「はんどうたいかいろ」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

センス回路部120は、第1の半導体基板SUB1と異なる第2の半導体基板SUB2に形成される。

感测电路部分 120形成在不同于第一半导体基底 SUB 1的第二半导体基底 SUB2上。 - 中国語 特許翻訳例文集

本発明は、受信回路及び受信回路を半導体基板上に形成した半導体装置に関する。

本发明涉及一种接收电路及在半导体基板上形成有接收电路的半导体装置。 - 中国語 特許翻訳例文集

課金フィルタ808には、半導体RET回路809が接続されている。

半导体 RET(返回 )电路 809连接到充电滤波器 808。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、発明者らは、前述した動作条件を満たす駆動回路を内蔵する半導体集積回路を提案する。

另外，发明人建议了一种半导体集成电路，其包括满足以上操作条件的驱动电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

半導体RET回路809は、直流の回線捕捉を行うための回路であり、DCLIM信号を用いたSOC101による制御に応じて動作する。

半导体 RET电路 809是进行 DC线路捕捉操作所需的电路，其在 SOC 101的控制下使用 DCLIM信号工作。 - 中国語 特許翻訳例文集

この場合、同期信号遅延吸収回路123で処理した同期信号を遅延量判別回路127に供給して、その遅延量判別回路127で2つの同期信号のタイミングを判断して、CPU131に2つの同期信号が一致しているか否かのタイミングデータを供給する。

在此情况中，经过同步信号延迟吸收电路 123的处理的同步信号被提供给延迟量确定电路 127，并且延迟量确定电路 127确定两个同步信号的定时并且将指示两个同步信号的定时是否彼此相对应的定时数据提供给 CPU131。 - 中国語 特許翻訳例文集

ステップS16において、依存ストリーム符号化回路24の可逆符号化部66は、VS_TYPE生成回路21から供給されるVS_TYPEに含まれるTSタイプは「同時刻タイプ」または「別時刻タイプ」であるかどうかを判定する。

在步骤 S16，从属流编码电路 24的无损编码单元 66确定 VS_TYPE生成电路 21提供的 VS_TYPE中所包括的 TS类型是否是“相同时刻类型”或“不同时刻类型”。 - 中国語 特許翻訳例文集

ステップS104において、符号化回路312の可逆符号化部66は、VS_TYPE生成回路21から供給されるVS_TYPEに含まれるTSタイプは「同時刻タイプ」または「別時刻タイプ」であるかどうかを判定する。

在步骤 S104中，编码电路 312的无损编码单元 46确定 VS_TYPE生成电路 21提供的 VS_TYPE中所包括的 TS类型是否是“相同时刻类型”或“不同时刻类型”。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、回路ブロック200は半導体基板SUB2Aに積層された異なる半導体基板SUB2Bにアレイ状に敷き詰められて形成されている。

在半导体基底 SUB2A上层叠的不同半导体基底 SUB2B上以阵列布置电路块 200。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、本発明の他の側面による半導体装置は、上記受信回路が半導体基板上に形成されている。

另外，本发明的另一方面的半导体装置，在半导体基板上形成有上述接收电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

前述したように、各画素DPXは、対応するセンス回路121を含む支持回路の上に、異なる半導体基板で積層されて形成される。

如上所述，将各个像素 DPX布置在包括相关联的感测电路 121的支撑电路上的不同半导体基底上。 - 中国語 特許翻訳例文集

画素部111、垂直駆動回路112、カラム処理回路113、出力回路114、および、制御回路115は、図示せぬ半導体基板（チップ）上に形成されている。

像素部 111，垂直驱动电路 112，列处理电路 113，输出电路 114以及控制电路 115形成在半导体基板 (芯片 )(未示出 )上。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、画素DPXとセンス回路121は各々の半導体基板上にアレイ状に配置される。

在各个半导体基底上以阵列布置像素 DPX和感测电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

ステップS102において、符号化回路312の可逆符号化部46は、VS_TYPE生成回路21から供給されるVS_TYPEに含まれるTSタイプは「TSなしタイプ」であるかどうかを判定する。

