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「ほうじんだんたい」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 5



2つのランダム平方剰余g及びxは、Z*Nにおいて選択され、整数zに対してh=g mod Nが計算される。

在中选择两个随机二次剩余g和x,对于整数z,计算h=g?mod?N。 - 中国語 特許翻訳例文集

このことから、第1PINダイオード28aがオンのとき、Z(L)が1オーム程度あるいはそれ以下の低抵抗であることから、式(e)からもわかるように、第1λ/4伝送路24aの信号ライン側のインピーダンス(この場合、Z(0))は大きな値となり、理想的には開放状態となる。

因为当第一 PIN二极管 28a被接通时 Z(L)是大约 1欧姆或更小的低电阻,在信号线侧的第一λ/4传输线 24a的阻抗 (在这种情况下 Z(0))具有大值,并且信号线理想上处于开路状态,如可以从方程 (e)中理解的。 - 中国語 特許翻訳例文集

図9Bに示す第3例においては、一方(送信側)の半導体チップ103にはN組の送信側信号生成部110が収容され、他方(受信側)の半導体チップ203にはM組の受信側信号生成部220が収容され、各送信側信号生成部110から各受信側信号生成部220に同一方向に、周波数分割多重を適用して同時の信号伝送を可能にする形態である。

在图 15A所示的第三示例中,N组传输侧信号生成单元 110容纳在一侧 (即,传输侧 )的半导体芯片 103中,同时 M组接收侧信号生成单元 220容纳在另一侧 (即,接收侧 )的半导体芯片 203中,并且应用频分复用以允许在从传输侧信号生成单元 110到接收侧信号生成单元 220的相同方向上的同时信号传输。 - 中国語 特許翻訳例文集

図9Cに示す第4例においては、一方(送信側)の半導体チップ103にはN組の送信側信号生成部110が収容され、他方(受信側)の半導体チップ203にはM組の受信側信号生成部220が収容され、各送信側信号生成部110から各受信側信号生成部220に同一方向に、周波数分割多重を適用して同時の信号伝送を可能にする形態である。

在图 15B所示的第四示例中,N组传输侧信号生成单元 110容纳在一侧 (即,传输侧 )的半导体芯片 103中,同时 M组接收侧信号生成单元 220容纳在另一侧 (即,接收侧 )的半导体芯片 203中,并且应用频分复用以允许在从传输侧信号生成单元 110到接收侧信号生成单元 220的相同方向上的同时信号传输。 - 中国語 特許翻訳例文集

外部メモリ47は、実施例1及び後述の実施例3〜5において記録された画像信号及び音声補正処理を施した音声信号だけでなく、撮影モード情報(回動部25の回動状態を示す情報や、実施例3及び4の表示系回動部25A及び光学系回動部25Bの回動状態を示す情報、実施例5の撮影を行う撮像部511,512及び表示を行う表示部23を示す情報としても解釈され得る)及び音声補正処理を施していない音声信号とインデックスとして当該音声信号を取得した時点のズーム倍率情報なども保持することが可能である。

外部存储器 47不仅能够保存实施例 1及后述的实施例 3~ 5中记录的图像信号及进行了声音补正处理的声音信号,而且能够保存摄影模式信息 (也可以解释为表示转动部 25的转动状态的信息、表示实施例 3及 4的显示系统转动部 25A及光学系统转动部 25B的转动状态的信息、表示实施例 5的进行摄影的摄像部 511、512及进行显示的显示部 23的信息 )以及未进行声音补正处理的声音信号和作为索引的取得该声音信号时的变焦倍率信息等。 - 中国語 特許翻訳例文集





   

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