「まくでん」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

宣伝用ちらしをばらまく．

撒传单 - 白水社 中国語辞典

電圧の低い乾電池だとうまく動作しない場合がございます。

使用低电压的干电池有可能难以运作。 - 中国語会話例文集

電話だとなかなか上手く話せなくてごめんね。

抱歉在电话里不能说清楚。 - 中国語会話例文集

敵軍に対する宣伝工作をうまくやって，敵の内部が分裂瓦解するように促進する．

做好对敌宣传工作，促使敌人内部分解。 - 白水社 中国語辞典

MS506からマクロセルBS504への伝送はアップリンク512を介して生じ、マクロセルBS504からMS506への伝送はダウンリンク514を介して生じる。

从 MS 506到宏小区 BS 504的传输经由上行链路 512进行，从宏小区 BS 504到 MS 506的传输经由下行链路 514进行。 - 中国語 特許翻訳例文集

論理グルーピング1402は、メッセージが最初の読み取りの後にうまく読み取られなかったと判断する電気コンポーネント1404を含むことができる。

逻辑组合 1402包括用于确定在第一次尝试之后没有成功读取消息的电部件 1404。 - 中国語 特許翻訳例文集

絶縁膜15上のゲート電極2上には、半導体活性層8が島状に形成されている。

在绝缘膜 15上方、各个栅极 2上形成岛状的半导体有源层 8。 - 中国語 特許翻訳例文集

絶縁膜15上のゲート電極2上には、半導体活性層8が島状に形成されている。

在绝缘膜 15上方的各栅极 2上形成岛形的半导体有源层 8。 - 中国語 特許翻訳例文集

この先、ホームの幅が狭くなっておりますので、ここで電車をお待ちください。

因为前方站台很窄，所以请在这里候车。 - 中国語会話例文集

電磁気学はマクスウェルの方程式とローレンツ力に基づいています。

电磁气学是基于麦克斯韦方程组和洛伦兹力上的。 - 中国語会話例文集

フローティングディフージョン部（FD）37においても、絶縁膜との界面から電子が滲み出して暗電流が発生する。

在浮动扩散部 (FD)37中，电子从与绝缘膜的界面漏出，从而产生暗电流。 - 中国語 特許翻訳例文集

同様に、アップリンク312a上の第1のMS306aからフェムトセルBS310への伝送は、マクロセルBS304において受信されることができ、アップリンク312b上の第2のMS306bからマクロセルBS312bへの伝送を妨げる。

类似的，可以在宏小区 BS 304处接收到在上行链路 312a上从第一 MS 306a到毫微微小区 BS 310的传输，并且其会干扰在上行链路 31b上从第二 MS 306b到宏小区 BS 304的传输。 - 中国語 特許翻訳例文集

第2のMS806からマクロセルBS804への伝送はアップリンク812bを介して生じ、マクロセルBS804から第2のMS806bへの伝送はダウンリンク814bを介して生じる。

从第二 MS 806b到宏小区 BS 804的传输经由上行链路 812b进行，从宏小区 BS 804到第二 MS 806b的传输经由下行链路 814b进行。 - 中国語 特許翻訳例文集

ステップ420においては、現マクロブロックが前に選択した出力の伝搬パスにあるならば、スライス内の次のマクロブロックはステップ410で処理され、現マクロブロックが前に選択した出力の伝搬パスにないならば、処理は決定ステップ430に進み、そこにおいて現マクロブロックについての最良代替エントリが選択される。

在步骤 420中，如果当前宏块在之前选择的输出的传播路径中，则在步骤 410中处理码片中的下一宏块，而如果当前宏块不在之前所选择的输出的传播路径中，则其进行至判定步骤 430，其中为当前宏块选择最优的可替换条目。 - 中国語 特許翻訳例文集

このような多層基板70においても、LEDチップ71で発生した熱を金属膜77a，77b，77cに伝導させ、放熱させることができる。

在叠层基片 70中，LED芯片 71产生的热传导至金属膜 77a、77b和 77c，并且被散发出去。 - 中国語 特許翻訳例文集

読み出し電極42も、遮光膜46を貫通するコンタクトビア52を介して所要の配線49に接続される。

读栅极电极 42也利用贯穿遮光膜 46的接触通道 52与所需布线 49连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

図示しないが、オーバーフローゲート電極43も、遮光膜46を貫通するコンタクトビア52を介して所要の配線49に接続される。

尽管未图示，但溢出栅极电极 43也利用贯穿遮光膜 46的接触通道 52与所需布线 49连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

