「へんみする」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

ローリングシャッターCMOSセンサーは、フォトダイオード群を含み得、フォトダイオード群は、露光の間、光をキャプチャーし、その光を電気信号に変換する。

滚动快门 CMOS传感器可以包括在曝光期间捕捉光并且将光转换成电信号的、成组的光电二极管。 - 中国語 特許翻訳例文集

水平走査部12は、カラムAD変換部26の各比較部252とカウンタ部254とが、それぞれが担当する処理を行なうのと並行して、各データ記憶部256が保持していたカウント値を読み出す読出走査部の機能を持つ。

水平扫描部件 12能够用作读出扫描部件，与列 AD转换部件 26的比较部件 252和计数器部件 254进行的处理并行地，从数据存储部件 256读出计数值。 - 中国語 特許翻訳例文集

フレームメモリ214は、コントローラ218の制御にしたがって、記憶しているLRペアのうちのL画像の画像データとR画像の画像データを連続して読み出し、画像サイズ変換回路215に出力する。

帧存储器 214依据控制器 218的控制连续地读取存储在帧存储器 214中的 L-R对中的 L图像的图像数据和 R图像的图像数据，并将 L图像的图像数据和 R图像的图像数据输出给图像大小转换电路 215。 - 中国語 特許翻訳例文集

フレームメモリ412は、コントローラ218の制御にしたがって、記憶しているLRペアのうちのL画像の画像データとR画像の画像データを連続して読み出し、画像サイズ変換回路215に出力する。

帧存储器 412依据控制器218的控制，顺序读取存储在帧存储器 412中的 L-R对中的 L图像的图像数据和 R图像的图像数据，并将 L图像的图像数据和 R图像的图像数据输出给图像大小转换电路 215。 - 中国語 特許翻訳例文集

従って例えば十分なデータ処理機能を備えた装置であれば、RGBの値をそのまま用いてもよく、この場合は、ステップS504における輝度（Y）情報のみの画像に変換する処理は省略してもよい。

因而，例如，当图像捕获装置具有用于数据处理的充足功能时，可以直接使用 RGB值。 在这种情况下，可以消除用于将图像转换为仅包括亮度 (Y)信息的图像的处理(在步骤 S504中 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

次に、画像はこれらの変換された値を用いてレンダリングされ、ここで、任意の水平位置に対して、視点に最も近い位置を示す深さ値のみが考慮されることを必要とする。

第二，使用这些变换的值再现图像，其中对于任何水平位置而言，只需考虑指示最靠近视点的位置的深度值。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号処理回路22は、SDRAM27に記憶された画像データを読み出し、画像データに対して種々の信号処理を施し、輝度信号と色差信号とで表される表色系のYUV形式に変換する。

信号处理电路 22将 SDRAM27保存的图像数据读出，对图像数据实施各种信号处理，将其转换为用亮度信号和色差信号表示的表色系的 YUV形式。 - 中国語 特許翻訳例文集

以上のようにして更新後の取込範囲を算出した後、CPU112は、更新後の取込範囲が撮像素子103の撮像範囲（即ち光電変換面の範囲）外であるか否かを判定する（ステップS116）。

如上计算出更新后的取入范围以后，CPU112判断更新后的取入范围是否在摄像元件 103的摄像范围 (即光电转换面的范围 )之外 (步骤 S116)。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、本実施形態における撮像素子103は、光電変換面の1画素単位又は1行単位で画像信号を取り込み可能であるものとする。

其中，本实施方式的摄像元件 103能够以光电转换面的 1个像素为单位或 1行为单位来取入图像信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

予約済みフィールド1004の後に、8ビットの長さを有し、UCD構成変更カウント値に一致するアップリンクチャネル記述子（UCD）カウント1006が続くことができる。

在保留字段 1004之后可以紧随着上行链路信道描述符 (UCD)计数 1006，其具有 8个比特的长度并且与 UCD配置改变计数值匹配。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、黒沈み現象が発生するような強い光が入射している場合には、リセットレベルがすでに飽和しているので信号レベルはほとんど変化しない。

其中，当会产生黑色沉淀现象的强光射入的情况下，由于复位电平已饱和因而信号电平几乎不会变化。 - 中国語 特許翻訳例文集

各カラム処理回路（ADC）61において、垂直信号線10に読み出されたアナログ信号（電位Vsl）が列毎に配置された比較器61−1で階段状に変化する参照信号RAMP（Vslop）と比較される。

在每个列处理电路 (ADC)61，读出到垂直信号线 10的模拟信号 (电势 Vs1)在布置在列中的比较器 61-1与逐步变化的基准信号 RAMP(Vslop)相比较。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、サンプルホールド部192は、アナログ信号読み出しおよびAD変換期間中にノイズ発生源である内部電圧生成回路180からDAC、ひいてはADCから電気的に切り離すことでノイズ経路を遮断する。

