「はんどうたいきばん」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

そして、第1の半導体基板SUB1と第2の半導体基板SUB2は積層される。

第一半导体基底 SUB1和第二半导体基底 SUB2层叠。 - 中国語 特許翻訳例文集

半導体基板10は、例えばシリコン基板からなる。

例如，半导体基底 10是硅基底。 - 中国語 特許翻訳例文集

センス回路部120は、第1の半導体基板SUB1と異なる第2の半導体基板SUB2に形成される。

感测电路部分 120形成在不同于第一半导体基底 SUB 1的第二半导体基底 SUB2上。 - 中国語 特許翻訳例文集

p型半導体領域1306を、マイクロリング1302の内側の半導体基板で（または、該半導体基板に）形成することができ、n型半導体領域1308及び1310を、マイクリング1032の外側を囲む半導体基板であって導波路1304の反対側にある半導体基板で（または、該半導体基板に）形成することができる。

p型半导体区域 1306可以在微环 1302的半导体衬底内部形成，并且 n型半导体区域 1308和1310可以在包围微环 1302的外面的半导体衬底中和波导 1304的相对侧上形成。 - 中国語 特許翻訳例文集

固体撮像装置1Aは、平板状の基材2に半導体基板3が貼り付けられ、半導体基板3の上にシンチレータ部4が設けられている。

固体摄像装置1A在平板状的基材 2粘贴着半导体基板 3，在半导体基板 3上设有闪烁器部 4。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、回路ブロック200は半導体基板SUB2Aに積層された異なる半導体基板SUB2Bにアレイ状に敷き詰められて形成されている。

在半导体基底 SUB2A上层叠的不同半导体基底 SUB2B上以阵列布置电路块 200。 - 中国語 特許翻訳例文集

この画素アレイ部110は、たとえば第1の半導体基板SUB1に形成される。

像素阵列部分 110例如形成在第一半导体基底 SUB1上。 - 中国語 特許翻訳例文集

半導体チップ103を直接に基板102上に搭載するのではなく、インターポーザ基板上に半導体チップ103を搭載し、半導体チップ103を樹脂（たとえばエポキシ樹脂など）でモールドした半導体パッケージを基板102上に搭載するようにしてもよい。

代替直接在板102上安装半导体芯片103，通过在插入板上安装半导体芯片103并利用树脂 (例如环氧树脂 )将半导体芯片 103压模 (mold)而形成的半导体封装可以安装在板 102上。 - 中国語 特許翻訳例文集

半導体チップ103を直接に基板102上に搭載するのではなく、インターポーザ基板上に半導体チップ103を搭載し、半導体チップ103を樹脂（たとえばエポキシ樹脂など）でモールドした半導体パッケージを基板102上に搭載するようにしてもよい。

半导体芯片 103不能直接安装在板 102上，但是可以形成为半导体封装，其中半导体芯片 103安装在插座板上并使用如环氧树脂的树脂制模，并如此安装在板 102上。 - 中国語 特許翻訳例文集

本発明は、受信回路及び受信回路を半導体基板上に形成した半導体装置に関する。

本发明涉及一种接收电路及在半导体基板上形成有接收电路的半导体装置。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、本発明の他の側面による半導体装置は、上記受信回路が半導体基板上に形成されている。

另外，本发明的另一方面的半导体装置，在半导体基板上形成有上述接收电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

他の実施形態では、マイクロリング1302の内側の半導体基板にn型半導体領域1306を形成し、マイクロリング1302の外側を囲む半導体基板にp型半導体領域1308及び1310を形成することによってドーパントを逆にすることができる。

在其他实施例中，可以通过在微环 1302的半导体衬底内部形成 n型半导体区域 1306并且在包围微环 1302外面的半导体衬底中形成 p型半导体区域 1308和 1310来反转这些掺杂剂。 - 中国語 特許翻訳例文集

