处理移至 S10010。 - 中国語 特許翻訳例文集

この例では、2つのUEには、M＝1200個の副搬送波が割り当てられ、第1のUEは、復調参照信号だけを伝送し、第2のUEは、復調参照信号およびデータを伝送する。

在该实例中，给两个 UE分配 M＝ 1200个子载波，第一 UE只发送解调参考信号，而第二 UE发送解调参考信号和数据。 - 中国語 特許翻訳例文集

通信媒体30が通信装置10にさらに近づくことにより、監視電圧が低減して電力監視ポイントの基準電圧Vrefより低い電圧になると、比較器53の出力が反転し、ローレベルの信号を出力する。

在通信介质 30进一步接近通信设备 10时，相应地，监控电压就降到低于功率监控点的参考电压，反转比较器 53的输出，比较器 53输出低电平信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1通信装置100Xは、基板102上に、ミリ波帯通信可能な半導体チップ103と伝送路結合部108が搭載されている。

第一通信设备 100X包括板 102、安装在板 102上并且能够执行毫米波段通信的半导体 103、以及安装在板 102上的传输路径耦合器 108。 - 中国語 特許翻訳例文集

判定結果を受信した電力管理装置11は、その判定結果に応じて制御化機器125に対する給電の継続又は停止の指示を制御化端子123に送信する（S523）。

接收到该确定结果的电力管理装置 11根据该确定结果向控制兼容端子 123传输对控制兼容设备 125继续或停止供电的指令 (S523)。 - 中国語 特許翻訳例文集

より詳細には、再生装置のスロット（図示せず）に半導体メモリーカードが挿入されると、半導体メモリーカードI/Fを経由して再生装置と半導体メモリーカードが電気的に接続される。

更详细地讲，如果在再生装置的插槽 (未图示 )中插入半导体存储卡，则经由半导体存储卡 I/F将再生装置与半导体存储卡电气地连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

これに対して、第5実施形態の無線伝送システム1Eでは、複数の信号伝送系統（複数チャネル）において、搬送周波数の設定を同一にでき、搬送周波数の再利用（複数チャネルで同一周波数を使用すること）が容易になる。

另一方面，根据第五实施例的无线电传输系统 1E允许将多个信号传输系统 (多个信道 )的载频设置在同一载频，并且便利了载频的再利用 (在多个信道中使用相同的频率 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

機器間での信号伝送の場合は、たとえば、第1通信装置100C側の筐体190Cと第2通信装置200C側の筐体290Cが図中の点線部分を搭載（載置）箇所として、半導体チップ103A，103Bが収容された第1通信装置100Cを具備する電子機器に対して半導体チップ203A，203B_1，203_2が収容された第2通信装置200Cを具備する電子機器が載置されると考えればよい。

然而，在不同装置之间的信号传输的情况下，例如，包括其中容纳半导体芯片 203A、203B_1和 203B_2的第二通信设备 200C的电子装置放置在包括其中容纳半导体芯片 103A和 103B的第一通信设备 100C的电子装置上，使得第一通信设备侧 100C的外壳 190C和第二通信设备 200C侧的外壳 290C安装或放置在由图12中的虚线单独指示的位置。 - 中国語 特許翻訳例文集

このような実装の何れでも、通信インタフェース818は、さまざまなタイプの情報を表すデジタルデータ・ストリームを搬送する電気、電磁気、または光の信号を送信および受信する。

在这样的实施中，通信接口 818发送和接收承载着代表多种类型信息的数字数据流的电子的、电磁的或者光学的信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

特に、本構成例では嵌合構造（スロット構造4A）を利用してミリ波閉じ込め構造（導波路構造）のミリ波信号伝送路9（この例では誘電体伝送路9A）を構築しているので、筐体やその他の部材による反射の影響を受けないし、一方のアンテナ136から放出したミリ波信号を誘電体伝送路9Aに閉じ込めて他方のアンテナ236側に伝送できる。

特别是在本配置示例中，因为利用装配结构 (即，插槽结构 4A)来构造毫米波信号传输路径 9，所以在本示例中，毫米波限定结构 (即，波导结构 )的介电传输路径 9A不受外壳或其它部件的反射的影响，并且从一个天线 136辐射的毫米波信号可以传输到另一天线236侧，同时限定在介电传输路径 9A。 - 中国語 特許翻訳例文集

エンハンスメント層ストリーム226が、エンコーディングする時刻にSTB250に送信されてもよい一方で、後に間に合うように送信されるベース層ストリーム224は、記憶装置213等に保存され、視聴時刻にSTB250への伝送のために記憶装置から読み出される。

增强层流 226可在编码时被发送到 STB 250，而在时间上较后被发送的基本层流224将被存储在例如存储装置 213中，并在观看时被从存储装置读出以发送至 STB 250。 - 中国語 特許翻訳例文集

このために、簡易操作部筐体10内に設けられる電子回路（図示せず）をフレキブルプリント基板（図示せず）で繁雑操作部筐体20内に設けられる電子回路（図示せず）に電気的に接続している。

为此，安装在用于简易操作的壳体 10中的电路 (未示出 )通过挠性印刷电路 (未示出 )被电连接到安装在用于复杂操作的壳体 20中的电路 (未示出 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