在模拟信号被读出及 A/D转换的时间段期间，采样 /保持部分 192把 DAC和 ADC与作为噪声源的内部电压生成电路 180电隔离。 由此，噪声路径中断。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、サンプルホールド部201は、アナログ信号読み出しおよびAD変換期間中にノイズ発生源である外部ラインからADCから電気的に切り離すことでノイズ経路を遮断する。

由此，在模拟信号被读出及 A/D转换的时间段期间，采样 /保持部分 201把 ADC与作为噪声源的外部线电隔离，由此，噪声路径中断。 - 中国語 特許翻訳例文集

34. 前記コードは、前記データの選択データ要素を変換するように構成される、請求項33に記載のコンピュータ読み取り可能な媒体。

34.如权利要求 33所述的计算机可读介质，其中，所述代码用于对所述数据的选定数据元素进行转换。 - 中国語 特許翻訳例文集

発振動作が安定した後、外部割込み制御部457により設定した電源スイッチ403からの信号をI／Oポート458の状態が変化したかで確認する（S1304）。

在振荡操作变得稳定之后，检查由外部中断控制单元 457设定的 I/O端口 458的状态以检测表示电源开关 403的状态的变化的信号 (步骤 S1304)。 - 中国語 特許翻訳例文集

図8A−Bは、どのように導波回路402を使用して、その導波回路を用いる変調器について光領域応答曲線を反転するかをグラフで示す。

图 8A-B用图形示出了波导回路 402如何用来针对采用该波导回路的调制器反转光学域响应曲线。 - 中国語 特許翻訳例文集

光路交換構造体は、半導体レーザの発振モードの切り替えに応じて、光導波路層における放射角を変化させ、出射光が光導波路層を伝播するように配置される。

排列光程切换结构以便根据半导体激光器的振荡模式的改变而在光波导层中改变辐射角，并且在光波导层中传输发射光。 - 中国語 特許翻訳例文集

そこで、図19（b）に示すように、水平走査回路103で列の値が出力されるタイミングと一致させた駆動クロックφADCをタイミングジェネレータ13Aで生成し、A／D変換部11Aに供給する。

因此，如图 19的 (b)中所示，由时序发生器 13A产生与水平扫描电路 103输出列值时的时刻相匹配的驱动时钟φADC，以将其提供到 A/D转换器 11A。 - 中国語 特許翻訳例文集

発光部121は駆動部121aに駆動され、画素部10Aから読み出され、シリアルインタフェース120でシリアル化された画素データで変調された信号光を出力する。

发光单元 121由驱动单元 121a驱动，并输出已经使用从像素单元 10A读取的、且已经由串行接口120串行化的像素数据进行调制的信号光。 - 中国語 特許翻訳例文集

ミキサ31は、直交位相送信器LO信号75を変換および濾波された直交位相Tx成分と混合し、被アップコンバート直交位相信号76を出力する。

混频器 31混合正交相位发射器 LO信号 75与经转换及滤波的 Q相 Tx分量，且输出经升频转换的正交相位信号 76。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えばドライバ48は、周辺機器として接続された磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスク、半導体メモリ等の記録媒体からデータを読み出して制御部50に出力する。

例如，驱动器 48从所连接的作为外围设备的记录介质 (诸如磁盘、光盘、磁光盘或半导体存储器之类 )读取数据并且将此数据输出到控制单元 50。 - 中国語 特許翻訳例文集

A／D変換器201、202の出力はサンプリングのタイミングが1／4サンプルずれているため、以後のデジタル処理を可能とするためにラッチ211でタイミングの同期が行われる。

由于 A/D变换器 201、202的输出其采样的定时偏差 1/4采样，所以为了能够进行以后的数字处理，用锁存器 211进行定时的同步。 - 中国語 特許翻訳例文集

すなわち、撮影モードが設定されている場合において、撮像装置100における状態が変化して、スタンバイ状態となった場合を割り込み処理を行うためのトリガとすることができる。

换句话说，在设置拍摄模式的情况下，当成像装置 100的状态变为处于待机状态时可以用作用于执行中断处理的触发。 - 中国語 特許翻訳例文集

磁気ヘッド34によって読み取られた情報（MICR情報）は、ゲートアレイ45によってデジタル化され、CPU40は、このデジタルデータを取得し（ステップS12）、このデータに基づいて文字情報を解析し、テキスト情報に変換する（ステップS13）。

由磁头 34读取的信息 (MICR信息 )由门阵列 45数字化，CPU40取得该数字数据 (步骤 S12)，基于该数据来解析文字信息，并变换为文本信息 (步骤 S13)。 - 中国語 特許翻訳例文集