半導体（Si）基板と遮光膜46の層間より漏れ込む光による漏れ信号。

从基板与遮光膜 46之间漏出的漏光信号； - 中国語 特許翻訳例文集

そして、画素DPXとセンス回路121は各々の半導体基板上にアレイ状に配置される。

在各个半导体基底上以阵列布置像素 DPX和感测电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

シンチレータ部4は、半導体基板3上に蒸着により設けられていてもよい。

闪烁器部4也可在半导体基板 3上由蒸镀而设置。 - 中国語 特許翻訳例文集

シンチレータ部4は、半導体基板3上に蒸着により設けられていてもよい。

闪烁器部 4也可在半导体基板 3上由蒸镀而设置。 - 中国語 特許翻訳例文集

たとえば第1の半導体基板SUB1に形成された複数の画素DPXと第2の半導体基板SUB2に形成された複数のセンス回路121がそれぞれ1対1で対向するように積層される。

例如，以这样的方式执行层叠，使得在第一半导体基底 SUB 1上形成的多个数字像素 DPX一对一地面对在第二半导体基底 SUB2上形成的多个感测电路 121。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、信号読出部20，AD変換部30および制御部40Aのそれぞれは、受光部10Aが集積化される半導体基板3に集積化せず、これとは別の半導体基板に集積化する構成でもあってよい。

再者，也可为如下构成： 信号读出部 20、A/D转换部 30及控制部 40A的各个并不集成化在集成化有受光部 10A的半导体基板 3中，而集成化在与其不同的半导体基板中。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、信号読出部20，AD変換部30および制御部40Aのそれぞれは、受光部10Aが集積化される半導体基板3に集積化せず、これとは別の半導体基板に集積化する構成でもあってよい。

再者，也可为如下构成： 信号读出部 20、 A/D转换部 30及控制部 40A的各个并不集成化在集成化有受光部 10A的半导体基板 3中，而集成化在与其不同的半导体基板中。 - 中国語 特許翻訳例文集

固体撮像装置505を搭載した撮像基板502との間で信号伝送を行なうメイン基板602に第1通信装置100（半導体チップ103）を搭載し、撮像基板502に第2通信装置200（半導体チップ203）を搭載する。

第一通信设备 100(半导体芯片 103)安装在主板 602上，用于在主板 602和其上安装固态图像拾取器件 505的图像拾取板 502之间进行信号发送，并且第二通信设备 200(半导体芯片 203)安装在图像拾取板 502上。 - 中国語 特許翻訳例文集

1つの筐体内での信号伝送の場合は、たとえば、同一基板上に半導体チップ103Bと半導体チップ203B_1，203_2が搭載されているものと考えればよい。

在一个外壳内的信号传输的情况下，可以认为半导体芯片 103B和 203B_1和203B_2安装在相同板上。 - 中国語 特許翻訳例文集

1つの筐体内での信号伝送の場合は、たとえば、同一基板上に半導体チップ103A，103Bと半導体チップ203A，203B_1，203B_2が搭載されているものと考えればよい。

在一个外壳内的信号传输的情况下，应当考虑半导体芯片 103A和 103B以及半导体芯片 203A、203B_1和 203B_2安装在相同板上。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1通信装置100は、基板102上に、ミリ波帯送信に対応した半導体チップ103と伝送路結合部108が搭載されている。

准备好用于毫米波波导发送的半导体芯片 103和发送线耦合部分 108安装在第一通信设备 100的板 102上。 - 中国語 特許翻訳例文集

第2通信装置200は、基板202上に、ミリ波帯受信に対応した半導体チップ203と伝送路結合部208が搭載されている。

准备好用于毫米波波段接收的半导体芯片 203和发送线耦合部分 208安装在第二通信设备 200的板 202上。 - 中国語 特許翻訳例文集

面発光型半導体レーザ128Aは、p型電極128aとn型電極128bの間に、上方ブラック反射ミラー（DBRミラー）128cと、活性層128dと、下方ブラック反射ミラー（DBRミラー）128eと、n型半導体基板129fが積層される。

在表面发射半导体激光器 128A中，上部黑反射镜 (DBR镜 )128c、有源层 128d、下部黑反射镜 (DBR镜 )128e和 n型半导体衬底 129f层叠在 p型电极 128a与 n型电极 128b之间。 - 中国語 特許翻訳例文集

