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バイアスロンで金メダルを獲得する

在冬季兩項运动比赛中贏得金牌 - 中国語会話例文集

バイアス電圧生成回路5は、アナログゲイン情報18に従って、アナログゲインが基準値よりも大きい場合、つまり被写体の明るさが基準よりも暗い場合は所定値よりも低いバイアス電圧を生成する。

偏压生成电路 5按照模拟增益信息 18，在模拟增益比基准值大的情况下，即被摄体的亮度比基准暗的情况下生成比规定值低的偏压。 - 中国語 特許翻訳例文集

一実施形態において、バイアス電圧Vb417は、バンドギャップ回路（図示せず）によって生成される。

在一个实施例中，由带隙电路(未示出 )产生偏压 Vb 417。 - 中国語 特許翻訳例文集

バイアス電圧VBIAS11は、アナログ信号VSLの読み出し中およびアナログデジタル（AD）変換中にサンプルホールド回路190により供給される。

当模拟信号 VSL被读出并 A/D转换时，由采样 /保持电路 190供给偏置电压VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

一態様では、VCO1740は、プログラム可能なバイアス電流を有することができる。

在一个方面，VCO1740可以具有可编程的偏流。 - 中国語 特許翻訳例文集

これらのバイアス電圧VBIAS11，12，13は、サンプルホールド回路190，200内のサンプリングスイッチSW191，SW192，SW201によりノイズ源となる電圧生成回路および外部バイアス入力端子から電気的に切り離されている。

通过采样 /保持电路 190的采样开关 SW191和 SW192以及采样 /保持电路 200的采样开关 SW201，偏置电压 VBIAS11、VBIAS12、和 VBIAS13与能够是噪声源的电压生成电路和外部偏置输入端子电隔离。 - 中国語 特許翻訳例文集

通信・タイミング制御部140は、画素部110、垂直走査部120、水平走査部130、カラム処理回路群150、DAC160、補正用バイアス回路180、補正用バイアス選択部170等の信号処理に必要なタイミング信号を生成する。

通信时序控制器 140生成像素部件 110、垂直扫描部件 120、水平扫描部件 130、列处理电路组 150、DAC 160、校正偏置选择部件 170、校正偏置电路 180等的信号处理中所需的时序信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

このように、バイアス電圧VBIAS12は、アナログ信号VSLの読み出しおよびAD変換期間中にサンプルホールド回路190により供給される。

如这样描述的，在模拟信号 VSL被读出及 A-D转换的时间段期间，由采样 /保持电路 190供给偏置电压 VBIAS12。 - 中国語 特許翻訳例文集

図2において、黒丸はDCバイアスが最適値である場合の信号点を示しており、白丸はDCバイアスが最適値からずれた場合の信号点をそれぞれ示している。

在图 2中，黑圈表示 DC偏置是最佳值的情况下的信号点，白圈分别表示 DC偏置偏离最佳值的情况下的信号点。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかしながら、リセット信号制御回路106やバイアス回路105は、比較的に占有面積が大きいため、微細化に対して不利である。

但是，复位信号控制电路 106或旁路电路 105的占有面积较大，所以不利于微细化。 - 中国語 特許翻訳例文集

又、ユーザがメディアストアにログインしていないと判断304で決定されると、メディアストアプロセス300は、ブロック306から310をバイパスしてブロック312へ進行できることに注意されたい。

此外，应当注意，当判断 304确定用户未登录到媒体商店时，媒体商店处理300可进行到方框 312而绕过方框 306-310。 - 中国語 特許翻訳例文集

そこで、バイアス電圧生成回路5は、バイアス電圧を、図8に示すように、明るさが基準値よりも、明るい場合は大きくし、暗い場合は小さくする関係で、明るさに応じて変更している。

因此，如图 8所示，偏压生成电路 5以在亮度比基准值亮的情况下使偏压变大、在比基准值暗的情况使偏压变小的关系，根据亮度变更偏压。 - 中国語 特許翻訳例文集

スイッチSW0〜SWNは、補正用バイアス選択部170による黒化現象検出用クランプ電圧設定値SCVLに応じてオン、オフ制御される。

根据校正偏置选择部件 170所设置的黑化检测钳制电压设置值 SCVL控制开关SW0～ SWN的接通 /切断。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−1は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC11の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW191A-1的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压 VDC11的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−2は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC11の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW191A-2的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压 VDC11的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−3は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC11の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW191A-3的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压 VDC11的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−nは、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC11の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW191A-n的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压 VDC11的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図11】図10の補正用バイアス選択部における黒化現象検出期間の動作を説明するためのタイミングチャートを示す図である。

