「はんそうはもれ」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

半導体（Si）基板と遮光膜46の層間より漏れ込む光による漏れ信号。

从基板与遮光膜 46之间漏出的漏光信号； - 中国語 特許翻訳例文集

ミリ波は容易に遮蔽でき、外部に漏れ難いため、安定度の低い搬送周波数f2の搬送信号を使用することができる。

因为毫米波能够被容易地阻断并且不太可能泄漏到外部，所以允许使用其稳定性低的载波频率 f2的载波信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

（反右派闘争期に）何らかの理由によって右派分子という区分から漏れた右派．≒漏网右派．

漏划右派 - 白水社 中国語辞典

（反右派闘争期に）何らかの理由によって右派分子という区分から漏れた右派．≒漏划右派．

漏网右派 - 白水社 中国語辞典

社内で確認したところ、発送漏れはチェック時のミスによるものだと判明いたしました。

经过内部审查，发现了发送遗漏是由于检查时的疏漏导致的。 - 中国語会話例文集

すなわち、送信漏れ信号210の大きさに対してあらかじめ設定された負（−）の測定誤差を考慮して、送信漏れ信号210の大きさよりも小さい大きさを有する第1円220を最小範囲と設定する。

换句话说，考虑预先设置的关于发射泄漏信号 210幅度的负 (-)测量误差，幅度小于发射泄漏信号 210的幅度的第一圆周 220被设置在最小范围内。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、送信漏れ信号210の大きさに対してあらかじめ設定された正（＋）の測定誤差を考慮して、送信漏れ信号210の大きさよりも大きい大きさを有する第2円230を最大範囲と設定する。

此外，考虑到预先设置的关于发射泄漏信号 210幅度的正 (+)测量误差，幅度大于发射泄漏信号 210的幅度的第二圆周 230被设置在最大范围内。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかしながら、ミリ波では（特に固定位置間や既知の位置関係の信号伝送との併用時は）、ミリ波は容易に遮蔽でき、外部に漏れないようにでき、安定度の低い搬送波を伝送に使用することができ、回路規模の増大を抑えることができる。

然而，通过毫米波 (尤其当与各固定位置之间或以已知位置关系的信号传输联系使用时 )，可以容易地屏蔽毫米波，防止毫米波泄露到外部，使用用于传输的低可靠性的载波，并且由此防止电路规模的增大。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかしながら、ミリ波では（特に固定位置間や既知の位置関係の信号伝送との併用時は）、ミリ波は容易に遮蔽でき、外部に漏れないようにでき、安定度の低い搬送波を伝送に使用することができ、回路規模の増大を抑えることができる。

然而，在使用毫米波的情况下，特别是在与固定位置之间的或处于已知的位置关系的信号传输一起使用毫米波的情况下，可以容易地阻断毫米波并且防止毫米波泄漏到外部。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかしながら、ミリ波では（特に固定位置間や既知の位置関係の信号伝送との併用時は）、ミリ波は容易に遮蔽でき、外部に漏れないようにでき、安定度の低い搬送波を伝送に使用することができ、回路規模の増大を抑えることができる。

然而，在毫米波的情况下 (特别是结合在固定位置之间或处于已知的位置关系下的信号发送使用时 )，可能容易地屏蔽毫米波，防止毫米波泄漏到外部，因此防止电路规模的增加。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかし、図2Bに示すように、送信漏れ信号210の大きさを測定するにあたり、正／負（＋／−）の測定誤差が生じることがあるので、探索領域は、最大範囲と最小範囲を設定することが好ましい。

然而，当如图 2b所示测量发射泄漏信号 210的幅度时，由于会产生正 /负 (+/-)测量误差，所以会想为检测区域设置最大和最小范围。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1実施の形態に係る固体撮像装置31は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第一实施例的固体摄像装置 31具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集

第2実施の形態に係る固体撮像装置61は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第二实施例的固体摄像装置 61具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集

第3実施の形態に係る固体撮像装置63は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第三实施例的固体摄像装置 63具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集