一実施の形態においては、追加的なデータ150は、少なくとも（Tf1およびTf2の関数である）色関数（ColorFunction）を含み、このColorFunctionは、第1のバージョン104の色を第2のバージョン106の色に変換できるようにする。

在一个实施例中，附加数据 150至少包括 ColorFunction(颜色函数 )(其为 Tf1和 Tf2的函数 )，其使得第一版本 104的颜色可以转换到第二版本 106的颜色。 - 中国語 特許翻訳例文集

このリストに現れる構文要素は変更可能な構文要素とみなされ、毎回異なる候補代替値で2回以上リストに出現することができる。

在该列表中出现的语法元素被认为是可改变的语法元素并且可以在该列表中不止一次出现，每一次具有不同的候选的可替换值。 - 中国語 特許翻訳例文集

磁気ヘッド34によって読み取られた情報（MICR情報）は、ゲートアレイ45によってデジタル化され、CPU40は、このデジタルデータを取得し（ステップS42）、このデータに基づいて文字情報を解析し、テキスト情報に変換する（ステップS43）。

由磁头 34读取的信息 (MICR信息 )由门阵列 45数字化，CPU40取得该数字数据 (步骤 S42)，基于该数据来解析文字信息，并变换为文本信息 (步骤 S43)。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号生成部207（電気信号変換部）は、ミリ波信号伝送路9を介した信号受信制御を行なうための受信側信号生成部220を有する。

信号生成部分 207(电信号转换部分 )具有接收侧信号生成部分 220，用于控制经由毫米波信号发送线 9的信号接收。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号生成部207は、変換されたミリ波の信号を信号処理して出力信号（ベースバンド信号）を生成しLSI機能部204へ供給する。

信号生成部分 207使得转换的毫米波信号经历信号处理，从而生成输出信号 (基带信号 )，然后将输出信号提供到 LSI功能部分 204。 - 中国語 特許翻訳例文集

別の例によれば、波形制御構成要素206は、特定の波形タイプを持つ信号を生成するように導入されうる送信機および／または変調器を含みうる。

另举一例，波形控制部件 206包括发射机和 /或调制器，其用于产生具有特定波形类型的信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

より具体的には、画像処理部115は、記憶部116に記憶されている画像データをフレーム単位で読み出して順次に画像信号に変換して画像投射部120へ出力する。

更具体的，图像处理部 115以帧为单位读出存储部 116上存储的图像数据，并顺次变换成图像信号输出给图像投影部 120。 - 中国語 特許翻訳例文集

係数並び替え部14は、係数並び替え用バッファ部13に書き込まれた係数データを所定の順序（例えば、ウェーブレット逆変換処理順）で読み出し、量子化部15に供給する。

系数安排单元 14按照预定顺序 (例如，逆小波变换处理的顺序 )读取被写入系数安排缓冲器单元 13中的系数数据，并将读取的系数数据提供给量化单元 15。 - 中国語 特許翻訳例文集

ある実施形態では、A／D変換器320によって、例えば数フレームにわたって、複数の「オン」及び「オフ」の読み取り値が取得され、マイクロプロセッサ314は、「オン」及び「オフ」の両方の場合について平均及び分散を計算する。

在一个实施例中，例如跨若干帧的多个“接通”和“断开”读数由 A/D转换器 320取得，并且微处理器 314为“接通”和“断开”这两种情况计算均值和方差。 - 中国語 特許翻訳例文集

変換及び量子化処理における修正は、例えば、標準化された方法においてビデオコーディングの効率にのみ影響を与える修正とすることができる。

例如，变换处理和量化处理修改可以仅是影响标准化方法的视频编码效率的修改。 - 中国語 特許翻訳例文集

3. 前記変換及び量子化処理の少なくとも1つは、標準化された方法でのコーディング効率にのみ影響を与える修正であることを特徴とする請求項1に記載の方法。

3.根据权利要求 1所述的方法，其中，变换处理和量化处理中的至少之一的修改仅是影响标准化方法的视频编码效率的修改。 - 中国語 特許翻訳例文集

光電変換素子は、常時、光の受光量に応じて電荷を蓄積しているため、電荷のシフトレジスターへの転送タイミングが、次の発光色の光についての電荷を蓄積する開始タイミングとなる。

通常，光电变换元件根据光的受光量来积蓄电荷，所以电荷向移位寄存器的转送定时为积蓄针对下一发光色光的电荷的开始定时。 - 中国語 特許翻訳例文集

本実施形態では、黒基準読み取りにおいて、光電変換素子に蓄積された電荷をLED光源210の点灯とともに取得して、黒基準データとして使用する。

在本实施方式内，在黑基准读取中，在 LED光源 210点亮的同时取得光电变换元件所积蓄的电荷，并作为黑基准数据使用。 - 中国語 特許翻訳例文集

メディアアダプタ84は、メディアストリーム要求をストリーミングサーバ76に対して開始し（ステップ430）、ストリーミングサーバ76は、コンテンツ項目のメディアストリームをメディアアダプタ84に返信する（ステップ432）。