筐体やその他の部材による反射の影響を受けないし、一方のアンテナ136から放出したミリ波信号を誘電体伝送路9Aに閉じ込めて他方のアンテナ236側に伝送できる。

没有外壳或一些其它部件的反射的影响，并且从天线 136辐射的毫米波信号可以限定到介电传输路径 9A并传输到其它天线236。 - 中国語 特許翻訳例文集

この例では、UEは、UEに割り当てられたM＝1200個の副搬送波上で、2つの復調参照信号およびデータを伝送する。

在该实例中，UE在分配给该 UE的 M＝ 1200个子载波上发送两个解调参考信号和数据。 - 中国語 特許翻訳例文集

このようなデータを、搬送周波数が30GHz〜300GHzのミリ波帯の信号に変換して高速に伝送することでミリ波伝送システムを構築する。

通过将这种数据转换为载波频率是30GHz到 300GHz的毫米波段中的信号并高速地发送该信号来构建毫米波传输系统。 - 中国語 特許翻訳例文集

半導体層21には、バイアス電圧が印加された状態で光が未照射の場合、数pA／mm2以下の電流しか流れない。

在半导体层 21中，当未照射光时，在施加偏置电压的状态下，仅几 pA/mm2或更小的电流流动。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここでは、単一搬送波周波数分割多元接続（SC−FDMA）システムにおける端末のために同時伝送をサポートするパイロット伝送、チャネル推定および空間処理技法が説明される。

本文对在单载波频分多址 (SC-FDMA)系统中支持终端同时传送的导频传输、信道估计、和空间处理技术进行说明。 - 中国語 特許翻訳例文集

この問題を受信側に直流成分抑制部8407を設けずに解決する方法として、伝送情報が載せられる位相軸（変調信号の位相軸）とは異なる位相軸（好ましくは最も離れた位相軸）に基準搬送信号を載せて送ることが考えられる。

作为解决该问题而不在接收侧提供 DC分量抑制器 8407的方法，在与放置传输信息的相位轴 (即，与调制信号的相位轴 )不同的相位轴上放置参考载波信号是可能的构思，优选在相隔最远的相位上。 - 中国語 特許翻訳例文集

この場合、半導体チップ203B_1は搬送周波数f1に注入同期することはなく、再生搬送信号を使って同期検波し低域通過フィルタ8412を通すことで、搬送周波数f1の送信信号Sout_1 を半導体チップ203B_1で復調処理したとしても、伝送対象信号SIN_1の成分が復元されることはない。

在该实例中，半导体芯片 203B_1不与载波频率 f1注入锁定，并且即使载波频率 f1的传输信号 Sout_1使用恢复的载波信号经历同步检测，并且通过低通滤波器 8412，然后通过半导体芯片 203B_1经历解调处理，也没有恢复传输对象信号 SIN_1的分量。 - 中国語 特許翻訳例文集

13. 前記取得装置は、ハンドヘルド電子装置である、請求項1から10のいずれかに記載の方法。

13.如权利要求 1-10中任意一个所述的方法，其中所述获取设备是手持电子设备。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、第2の形態の伝送信号は、上述したように、受信データとして送信データと同一のデータを得ることが保証されていないが、送信データに対してある程度の誤差の範囲に収まった受信データを得ることが期待される伝送信号である。

第二形式的发送信号是这样的发送信号，其如上所述不保证获得与发送数据相同的接收数据作为接收数据，但是预期获得关于发送数据的某一程度的误差范围内的接收数据。 - 中国語 特許翻訳例文集

タイムスタンプ判定部140は、ストリーム生成装置100の送信部110がメディアフレームを1つ以上のユーザ端末に送信するために使用する相対フレーム伝送順序に基づいて代替タイムスタンプを必要に応じて判定してもよい。

可选地，时间戳确定器 140可以基于流产生设备 100的发送器 110向一个或多个用户终端发送媒体帧所用的相对帧发送顺序，确定替换时间戳。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、図3（1）に示す基本構成1は、基準搬送信号処理部8306と信号合成部8308を設けて、変調回路（第1の周波数変換部）の出力信号（伝送信号）と基準搬送信号を合成（混合）するという操作を行なう。

图 3A所示的第一基本配置具有参考载波信号处理部分 8306和信号合成电路8308，并且执行合成 (混合 )调制电路 (第一频率转换部分 )的输出信号 (发送信号 )和参考载波信号的操作。 - 中国語 特許翻訳例文集

このソース電極9及びドレイン電極13と半導体活性層8との間には不純物添加アモルファスシリコン等による不純物添加半導体層（不図示）が形成されている。

在源极 9和漏极 13这两者与半导体有源层 8之间形成例如掺有杂质的非晶硅等的掺有杂质的半导体层 (附图中未示出 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

このソース電極9及びドレイン電極13と半導体活性層8との間には不純物添加アモルファスシリコン等による不純物添加半導体層（不図示）が形成されている。

在源极 9以及漏极13这两者和各半导体有源层 8之间形成例如掺有杂质的非晶硅等的掺有杂质的半导体层(附图中未示出 )。 - 中国語 特許翻訳例文集