在步骤 S102，编码电路 312的无损编码单元 46确定 VS_TYPE生成电路 21提供的VS_TYPE中所包括的 TS类型是否是“非 TS类型”。 - 中国語 特許翻訳例文集

図1に示すように、本実施形態に係る固体撮像装置10は、半導体基板（チップ）11上に、画素アレイ部12、垂直駆動回路13、カラム回路群14、水平駆動回路15、水平信号線16、出力回路17、制御回路18および負電圧生成回路19などが搭載されたシステム構成となっている。

如图 3所示，根据该实施例的固态成像装置 10包括半导体衬底 (芯片 )11上的像素阵列 12、垂直驱动电路 13、列电路组 14、水平驱动电路 15、垂直信号线 16、输出电路 17、控制单元 18，以及负电压发生电路 19。 - 中国語 特許翻訳例文集

ステップS71において、コントローラ218は、ビデオ復号回路212および依存ストリーム復号回路213から供給される、LRペアのVS_TYPEに含まれるTSタイプは「TSなしタイプ」であるかどうかを判定する。

在步骤 S71，控制器 218确定视频解码电路 212和从属流解码电路 213所提供的L-R对的 VS_TYPE中所包括的 TS类型是否是“非 TS类型”。 - 中国語 特許翻訳例文集

このロック状態から当該ロックを解除するためには、ユーザが解除ノブ102を図4の矢印の反対方向に回動させれば良い。

为了从该锁定状态解除该锁定，使用者使解除把手 102沿与图 4的箭头相反的方向转动就可以。 - 中国語 特許翻訳例文集

水平走査部12や垂直走査部14などの駆動制御部7の各要素は、画素アレイ部10とともに、半導体集積回路製造技術と同様の技術を用いて単結晶シリコンなどの半導体領域に一体的に形成されたいわゆる1チップもの（同一の半導体基板上に設けられているもの）として、本実施形態の固体撮像装置1が構成される。

根据本实施例的固态成像器件 1以单芯片器件 (提供在同一半导体衬底上 )的形式构成，其中在单晶硅或其他半导体区域中使用与半导体集成电路制造技术相同的技术而集成地形成驱动控制部件 7的各个组件 (如水平和垂直扫描部件 12和 14)与像素阵列部件 10。 - 中国語 特許翻訳例文集

半導体基板SUB2Aには、複数の回路ブロック200を制御するための制御回路210、並びに、回路ブロック200の出力のためのデマルチプレクサ（DEMUX）220、レジスタ群230、転送線240、および出力回路250が形成される。

在半导体基底 SUB2A上形成控制多个电路块 200的控制电路 210、用于解多路复用电路块 200的输出的解多路复用器 (DEMUX)220、寄存器 230、传送线 240、以及输出电路250。 - 中国語 特許翻訳例文集

すなわち、搬送経路を搬送される原稿に対して、搬送方向に直交する方向には力が作用しないため、紙粉は搬送方向に移動するが搬送方向に直交する方向には移動しない。

换言之，由于在与输送方向正交的方向上力没有作用在沿着输送路径输送的文档上，所以纸尘在输送路径上移动，同时纸尘没有在与输送方向正交的方向上移动。 - 中国語 特許翻訳例文集

ステップS74において、AND回路166は、比較部164および165からの比較結果に基づいて、絶対値が現時点での最大の絶対値以上であり、かつ、絶対値が閾値以上であるかどうかを判定する。

在步骤 S74，与电路 166基于来自比较部分 164和 165的比较结果，检查以确定绝对值是否等于或大于目前的最大绝对值以及绝对值是否等于或大于阈值。 - 中国語 特許翻訳例文集

たとえば第1の半導体基板SUB1に形成された複数の画素DPXと第2の半導体基板SUB2に形成された複数のセンス回路121がそれぞれ1対1で対向するように積層される。