媒体适配器 84启动到流传送服务器 76的媒体流请求 (步骤 430)，流传送服务器 76将内容项的媒体流返回到媒体适配器 84(步骤 432)。 - 中国語 特許翻訳例文集

ラスタ・ブロックアドレス発生器115は、メモリ71をアドレス指定するので、バッファの内容が読み出される場合に、要素の順序が変更される。

光栅至块 (raster to block)地址发生器 115寻址存储器 71，使得当读出缓冲器的内容时，改变元件的顺序。 - 中国語 特許翻訳例文集

経路切替部148は、第1の論理値が入力された場合に、FIFOバッファ158を介して、FIFOバッファ154から読み出した制御パケットを変換部144に入力する。

通道切换部 148在输入了第 1逻辑值的情况下，借助于 FIFO缓存器 158，将从 FIFO缓存器 154读出的控制数据包输入到转换部144。 - 中国語 特許翻訳例文集

切替部152は、識別部142から第3の論理値の入力を受けると、FIFOバッファ158を介して、FIFOバッファ154から読み出した制御パケットを変換部144に入力する。

切换部 152一从识別部 142接收到第 3逻辑值的输入，借助于 FIFO缓存器 158，将从 FIFO缓存器 154读出的控制数据包输入到转换部 144。 - 中国語 特許翻訳例文集

加算器64は、ユニット54からの予測ブロックを逆変換ユニット58からの再構築剰余ブロックと組み合わせ、参照フレーム記憶装置62に格納される再構築されたブロックを生成する。

求和器 64将来自单元 54的预测块与来自逆变换单元 58的经重构的残余块进行组合以产生经重构的块，经重构的块存储在参考帧存储装置 62中。 - 中国語 特許翻訳例文集

センサ基板10は誘電体基板の表面に直線的に形成された多数の受光部（光電変換部）を含み受光部を駆動するシフトレジスタ、ラッチ回路及びスイッチなどの駆動回路部からなる。

传感器基板 10包括多个在介质基板表面形成为直线形的受光部 (光电转换部 )，由驱动受光部的移位寄存器、锁存电路及开关等驱动电路部构成。 - 中国語 特許翻訳例文集

状態s2にて、ロック操作部材5の突起部5cが第2の検出スイッチ11の突起部11aを押し込み、第2の検出スイッチ11がオフ状態からオン状態に変化する。

在状态 S2中，锁定操作构件 5的突起部 5c推第二检测开关 11的突起部 11a。 于是，第二检测开关 11从关闭状态改变到打开状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

以下、図3〜図10を参照して、この実施の形態による画素駆動回路の動作、つまり、フォトダイオード20に変換蓄電された信号電荷をFD25に読み出す場合の動作について説明する。

下面，参照图 3～图 10，对该实施方式的像素驱动电路的动作即将被光电二极管 20变换蓄电了的信号电荷读出至 FD25的情况的动作进行说明。 - 中国語 特許翻訳例文集

係数並び替え部14は、係数並び替え用バッファ部13に書き込まれた係数データを所定の順序（例えば、ウェーブレット逆変換処理順）で読み出し、量子化部15に供給する。

系数重排部 14以预定次序 (例如，以小波逆变换处理的次序 )读出被写入到系数重排缓冲器 13中的系数数据，并且将该数据供应给量化部 15。 - 中国語 特許翻訳例文集

係数並び替え部14は、係数並び替え用バッファ部13に書き込まれた係数データを所定の順序（例えば、ウェーブレット逆変換処理順）で読み出し、量子化部15に供給する。

系数重布置部件 14按预定顺序 (例如，按小波逆变换处理的顺序 )读出写入到用于系数重布置的缓冲器部件 13的系数数据，并将读取的系数数据提供给量化部件 15。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、記録媒体10および／またはハードディスクドライブ17に記録された画像データを読み出して、画像を表示し、任意に閲覧、編集することが可能である。

此外，能够读出记录在记录介质10和 /或硬盘驱动器 17上的图像数据并显示图像。 - 中国語 特許翻訳例文集

まず、シリコン基板105の所定の位置にイオンを打ち込み、光電変換部104を作製し、図示しない配線等を形成した後、裏面側からCMPやエッチバックなどにより、基板を薄膜化する（図7（a））。

首先，离子被注入到由硅形成的基板 105的预定位置以形成光电转换单元 104。 在形成布线等 (未示出 )之后，从后侧通过 CMP或回蚀刻 (etch back)等将基板制成薄膜 (图7A)。 - 中国語 特許翻訳例文集