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半導体基板3の主面上には、画素部Pm,nが配列された受光部10A，信号読出部20，AD変換部30および制御部40Aが形成されて集積化されており、また、信号入出力や電力供給の為のボンディングパッド50が形成されている。

在半导体基板 3的主面上，形成有排列着像素部 Pm，n的受光部 10A、信号读出部 20、A/D转换部 30及控制部 40A而集成化，另外，形成有用于信号输入输出及电力供应的焊接垫 50。 - 中国語 特許翻訳例文集

半導体基板3の主面上には、画素部Pm,nが配列された受光部10A，信号読出部20，AD変換部30および制御部40Aが形成されて集積化されており、また、信号入出力や電力供給の為のボンディングパッド50が形成されている。

在半导体基板 3的主面上，形成有排列着像素部 Pm，n的受光部 10A、信号读出部 20、A/D转换部 30(参考图 1)及控制部 40A(参考图 1)而集成化，另外，形成有用于信号输入输出及电力供应的焊接垫 50。 - 中国語 特許翻訳例文集