图 11说明了用于解释黑化检测时间段中图 10中校正偏置选择部件操作的时序图； - 中国語 特許翻訳例文集

図11は、図10の補正用バイアス選択部における黒化現象検出期間の動作を説明するためのタイミングチャートを示す図である。

图 11说明了用于解释黑化检测时间段中图 10中校正偏置选择部件操作的时序图。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、固体撮像素子100は、列回路としての負荷回路150、ADC群である列並列処理部160、並びにDAC（デジタル−アナログ変換装置）170、および内部電圧生成回路（バイアス回路）180を有する。

作为一组 ADC的列并行处理部分 160； DAC(数字 -模拟转换器 )170； - 中国語 特許翻訳例文集

図4Bに示す乗算回路の実装は、どのようなバイアス電圧VbがXnに対して設定されるかに依存する。

在图 4B中讨论的乘法电路的实现取决于相对于 Xn如何设置偏压 Vb。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図4】この発明の実施の形態1に係る多値光送信器のDCバイアス制御手段を示すブロック構成図である。

图 4是示出本发明的实施方式 1的多值光发送器的 DC偏置控制单元的框结构图。 - 中国語 特許翻訳例文集

図4は、図1のDCバイアス制御部18を、光出力パワーモニタ16、発振器17および加算器19とともに示すブロック構成図である。

图 4是与光输出功率监视器 16、振荡器 17以及加法器 19一起示出图 1的 DC偏置控制部 18的框结构图。 - 中国語 特許翻訳例文集

以下、通常のロックイン検出を実行するものとして、DCバイアス制御部18の各部位の機能について説明する。

以下，作为执行通常的锁住检测的功能，对 DC偏置控制部 18的各部位的功能进行说明。 - 中国語 特許翻訳例文集

計算機可読媒体（806）は、プロセッサー（802）によって処理されるデータ及び／又は実行される命令をストアするように適合され得る。

计算机可读介质 806适用于存储要由处理器 802处理的数据和 /或要由处理器 802执行的指令。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC11の供給ラインに接続され、端子bがキャパシタC191の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW191的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压VDC11的线。 该开关的另一端子 b连接至电容器 C191的一端，并且连接点连接至用于供给偏置电压 VBIAS11的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW192は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC12の供給ラインに接続され、端子bがキャパシタC192の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS12の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW192的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压VDC12的线。 该开关的另一端子 b连接至电容器 C192的一端，并且连接点连接至用于供给偏置电压 VBIAS12的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方，補正処理では，その補正値に基づいて目標濃度が維持できるように各色のプロセス条件（例えば，露光強度，露光範囲，現像バイアス）を調整する。

而在校正处理中，根据该校正值，调整各色的处理条件 (例如曝光强度、曝光范围、显影偏压 )，以维持目标浓度。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、一実施形態において、図4Bのバイアス電圧Vbはコンピュータ実行可能な命令によってプログラム可能であり、それにより変調出力信号の周波数分散を調整してもよい。

例如，在一个实施例中，图 4B的偏压 Vb是经由计算机可执行指令可编程的，以调整调制输出信号的频率扩展。 - 中国語 特許翻訳例文集

負荷回路150およびDAC170には、アナログ読み出しおよびAD変換期間中、サンプルホールド回路190の内部容量であるキャパシタC191，C192にホールドされた電圧がバイアス電圧VBIAS11，VBIAS12として供給される。

在模拟信号被读出及 A/D转换的时间段期间，将保持在作为采样 /保持电路 190的内部电容的电容器 C191和 C192中的电压作为偏置电压 VBIAS11和 VBIAS12供给至负载电路 150和 DAC 170。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、DCバイアス制御部18は、例えばロックイン検出により、モニタ信号に含まれるディザ周波数（f0）成分の大きさおよび位相（または符号）を検出してフィードバック制御を実行し、バイアス制御信号を出力する。

另外，DC偏置控制部 18例如通过锁住检测 (lock-in detection)，对包含在监视信号中的抖动频率 (f0)分量的大小以及相位 (或者符号 )进行检测来执行反馈控制，输出偏置控制信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、上記実施の形態1では、DCバイアス制御部18が移相器21、ミキサ22、LPF23、オフセット設定手段24および加算器25を有し、アナログ処理によってフィードバック制御を実行し、バイアス制御信号を出力すると説明した。