例如，以这样的方式执行层叠，使得在第一半导体基底 SUB 1上形成的多个数字像素 DPX一对一地面对在第二半导体基底 SUB2上形成的多个感测电路 121。 - 中国語 特許翻訳例文集

半導体回路の設計が完了すると、結果として得られる（Opus、GDSIIなどの）標準化された電子フォーマットの形の設計を製造のために半導体加工施設すなわち「fab」へ送ることができる。

一旦已完成半导体电路的设计，就可以将结果得到的设计以标准化电子格式 (例如 Opus、GDSII等等 )传输到半导体制造设施或“工厂 (fab)”以便制造。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、内蔵された半導体チップとリードをワイヤボンディングにより接続する構造の半導体集積回路装置において、半導体チップの接続用パッドの接続経路を変更するための信号線を有する配線板上に半導体チップを搭載することが記載されている。

此外，描述了一种半导体集成电路装置，其中内置半导体芯片通过引线接合连接到导线。 在该装置中，半导体芯片安装在具有用于改变半导体芯片的连接焊盘的连接路径的信号线的布线板处。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかし、ユーザが解除ノブ102を図4の白抜き矢印の方向に回動させることで、第1ロックレバー81及び第2ロックレバー85を、図4の矢印と反対の方向に回動させることができる。

但是，使用者通过使解除把手 102沿图 4的空心箭头的方向转动，能够使第 1锁定杆 81和第 2锁定杆 85沿与图 4的箭头相反的方向转动。 - 中国語 特許翻訳例文集

論理レベルの設計を、半導体基板上でエッチングされ形成される準備ができている半導体回路設計に変換するために、複雑かつ強力なソフトウェアツールが利用可能である。

复杂且强大的软件工具可用于将逻辑级设计转换成准备在半导体衬底上蚀刻并形成的半导体电路设计。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、半導体メモリーカードの第1の記録領域に記録された配信データへのアクセスは半導体メモリーカードが有する制御回路を介してアクセスする必要は必ずしもない。

此外，向记录在半导体存储卡的第 1记录区域中的分发数据的访问不一定需要经由半导体存储卡具有的控制电路访问。 - 中国語 特許翻訳例文集

図16のステップS50において、VS_TYPE生成回路151は、撮像タイプ設定部135から供給される撮像タイプが第2の撮像タイプであるかどうかを判定する。

参照图 16，在步骤 S50中，VS_TYPE生成电路 151确定图像捕获类型设置单元 135所提供的图像捕获类型是否是第二图像捕获类型。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、センス回路121Eは半導体基板SUB2E上に形成されており、画素DPXからの出力信号を入力電極部122で受ける。

在半导体基底 SUB2E上形成感测电路 121E，并且感测电路 121E在输入电极部分122接收来自像素 DPXE的输出信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、図において白四角は、半導体集積回路（IC）の端子を表しており、可変容量56をICに収容することができる。

此外，在附图中，白色四边形表示半导体集成电路 (IC)的端子，能够将可变电容 56收容到IC内。 - 中国語 特許翻訳例文集

半導体回路の設計が完了すると、それにより得られる標準電子フォーマット（例えば、Opus、GDSII、等）の設計が、製造のために半導体製造施設又は“fab”へ送信される。

一旦半导体电路的设计完成，标准电子格式（例如，Opus、GDSII等）的结果设计就可以被传送到半导体制作工具或“fab”以便进行制作。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、当然のことながら、本発明は全ての種類の半導体集積回路（IC）チップでの用途に適用可能である。

例如，应明白，本发明适合与所有类型的半导体集成电路 (“IC”)芯片一起使用。 - 中国語 特許翻訳例文集

あるいはメモリ154Aは別途第3の半導体基板を用いて、センス回路の下側にさらに積層して設置しても良い。

可替代地，存储器 154A可以被层叠地布置在感测电路之下的第三半导体基底上。 - 中国語 特許翻訳例文集

図10の例では、複数の回路ブロック200が半導体基板SUB2A上にアレイ状に敷き詰められている。

在图 10中的示例中，在半导体基底 SUB2A上以阵列布置多个电路块 200。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかし、撮像素子が多くの画素を持つ場合には、画素ブロック160（−0〜−3）は、対応するセンス回路121A（−0〜−3）を含む支持回路の上に異なる半導体基板で積層されて形成されることが望ましい。