この第1信号配線層上には、一面に絶縁膜15が形成されており、ゲート電極2上に位置する部位がTFTスイッチ4におけるゲート絶縁膜として作用する。

在第一信号布线层的一面上形成绝缘膜 15，并且各个栅极 2上方的位置充当 TFT开关 4中的栅绝缘膜。 - 中国語 特許翻訳例文集

TFTアレイ基板10における液晶層50の面する側の表面、即ち画素電極9a上には、配向膜16が画素電極9aを覆うように形成されている。

在 TFT阵列基板 10中的液晶层 50一侧的表面，即像素电极 9a上，取向膜 16以覆盖像素电极 9a的方式形成。 - 中国語 特許翻訳例文集

結果、アップリンク312b上の第2のMS306bからマクロセルBS304への伝送は、フェムトセルBS310において受信されることができ、したがって、アップリンク312a上の第1のMS306aからフェムトセルBS310への伝送を妨げる。

结果，可以在毫微微小区 BS 310处接收到在上行链路 312b上从第二 MS 306b到宏小区 BS 304的传输，从而其会干扰在上行链路 312a上从第一 MS 306a到毫微微小区 BS 310的传输。 - 中国語 特許翻訳例文集

同様に、ダウンリンク314a上のフェムトセルBS310から第1のMS306aへの伝送は第2のMS306bで受信されることができ、したがって、ダウンリンク314b上のマクロセルBS304から第2のMS306bへの伝送を妨げる。

类似的，可以在第二 MS 306b处接收到在下行链路 314a上从毫微微小区 BS 310到第一 MS 306a的传输，从而其会干扰在下行链路 314b上从宏小区 BS 304到第二 MS 306b的传输。 - 中国語 特許翻訳例文集

したがって、ダウンリンク814a上のフェムトセルBS810から第1のMS806aへの伝送は第2のMS806bで受信されることができ、ダウンリンク814b上のマクロセルBS804から第2のMS806bへの伝送を妨げる。

因此，在下行链路 814a上从毫微微小区 BS 810到第一 MS 806a的传输会在第二 MS 806b处接收到，并会干扰在下行链路 814b上从宏小区 BS 804到第二 MS 806b的传输。 - 中国語 特許翻訳例文集

絶縁膜15上には、コンタクトホール18を埋めるようにドレイン電極13が形成されており、放射線検出用配線120は、TFTスイッチ4のドレイン電極13と接続されている。

在绝缘膜 15上形成各漏极 13以填充接触孔 18。 放射线检测线 120连接到 TFT开关 4的漏极 13。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかし光電子サブ組立体90では、光電子要素70から放出された放射はプリズム92の内部表面94（典型的に適切な反射被膜を有する）から内部に反射される。

不过，在分组件 90中，由元件 70发射的射线从棱镜 92的内表面 94(通常带有适合的反射涂层 )上内部地反射。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかしながら、（例えばマクロ・ノードBよりも低い）比較的低い電力が考慮される場合、ガード帯域幅のうちの少なくともある部分が、送信のために使用されうる。

然而，当涉及相对较低的功率 (例如，低于宏节点 B)时，保护带宽的至少某个部分可以用于传输。 - 中国語 特許翻訳例文集

このため、CCDメモリ30、垂直CCD50、水平CCD60には、光が入射して電荷を発生しないように、この上に金属で構成された遮光膜を形成することが好ましい。

因此，为了防止光入射而产生电荷，优选在 CCD存储器 30、垂直 CCD50及水平 CCD60上形成用金属构成的遮光膜。 - 中国語 特許翻訳例文集

イメージセンサー110は、典型的には、電荷結合素子（CCD）または相補型金属酸化膜半導体（CMOS）アクティブピクセルセンサーであってよいが、決してこれら二つのタイプのセンサーのみに限定されない。

图像传感器 110通常可以是电荷耦合器件 (CCD)或互补金属氧化物半导体 (CMOS)有源像素传感器，但并不是就只限于这两种传感器。 - 中国語 特許翻訳例文集