水平走査部12や垂直走査部14などの駆動制御部7の各要素は、画素アレイ部10とともに、半導体集積回路製造技術と同様の技術を用いて単結晶シリコンなどの半導体領域に一体的に形成されたいわゆる1チップもの（同一の半導体基板上に設けられているもの）として、本実施形態の固体撮像装置1が構成される。

根据本实施例的固态成像器件 1以单芯片器件 (提供在同一半导体衬底上 )的形式构成，其中在单晶硅或其他半导体区域中使用与半导体集成电路制造技术相同的技术而集成地形成驱动控制部件 7的各个组件 (如水平和垂直扫描部件 12和 14)与像素阵列部件 10。 - 中国語 特許翻訳例文集

電子機器101Aは、基板102上に、ミリ波帯通信可能な半導体チップ103と伝送路結合部108が搭載されている。

电子装置101A具有能够进行毫米波波段通信的半导体芯片103以及安装在板102上的传输线耦合部分 108。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1通信装置100Xは、基板102上に、ミリ波帯通信可能な半導体チップ103と伝送路結合部108が搭載されている。

第一通信设备 100X包括板 102、安装在板 102上并且能够执行毫米波段通信的半导体 103、以及安装在板 102上的传输路径耦合器 108。 - 中国語 特許翻訳例文集

前述したように、各画素DPXは、対応するセンス回路121を含む支持回路の上に、異なる半導体基板で積層されて形成される。

如上所述，将各个像素 DPX布置在包括相关联的感测电路 121的支撑电路上的不同半导体基底上。 - 中国語 特許翻訳例文集

メモリカード201Aは、基板202の一方の面上に信号生成部207（ミリ波信号変換部）を具備する半導体チップ203を有する。

存储卡 201A在板 202的一个表面上具有包括信号产生部分 207(毫米波信号转换部分 )的半导体芯片 203。 - 中国語 特許翻訳例文集

シンチレータで可視光に変換された光は、基板1上にアレイ状に配置されたセンサ部103の半導体層21に照射される。

已经通过闪烁物被转换成可见光的光照射到在基板 1上以阵列设置的传感器部 103的半导体层 21上。 - 中国語 特許翻訳例文集

論理レベルの設計を、半導体基板上でエッチングされ形成される準備ができている半導体回路設計に変換するために、複雑かつ強力なソフトウェアツールが利用可能である。

复杂且强大的软件工具可用于将逻辑级设计转换成准备在半导体衬底上蚀刻并形成的半导体电路设计。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、センス回路121Eは半導体基板SUB2E上に形成されており、画素DPXからの出力信号を入力電極部122で受ける。

在半导体基底 SUB2E上形成感测电路 121E，并且感测电路 121E在输入电极部分122接收来自像素 DPXE的输出信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

メモリカード201Bは、基板202の一方の面上に信号生成部207を具備する半導体チップ203を有する。

存储卡 201B在板 202的一个表面上的具有包括信号生成部分 207的半导体芯片203。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、上記目的を達成するため、本発明は、読取対象の媒体を搬送する搬送部と、前記媒体の搬送路に設けられ、前記搬送部により搬送される前記媒体を光学的に読み取る光学読取部と、前記搬送路上において前記光学読取部の読取位置から離隔した位置で、前記媒体を検出する媒体検出部と、を備えた光学読取装置を制御して、前記媒体のサイズが不明なまま前記媒体全面を前記光学読取部により読み取る場合、前記光学読取部による読取動作の開始前または開始時に、前記光学読取部の読取位置から前記媒体検出部の検出位置までの距離及び前記媒体検出部の検出状態に基づいて、最小限の読み取り可能な範囲として読取可能範囲を設定し、この読取可能範囲の読取動作を実行すること、を特徴とする。

光学读取部，其设置在所述介质的传送路径上，并以光学方式读取由所述传送部传送的所述介质； 介质检测部，其在所述传送路径上的远离所述光学读取部的读取位置的位置处，检测所述介质，在不清楚所述介质的尺寸的状态下通过所述光学读取部读取所述介质的整个面时，在所述光学读取部的读取动作开始前或开始时，基于从所述光学读取部的读取位置至所述介质检测部的检测位置为止的距离、以及所述介质检测部的检测状态，设定可读取范围，作为最小限度的可读取范围，并执行该可读取范围的读取动作。 - 中国語 特許翻訳例文集