然而，当成像器件具有多个像素时，希望像素块 160-0、160-1、160-2、160-3应该层叠地形成在包括各个感测电路 121A-0、121A-1、121A-2、121A-3的支撑电路上的不同半导体基底上。 - 中国語 特許翻訳例文集

これにより、周波数を高速化すれば、半導体集積回路（例えば、パケット処理回路120、転送先決定回路130）の処理速度を向上してネットワーク中継装置1000の性能を向上させることができ、また周波数を低速化すれば、半導体集積回路の処理速度を落としてネットワーク中継装置1000の消費電力を低減することができる。

这样一来，若使频率高速化，则能够提高半导体集成电路 (例如数据包处理电路 120、传输目的地决定电路 130)的处理速度，提高网络中继装置 1000的性能，并且，若使频率低速化，则能够降低半导体集成电路的处理速度，降低网络中继装置 1000的消耗功率。 - 中国語 特許翻訳例文集

LEDチップ71は、GaN系の半導体層を内部に有し、青色の光を生成するが、LEDチップ71表面に塗布された蛍光体により色変換が行なわれ、白色光を放射する。

LED芯片 71包括 GaN基半导体层并且产生蓝光。 光的颜色通过涂在 LED芯片 71表面的荧光粉变成白色。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、リセットまたは読み出しを行うための画素DPXの駆動回路の少なくとも一部は、画素DPXと同一の第1の半導体基板SUB1に形成されることが望ましい。

此外，希望用于要复位或经历数据读出的像素 DPX的驱动电路的至少一些形成在与形成像素 DPX相同的第一半导体基底 SUB1上。 - 中国語 特許翻訳例文集

回路ブロック200は半導体基板SUB2A上にアレイ状に敷き詰められており、それらは一斉に並列動作しながら各々の回路ブロック200内で選択された画素のデータを判定し、光子の入射数をカウントしている。

在半导体基底 SUB2A上以阵列布置电路块 200，并且每次并行操作以对来自每个电路块 200中选择的像素的数据进行判决，并且计数输入光子的数目。 - 中国語 特許翻訳例文集

読取動作中に原稿の画像に消色トナーが使用されていると判断し、読取動作を停止せずに完了させる場合は、そのタイミングでロックをかけ、読取動作の完了のタイミングでロックを解除する制御を行うロック制御モードである。

在读取动作中判断为在原稿的图像中使用了脱色调色剂，未停止读取动作而完成的情况下，进行在该定时施加锁定，在读取动作的完成的定时解除锁定的控制的锁定控制模式。 - 中国語 特許翻訳例文集

換言すれば、画素ブロック160(−0〜−3、・・)を含む画素アレイ部110Aとセンス回路121A（−0〜−3、・・）を含むセンス回路部120Aは各々異なる半導体基板上にアレイ状に配置されることが望ましい。

换句话说，希望包括像素块 160-0、160-1、160-2、160-3的像素阵列部分 110A和包括感测电路 121A-0、121A-1、121A-2、121A-3的感测电路部分 120A应该被以阵列分别布置在不同半导体基底上。 - 中国語 特許翻訳例文集

ステップS50で撮像タイプが第2の撮像タイプであると判定された場合、ステップS51において、VS_TYPE生成回路151は、合成部134から供給されるLRペアのうちのL画像の撮像時刻がR画像の撮像時刻より先であるかどうかを判定する。

如果在步骤 S50中确定图像捕获类型是第二图像捕获类型，则在步骤 S51，VS_TYPE生成电路 151确定组合单元 134所提供的 L-R对中的 L图像的图像捕获时刻是否早于R图像的图像捕获时刻。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして原稿は、原稿搬送方向に回転駆動する分離ローラ32と、原稿搬送方向とは逆方向に回転駆動する対向ローラ33と、によって1枚ずつ分離され、原稿搬送経路30の下流側へ搬送される。

