「はんどうたいじっそう」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

第1実施形態の構成が採用される部分では、搬送周波数f2を用いて、半導体チップ103Bと半導体チップ203B_1，203B_2間でミリ波信号伝送路9_2を介してミリ波帯で同報通信が行なわれる。

在采用第一实施例的配置的部分，在半导体芯片 103B和半导体芯片 203B_1和 203B_2之间，载波频率 f2用于执行通过毫米波信号传输路径 9_2的毫米波段的广播通信。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1実施形態の構成が採用される部分では、搬送周波数f2（≠f1）を用いて、半導体チップ103Bと半導体チップ203B_1，203B_2間でミリ波信号伝送路9_2を介してミリ波帯で同報通信が行なわれる。

在采用第一实施例的配置的部分，使用不等于载波频率 f1的载波频率 f2，在半导体芯片 103B和 203B_1和 203B_2之间通过毫米波信号传输路径 9_2在毫米波段中执行广播通信。 - 中国語 特許翻訳例文集

図では、半導体チップ103Aと半導体チップ203Aの間で1対1の信号伝送を行なう組と、半導体チップ103Bと半導体チップ203B_1，203B_2の間で1対2の信号伝送を行なう組（第2実施形態の構成）が存在している。

在图 12中，包括其中在半导体芯片 103A和半导体芯片203A之间执行1:1信号传输的组以及与第一实施例的配置对应的、在半导体芯片103B和半导体芯片 203B_1和 203B_2之间执行 1:2信号传输的另一组。 - 中国語 特許翻訳例文集

図では、半導体チップ103Aと半導体チップ203Aの間で1対1の信号伝送を行なう組と、半導体チップ103Bと半導体チップ203B_1，203B_2の間で1対2の信号伝送を行なう組（第1実施形態の構成）が存在している。

图 13到 15B所示的第三实施例的示例包括在半导体芯片 103A和半导体芯片203A之间执行1:1信号传输的组以及具有第一实施例的配置的、在半导体芯片103B和半导体芯片 203B_1和 203B_2之间执行 1:2信号传输的另一组。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1実施形態では、送信側が1系統で受信側が複数系統のシステム構成の例として、送信側の半導体チップ103Bと受信側の半導体チップ203B_1，203B_2間で、1対2の伝送チャネルを構成するミリ波信号伝送路9_2により同報通信が実現される。

在第一实施例的系统配置的实例中，其中传输侧包括一个信道并且接收侧包括多个信道，通过在传输侧的半导体芯片 103B和接收侧的半导体芯片 203B_1和 203B_2之间配置 1:2传输信道的毫米波信号传输路径 9_2，实现广播传输。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、周波数f2を使用する側の半導体チップ203B_2は第2実施形態と同様であるが、周波数f1を使用する側の半導体チップ203Aは、副搬送信号生成部8612を備えており、注入同期に対応した半導体チップ203B_1から再生搬送信号を受け取り、この再生搬送信号を元に副搬送信号生成部8612にて同期した別の周波数（この例ではf1）の再生搬送信号を生成してから周波数変換（ダウンコンバート）を行なう。

这里，尽管使用载波频率 f2的半导体芯片 203B_2类似于第二实施例中的半导体芯片 203B_2，但是使用载波频率 f1的半导体芯片 203A包括辅助载波信号生成器 8612，并且从准备好注入锁定的半导体芯片 203B_1接收恢复的载波信号。 然后，基于恢复的载波信号，辅助载波信号生成器 8612生成与恢复的载波信号同步的另一频率 (在本示例中，载波频率 f1)的另一恢复的载波信号，然后，半导体芯片 203B_2执行频率转换，即，下转换。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1実施の形態に係る固体撮像装置31は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第一实施例的固体摄像装置 31具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集

第2実施の形態に係る固体撮像装置61は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第二实施例的固体摄像装置 61具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集

第3実施の形態に係る固体撮像装置63は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第三实施例的固体摄像装置 63具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集

システム構成的には、第1実施形態の無線伝送システム1Bは、1つの電子機器の筐体内または複数の電気機器間において、CMOSプロセスで形成されている3つの半導体チップ103B，203B_1，203B_2間で、前述の注入同期方式を適用してミリ波帯で信号伝送を行なう例である。

第一实施例的无线传输系统 1B具有这样的系统配置，其中应用上述注入锁定方法来在一个电子装置的外壳中或在多个电子装置之间，在通过 CMOS工艺形成的三个半导体芯片 103B、203B_1和 203B_2之间执行使用毫米波动的信号传输。 - 中国語 特許翻訳例文集