あるいはメモリ154Aは別途第3の半導体基板を用いて、センス回路の下側にさらに積層して設置しても良い。

可替代地，存储器 154A可以被层叠地布置在感测电路之下的第三半导体基底上。 - 中国語 特許翻訳例文集

図10の例では、複数の回路ブロック200が半導体基板SUB2A上にアレイ状に敷き詰められている。

在图 10中的示例中，在半导体基底 SUB2A上以阵列布置多个电路块 200。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図6】図5のCMOSイメージセンサの高感度モードにおける画素の動作タイミング、リセット動作時における半導体基板内のポテンシャル電位および読み出し動作時のポテンシャル電位の一例を示す図。

图 6A为表示图 5的 CMOS图像传感器的高灵敏度模式下的像素的动作定时的时序图，图 6B为表示复位动作时的半导体衬底内的电势 (potential)电位和读出动作时的电势电位的一个例子的图； - 中国語 特許翻訳例文集

【図7】図5のCMOSイメージセンサの低感度モードにおける画素の動作タイミング、リセット動作時における半導体基板内のポテンシャル電位および読み出し動作時のポテンシャル電位の一例を示す図。

图 7A为表示图 5的 CMOS图像传感器的低灵敏度模式下的像素的动作定时的时序图，图 7B为表示复位动作时的半导体衬底内的电势电位和读出动作时的电势电位的一个例子的图； - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、リセットまたは読み出しを行うための画素DPXの駆動回路の少なくとも一部は、画素DPXと同一の第1の半導体基板SUB1に形成されることが望ましい。

此外，希望用于要复位或经历数据读出的像素 DPX的驱动电路的至少一些形成在与形成像素 DPX相同的第一半导体基底 SUB1上。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1実施の形態に係る固体撮像装置31は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第一实施例的固体摄像装置 31具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集

第2実施の形態に係る固体撮像装置61は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第二实施例的固体摄像装置 61具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集

第3実施の形態に係る固体撮像装置63は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第三实施例的固体摄像装置 63具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集

本構成の場合、たとえば画素アレイの行数が1ブロック分で満たされ、ブロックが列方向に並ぶだけの場合は、全ての回路を同一半導体基板上に形成することも可能である。

在该配置的情况下，当像素阵列的行数是一个块中的行数，并且仅在列方向布置各块时，可以在同一半导体基底上形成所有的电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

光電変換素子を基準位置に位置決めする技術として、特開2006−201306号公報（特許文献1）には、固定支持基板と、該固定支持基板に、互いに直交し、かつ、該固定支持基板と平行な特定のX方向及びY方向に直線移動可能として支持されたXY移動部材と、上記XY移動部材の上記固定支持基板に対するX方向の相対位置を検出するX方向位置検出手段と、を備え、該X方向位置検出手段が、X用光源と、その受光位置をX方向について認識可能なX用受光部材と、該X用受光部材の受光位置に基づいて上記XY移動部材の上記固定支持基板に対するX方向の相対位置を演算する演算手段と、を備えるステージ装置において、上記固定支持基板に、上記X用光源及び上記X用受光部材をX方向に並べて固定し、上記XY移動部材に、該X用光源から出た光を反射して上記X用受光部材に導くX用反射部材を固定したことを特徴とするステージ装置が記載されている。

和运算机构，根据该 X用感光部件的感光位置，运算上述 XY移动部件相对于上述固定支撑基板的 X方向的相对位置； 该台装置的特征是，将上述 X用光源和上述 X用感光部件在 X方向排列，固定在上述固定支撑基板上，将 X用反射部件固定在上述 XY移动部件上，反射该X用光源发出的光并导入上述 X用感光部件。 - 中国語 特許翻訳例文集

