「はんどうたいちっぷほごほう」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

一方、半導体チップ203B_2は、半導体チップ203B_1において注入同期方式で再生された再生搬送信号を受け取り、周波数混合部8402は、その再生搬送信号を使って受信信号Sin_2を復調する。

另一方面，半导体芯片 203B_2接收半导体芯片 203B_1上通过注入锁定恢复的恢复的载波信号，并且混频器 8402使用恢复的载波信号解调接收信号 Sin_2。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1実施形態の構成が採用される部分では、搬送周波数f2を用いて、半導体チップ103Bと半導体チップ203B_1，203B_2間でミリ波信号伝送路9_2を介してミリ波帯で同報通信が行なわれる。

在采用第一实施例的配置的部分，在半导体芯片 103B和半导体芯片 203B_1和 203B_2之间，载波频率 f2用于执行通过毫米波信号传输路径 9_2的毫米波段的广播通信。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1実施形態の構成が採用される部分では、搬送周波数f2（≠f1）を用いて、半導体チップ103Bと半導体チップ203B_1，203B_2間でミリ波信号伝送路9_2を介してミリ波帯で同報通信が行なわれる。

在采用第一实施例的配置的部分，使用不等于载波频率 f1的载波频率 f2，在半导体芯片 103B和 203B_1和 203B_2之间通过毫米波信号传输路径 9_2在毫米波段中执行广播通信。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、両方の組で同一周波数f2の搬送信号を使用するため、複数ある送信側の半導体チップ103は、その中の1つのみ（図では半導体チップ103B）が搬送信号生成に対応した構成を持っているが、残りの全て（図では半導体チップ103A）は、搬送信号生成に対応していない。

这里，因为两组使用相同的载波频率 f2的载波信号，在传输侧的多个半导体芯片103中，只有一个 (在图 12中，只有半导体芯片 103B)具有准备好载波信号的生成的配置，而所有剩余的半导体芯片 (在图 12中，半导体芯片 103A)从准备好载波信号的生成的半导体芯片 103B接收载波信号，并且基于接收的载波信号执行频率转换，即，上转换。 - 中国語 特許翻訳例文集

一実施形態例において、回路-チップ間(またはチップ-チップ間)通信は、例えば、パルス幅変調、IIC、パラレルデジタルインターフェースのような方法またはその他の方法及び技術上既知のチップ-チップ間信号プロトコルを用いる、10〜100kB/秒の範囲で動作する1線式または2線式のシリアルインターフェースを用いて、実施される。

在一示例性实施例中，电路至芯片 (或芯片至芯片 )通信是使用例如运行在10-100kB/s范围内的单线或双线串行接口、使用例如脉宽调制的方法、IIC、并行数字接口或其它业内已知的方法和芯片至芯片信号协议来实现的。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1実施形態では、送信側が1系統で受信側が複数系統のシステム構成の例として、送信側の半導体チップ103Bと受信側の半導体チップ203B_1，203B_2間で、1対2の伝送チャネルを構成するミリ波信号伝送路9_2により同報通信が実現される。

在第一实施例的系统配置的实例中，其中传输侧包括一个信道并且接收侧包括多个信道，通过在传输侧的半导体芯片 103B和接收侧的半导体芯片 203B_1和 203B_2之间配置 1:2传输信道的毫米波信号传输路径 9_2，实现广播传输。 - 中国語 特許翻訳例文集

送信側の半導体チップ103Bは、たとえば、送信側局部発振部8304で生成された搬送周波数f2の搬送信号を伝送対象信号SIN_2に基づきASK方式で変調することでミリ波の送信信号Sout_2 に周波数変換する。

传输侧的半导体芯片 103B基于传输对象信号 SIN_2，通过 ASK方法调制传输侧本地振荡器 8304中生成的载波频率 f2的载波信号，以便频率转换接收信号 Sin_2为毫米波的传输信号 Sout_2。 - 中国語 特許翻訳例文集

図9Bに示す第3例においては、一方（送信側）の半導体チップ103にはN組の送信側信号生成部110が収容され、他方（受信側）の半導体チップ203にはM組の受信側信号生成部220が収容され、各送信側信号生成部110から各受信側信号生成部220に同一方向に、周波数分割多重を適用して同時の信号伝送を可能にする形態である。

在图 15A所示的第三示例中，N组传输侧信号生成单元 110容纳在一侧 (即，传输侧 )的半导体芯片 103中，同时 M组接收侧信号生成单元 220容纳在另一侧 (即，接收侧 )的半导体芯片 203中，并且应用频分复用以允许在从传输侧信号生成单元 110到接收侧信号生成单元 220的相同方向上的同时信号传输。 - 中国語 特許翻訳例文集

図9Cに示す第4例においては、一方（送信側）の半導体チップ103にはN組の送信側信号生成部110が収容され、他方（受信側）の半導体チップ203にはM組の受信側信号生成部220が収容され、各送信側信号生成部110から各受信側信号生成部220に同一方向に、周波数分割多重を適用して同時の信号伝送を可能にする形態である。

在图 15B所示的第四示例中，N组传输侧信号生成单元 110容纳在一侧 (即，传输侧 )的半导体芯片 103中，同时 M组接收侧信号生成单元 220容纳在另一侧 (即，接收侧 )的半导体芯片 203中，并且应用频分复用以允许在从传输侧信号生成单元 110到接收侧信号生成单元 220的相同方向上的同时信号传输。 - 中国語 特許翻訳例文集

システム構成的には、第1実施形態の無線伝送システム1Bは、1つの電子機器の筐体内または複数の電気機器間において、CMOSプロセスで形成されている3つの半導体チップ103B，203B_1，203B_2間で、前述の注入同期方式を適用してミリ波帯で信号伝送を行なう例である。

第一实施例的无线传输系统 1B具有这样的系统配置，其中应用上述注入锁定方法来在一个电子装置的外壳中或在多个电子装置之间，在通过 CMOS工艺形成的三个半导体芯片 103B、203B_1和 203B_2之间执行使用毫米波动的信号传输。 - 中国語 特許翻訳例文集

全二重双方向化も異なる搬送周波数を用いれば容易に実現でき、電子機器の筐体内で複数の半導体チップ（送信側信号生成部110と受信側信号生成部220の組や送信側信号生成部210と受信側信号生成部120の組）が独立して通信するような状況も実現できる。

如果使用不同载波频率，则还可以容易地实现全双工双向传输，并且还可能实现这样的情况，其中多个半导体芯片(如传输侧信号生成单元110和接收侧信号生成单元220的组以及传输侧信号生成单元 210和接收侧信号生成单元 120的组 )在电子装置的外壳内相互独立地通信。 - 中国語 特許翻訳例文集