并且，原稿被沿原稿输送方向旋转驱动的分离辊 32和沿与原稿输送方向相反方向旋转驱动的对置辊 33一张张地分离，往原稿输送路径 30的下游侧被输送。 - 中国語 特許翻訳例文集

本構成の場合、たとえば画素アレイの行数が1ブロック分で満たされ、ブロックが列方向に並ぶだけの場合は、全ての回路を同一半導体基板上に形成することも可能である。

在该配置的情况下，当像素阵列的行数是一个块中的行数，并且仅在列方向布置各块时，可以在同一半导体基底上形成所有的电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

露光ユニット52は、画像読取装置130で読み取られたブラック、シアン、マゼンタ及びイエローの各色の画像データに基づいて半導体レーザ（不図示）を駆動し、各色のレーザ光を画像形成ステーション30B〜画像形成ステーション30Dに配光する。

曝光单元 52被配置成基于由图像读取装置 130读取的与各种颜色即黑色、青色、品红色和黄色对应的图像数据项驱动半导体激光器 (未示出 )，以将与各种颜色对应的激光图像分配给图像形成站 30A至 30D。 - 中国語 特許翻訳例文集

このタイミング不一致を検出するために、同期回路120は、データが同じレートで受信バッファ114に書き込まれ出されているかどうかを判断するために、受信バッファ114（たとえば、先入れ先出し方式メモリ）のバッファステータスを監視することができる。

为检测此时序不匹配，同步电路 120可监视接收缓冲器 114(例如，先进先出存储器 )的缓冲器状态以确定是否正以相同速率将数据写入接收缓冲器 114中及从接收缓冲器 114读出数据。 - 中国語 特許翻訳例文集

この状態でADF25を駆動することにより、原稿搬送経路30を搬送されて第1原稿読取位置59を通過する原稿の表側の面を、本体側スキャナユニット50が走査して読み取ることができる。

在该状态下通过驱动 ADF25，主体侧扫描单元 50能够扫描并读取在原稿输送路径 30中被输送、经过第 1原稿读取位置 59的原稿的表面一侧的面。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図16】図16は、図7に示した本発明に先立って本発明者によって検討された無線周波数半導体集積回路(RFIC)の直交変調器(QMOD)306として検討された受動ミキサの構成を示す図である。

图 16是表示图 7所示的、在本发明之前、作为由本发明者研究的射频集成电路(RFIC)的正交调制器 (QMOD)306而研究的无源混频器的结构的图。 - 中国語 特許翻訳例文集

本発明の一態様である半導体装置では、変調度が100％の搬送波を復調する第1の復調信号生成回路と、変調度が10％の搬送波及び変調度が100％の搬送波を復調する第2の復調信号生成回路と、第1の復調信号生成回路からの復調信号又は第2の復調信号生成回路からの復調信号を選択する論理回路とを有し、変調度が100％の搬送波と変調度が10％の搬送波のどちらも復調することができる。

解调调制因子为 100％的载波的第一调制信号发生电路、解调调制因子为 10％的载波和调制因子为 100％的载波的第二调制信号发生电路、以及选择来自第一解调信号发生电路的解调信号或来自第二解调信号发生电路的解调信号的逻辑电路。 该半导体器件既可解调调制因子为100％的载波，又可解调调制因子为 10％的载波。 - 中国語 特許翻訳例文集

一般的な概念として、高速なパケット処理を可能とするには、各構成要素の動作速度を決定する主要因の一つであるクロック信号を高速にすることが一つの手段であるが、内部の半導体集積回路の動作高速化のために消費電力も上昇する。

一般的概念是，为了能够进行高速数据包处理，将决定各个构成要素的动作速度的主要因素之一的时钟信号设为高速是一种方法，但由于内部的半导体集成电路的动作高速化，消耗功率也上升。 - 中国語 特許翻訳例文集