上記目的を達成するため、本発明は、読取対象の媒体を搬送する搬送部と、前記媒体の搬送路に設けられ、前記搬送部により搬送される前記媒体を光学的に読み取る光学読取部と、前記光学読取部の読取画像を記憶する記憶部と、前記搬送路上において前記光学読取部の読取位置から離隔した位置で、前記媒体を検出する媒体検出部と、前記搬送部及び前記光学読取部を制御するとともに、前記記憶部に記憶された読取画像を読み出して他の装置へ送信する制御部と、を備え、前記制御部は、前記媒体のサイズが不明なまま前記媒体全面を前記光学読取部により読み取る場合、前記光学読取部による読取動作の開始前または開始時に、前記光学読取部の読取位置から前記媒体検出部の検出位置までの距離及び前記媒体検出部の検出状態に基づいて、最小限の読み取り可能な範囲として読取可能範囲を設定し、この読取可能範囲の読取動作を実行すること、を特徴とする。

控制部，其控制所述传送部和所述光学读取部； 以及存储部，其存储从所述光学读取部的读取位置至所述介质检测部的检测位置为止的距离，所述控制部在所述光学读取部的读取动作开始前或开始时，基于存储在所述存储部中的从所述光学读取部的读取位置至所述介质检测部的检测位置为止的距离、以及所述介质检测部对所传送的所述介质的检测结果，设定可读取范围，作为最小限度的可读取范围，并在该可读取范围内执行读取动作。 - 中国語 特許翻訳例文集

画素部111、垂直駆動回路112、カラム処理回路113、出力回路114、および、制御回路115は、図示せぬ半導体基板（チップ）上に形成されている。

像素部 111，垂直驱动电路 112，列处理电路 113，输出电路 114以及控制电路 115形成在半导体基板 (芯片 )(未示出 )上。 - 中国語 特許翻訳例文集

本例の固体撮像装置1は、図1に示すように、半導体基板11例えばシリコン基板に光電変換部を含む複数の画素2が規則的に2次元的に配列された画素部（いわゆる撮像領域）3と、周辺回路部とを有して構成される。

如图 1所示，本实施例的固体摄像装置 1被配置成包括像素部 (被称作摄像区域 )3和周边电路部，上述像素部 3具有以二维阵列规则地布置在半导体基板 11(例如硅基板 )上的多个像素 2，每个像素 2都包括光电转换部。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、上記目的を達成するため、本発明は、読取対象の媒体を搬送する搬送部と、前記媒体の搬送路に設けられ、前記搬送部により搬送される前記媒体を光学的に読み取る光学読取部と、前記搬送路上において前記光学読取部の読取位置から離隔した位置で、前記媒体を検出する媒体検出部と、を備えた光学読取装置を制御する制御部が実行可能なプログラムであって、前記媒体のサイズが不明なまま前記媒体全面を前記光学読取部により読み取る場合、前記制御部により、前記光学読取部による読取動作の開始前または開始時に、前記光学読取部の読取位置から前記媒体検出部の検出位置までの距離及び前記媒体検出部の検出状態に基づいて、最小限の読み取り可能な範囲として読取可能範囲を設定し、この読取可能範囲の読取動作を実行すること、を特徴とする。

光学读取部，其设置在所述介质的传送路径上，并以光学方式读取由所述传送部传送的所述介质； 以及介质检测部，其在所述传送路径上的远离所述光学读取部的读取位置的位置处，检测所述介质，在不清楚所述介质的尺寸的状态下通过所述光学读取部读取所述介质的整个面时，在所述光学读取部的读取动作开始前或开始时，由所述控制部基于从所述光学读取部的读取位置至所述介质检测部的检测位置为止的距离、以及所述介质检测部的检测状态，设定可读取范围，作为最小限度的可读取范围，并执行该可读取范围的读取动作。 - 中国語 特許翻訳例文集

コンピュータが読み出し可能な記憶媒体の例としては、読み出し専用メモリ（ROM）、ランダムアクセスメモリ（RAM）、レジスタ、キャッシュメモリ、半導体記憶装置、内蔵型ハードディスク及び取り外し可能ディスクなどの磁気媒体、光磁気媒体、CD−ROMディスクなどの光学式媒体、及び、デジタル多用途ディスク（DVD）などがある。

计算机可读存储介质的例子包括只读存储器 (ROM)、随机存取存储器 (RAM)、寄存器、缓存存储器、半导体存储设备、诸如内部硬盘和可移动磁盘这样的磁性介质、磁光介质和如 CD-ROM光盘和数字通用光盘 (DVD)这样的光介质。 - 中国語 特許翻訳例文集