另外，在上述实施方式 1中，说明了 DC偏置控制部 18具有移相器 21、混频器 22、LPF23、偏移设定单元 24以及加法器 25，并通过模拟处理来执行反馈控制，输出偏置控制信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

列並列処理部160の比較器162には、アナログ読み出しおよびAD変換期間中、サンプルホールド回路200の内部容量であるキャパシタC201にホールドされた電圧がバイアス電圧VBIAS13として供給される。

在模拟信号被读出及 A/D转换的时间段期间，将保持在作为采样 /保持电路 200的内部电容的电容器 C201中的电压作为偏置电压 VBIAS13供给至列并行处理部分 160的比较器 162。 - 中国語 特許翻訳例文集

加えて、本例に係る構成では、後述する比較例1、2のように、例えば、垂直信号線制御用のバイアス回路やリセット信号制御回路、信号制御用コンパレータが必要ない。

此外，在本例的结构中，如后述的比较例 1、2所示，例如不一定需要垂直信号线控制用的旁路电路或复位信号控制电路、信号控制用比较器。 - 中国語 特許翻訳例文集

図示するように、比較例1に係る固体撮像装置では、AD変換部に、比較的に占有面積が大きいバイアス回路105およびリセット信号制御回路106が配置されている点で、上記実施形態と相違する。

如图所示，在比较例 1的固体摄像装置中，在模数变换部配置了占有面积较大的旁路电路 105和复位信号控制电路 106，在这一点上不同于上述实施方式。 - 中国語 特許翻訳例文集

図10に示すように、補正用バイアス選択部170の比較器171にてAD変換用参照信号SLP＿ADCと黒化現象検出期間K1クランプ電圧を比較し、その傾きを検出する。

如图 10中所示，校正偏置选择部件 170中的比较器 171把用于 AD转换的参照信号 SLP_ADC与针对黑化检测时间段 K1的钳制电压加以比较，以检测用于 AD转换的参照信号 SLP_ADC的斜率。 - 中国語 特許翻訳例文集

補正用バイアス選択部170内にて、AD変換用参照信号（SLP＿ADC）を画素信号（SIG）ではなく、黒化現象検出期間K1クランプ電圧と比較する。

在校正偏置选择部件 170中，用于 AD转换的参照信号 (SLP_ADC)与针对黑化检测时间段 K1的钳制电压而不是与像素信号 (SIG)进行比较。 - 中国語 特許翻訳例文集

このとき、誤差信号がゼロになる点と、DCバイアスの0Vとは通常一致しないので、オフセット設定手段24からのオフセット信号をLPF23からの誤差信号に重畳することにより、誤差信号がゼロとなる場合であっても、制御目標を維持するために必要となるDCバイアスの値を設定することができる。

此时，由于误差信号成为零的点与 DC偏置的 0V通常不一致，所以通过将来自偏移设定单元 24的偏移信号重叠到来自 LPF23的误差信号，即使在误差信号成为零的情况下，也可以设定为了维持控制目标而所需的 DC偏置的值。 - 中国語 特許翻訳例文集

そのため、垂直信号線VSLより転送される画素信号を制御するリセット信号制御回路や画素信号の閾値を決定するバイアス回路等が不要となるので、回路レイアウト面積の増加をかなり抑えられる点で、微細化に対して有利である。

因此，不需要对由垂直信号线 VSL传送的像素信号进行控制的复位信号控制电路或决定像素信号的阈值的旁路电路等，所以在相当程度上抑制电路布局面积的这一点上，对微细化有利。 - 中国語 特許翻訳例文集

このため、時間的なノイズを全く含まないDCバイアス電圧として負荷回路150、DAC170、ADCを含む列並列処理部160に供給され、AD変換期間中のノイズの伝播による画質の劣化が抑制される。

如此，将电压供给至负载电路 150、DAC 170、和包括 ADC的列并行处理部分 160，作为根本不具有时间噪声的 DC偏置电压。 因而可以抑制在 A/D转换时间段期间由于噪声传播而造成的图像质量的劣化。 - 中国語 特許翻訳例文集

この場合、バイアス回路から生成したある閾値電圧を参照電圧としてリセット信号制御用コンパレータへ入れ、リセット信号との電位比較を行う。

在该情况下，将从旁路电路生成的某个阈值电压作为参照电压而输入到复位信号控制用比较器中，来与复位信号进行电位比较。 - 中国語 特許翻訳例文集

上述とは反対に、第1制御端子Tc1に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第1PINダイオード28aがオフ、第2制御端子Tc2に順バイアス電圧Vc1が印加されて第2PINダイオード28bがオンになると、図7に示すような等価回路となり、受信端子20のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続されることになる。

相反，当反向偏置电压 Vc2被施加到第一控制端子 Tc1时，关断第一 PIN二极管28a，并且当正向偏置电压 Vc1被施加到第二控制端子 Tc2时，接通第二 PIN二极管 28b，第一天线开关 10A由图 7所示的等效电路表示，其中在高频下仅接收端子 20连接到天线连接端子 14。 - 中国語 特許翻訳例文集

上述とは反対に、第1制御端子Tc1に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第1PINダイオード28aがオフ、第2制御端子Tc2に順バイアス電圧Vc1が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオンになると、図7に示すような等価回路となり、受信端子20のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続されることになる。

相反，当反向偏置电压 Vc2被施加到第一控制端子 Tc1以关断第一 PIN二极管28a，并且正向偏置电压 Vc1被施加到第二控制端子 Tc2以接通第二 PIN二极管 28b和第四PIN二极管 28d时，第六天线开关 10F由图 7所示的等效电路表示，其中在高频下仅接收端子 20连接到天线连接端子 14。 - 中国語 特許翻訳例文集

すなわち、通信媒体30が通信装置10に近づくに従って送信電力が低下していく途中で、ローパスフィルタ52の出力である監視電圧が最低電力保証回路54の出力電圧よりも低くなると、ベースバイアス電圧は、最低電力保証回路54の固定の電圧に切り換わり、それ以上低下しなくなる。

这就是说，在传输功率随着通信介质 30接近通信设备 10而降低的时候，如果作为低通滤波器 52的输出的监控电压降到低于最小功率保护电路 54的输出电压，就将基极偏压切换到最小功率保护电路 54的固定电压，并且该电压不再下降。 - 中国語 特許翻訳例文集

従って、例えば第1制御端子Tc1に順バイアス電圧Vc1が印加されて第1PINダイオード28aがオン、第2制御端子Tc2に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第2PINダイオード28bがオフになると、図6に示すような等価回路となり、送信端子16のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続されることになる。

因此，当正向偏置电压 Vc1被施加到第一控制端子 Tc1以接通第一 PIN二极管28a，并且反向偏置电压 Vc2被施加到第二控制端子 Tc2以关断第二 PIN二极管 28b时，第一天线开关 10A由图 6所示的等效电路表示，其中在高频下仅传输端子 16连接到天线连接端子 14。 - 中国語 特許翻訳例文集

続いて、図4を参照しながら、ロックイン検出によってモニタ信号に含まれるディザ周波数成分の大きさおよび位相を検出する場合の、DCバイアス制御部18の処理について説明する。

接下来，参照图 4，说明通过锁住检测对包含在监视信号中的抖动频率分量的大小以及相位进行检测的情况下的、DC偏置控制部 18的处理。 - 中国語 特許翻訳例文集

実験的応答曲線を取得するために、ドライバ104はまず、出力ビームが最大強度の約50％となるような直流バイアス電圧を導波回路102に印加するように構成される。

为了获得实验响应曲线，驱动器 104首先被配置为向波导回路 102施加 dc偏置电压，所述 dc偏置电压使输出束具有约 50％的最大强度。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図6】2つの送信アンテナと2つの受信アンテナとをもつMIMO−OFDMシステムにおいて適用されるバイアス除去を用いたQRMMSE検出の例示的なブロック図。

图 6说明应用于具有两个发射天线和两个接收天线的 MIMO-OFDM系统中的具有偏差移除的 QRMMSE检测的实例框图。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図10】2つの送信アンテナと2つの受信アンテナとをもつMIMO−OFDMシステムにおいて適用されるバイアス除去を用いたQRMMSE−VBLAST検出の例示的なブロック図。

图 10说明应用于具有两个发射天线和两个接收天线的 MIMO-OFDM系统中的具有偏差移除的 QRMMSE-VBLAST检测的实例框图。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、本実施形態においては、負荷回路150、列並列処理部160、DAC170が、内部または外部で生成されたバイアス電圧が供給される機能部を含んで構成される。

在本实施例中，负载电路 150、列并行处理部分 160、和 DAC 170包括功能部分，内部或外部生成的偏置电压被供给至该功能部分。 - 中国語 特許翻訳例文集