尚、タッチパネル部12としては、抵抗膜方式、表面弾性波方式、赤外線方式、静電容量方式等、各方式のものを採用でき特に制限はない。

另外，作为触摸面板部12，可以采用电阻膜方式、表面弹性波方式、红外线方式、静电电容方式等各种方式，没有特别限定。 - 中国語 特許翻訳例文集

尚、タッチパネル部12としては、抵抗膜方式、表面弾性波方式、赤外線方式、静電容量方式等、各方式のものを採用でき特に制限はない。

此外，触摸面板部 12没有特别的限制，可以采用电阻膜方式、表面弹性波方式、红外线方式、静电容量方式等各种方式的面板。 - 中国語 特許翻訳例文集

まず、シリコン基板105の所定の位置にイオンを打ち込み、光電変換部104を作製し、図示しない配線等を形成した後、裏面側からCMPやエッチバックなどにより、基板を薄膜化する（図7（a））。

首先，离子被注入到由硅形成的基板 105的预定位置以形成光电转换单元 104。 在形成布线等 (未示出 )之后，从后侧通过 CMP或回蚀刻 (etch back)等将基板制成薄膜 (图7A)。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば国際電気通信連合、電気通信標準化部門（ITU−T）H．261勧告、ITU−T H．263勧告、国際標準化機構／国際電気標準会議（ISO／IEC）Moving Picture Experts Group−1（MPEG−1）標準規格、ISO／IEC MPEG−2標準規格、およびISO／IEC MPEG−4 Part 10 Advanced Video Coding（AVC）標準規格／ITU−T H．264勧告（以下では「MPEG−4 AVC標準規格」）に準拠するような通常のビデオエンコーダでは、ビデオフレームは、マクロブロックに分割され、各マクロブロック（MB）を、複数のコーディングモデルのうちの1つでコーディングすることができる。

在典型的视频编码器中，如遵循例如国际电信联盟电信部门 (ITU-T)的 H.261建议 (recommendation)、ITU-T H.263建议、国际标准化组织 /国际电工技术委员会 (ISO/IEC)运动图像专家组 -1(MPEG-1)标准、ISO/IEC MPEG-2标准、以及 ISO/IEC MPEG-4部分10高级视频编码 (AVC)标准 /ITU-T H.264建议 (以下称“MPEG-4AVC标准”)的视频编码器中，将视频帧分成宏块 (macroblock)，并且可以采用若干编码模式之一来对每个宏块 (MB)进行编码。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、基地局3510は、1つまたは複数のバックホール・リンク3551を介してマクロ・ネットワーク・プラットフォーム3560と通信し、セルラ無線技術（例えば第3世代パートナーシップ・プロジェクト（3GPP）ユニバーサル移動体電気通信システム（UMTS）、グローバル・システム・フォー・モバイル・コミュニケーション（GSM））では、このマクロ・ネットワーク・プラットフォーム3560はコア・ネットワークに相当する。

另外，基站 3510经由回程链路 3551与宏网络平台 3560进行通信，宏网络平台 3560在蜂窝无线技术 (例如，第三代合作计划(3GPP)通用移动电信系统 (UMTS)、全球移动通信系统 (GSM))中代表核心网络。 - 中国語 特許翻訳例文集

該ポータブル電子デバイスは、該高精細度ビデオ信号のマクロブロックの復号されていない係数の数に応答して、さらに、マクロブロックの復号されていない係数を復号するために利用可能な残りの処理サイクルの数に応答して、該第1の手段または該第2の手段を動的に選択する選択回路をさらに含む。

所述便携式电子装置进一步包括选择电路，其用以响应于所述高清晰度视频信号的宏块的未经解码系数的数目且进一步响应于可用于解码所述宏块的所述未经解码系数的剩余处理循环的数目而动态地选择所述第一装置或所述第二装置。 - 中国語 特許翻訳例文集

マクロブロックの前半が復号された後、動的スイッチ120は、復号メトリック130の評価に基づいて、電力を節約するために、第2の復号パス124においてより遅いレートでマクロブロックの後半を復号するために十分な時間が利用可能であるかどうかを決定することができる。

在解码所述宏块的所述第一半之后，动态开关 120可基于所述解码量度 130的评估而确定是否足够时间可用于在第二解码路径 124处以较慢速率解码所述宏块的所述第二半以节省电力。 - 中国語 特許翻訳例文集

マクロ・ネットワーク・プラットフォームの一部とすることができる1組の1つまたは複数の無線ネットワーク制御ノード、1組のマクロセル3505にサービスする1組の基地局（例えばNode B3510）、1組の基地局の中の基地局に関連する電子機器、回路またはコンポーネント、基地局により無線技術に従って運営される1組のそれぞれのOTA無線リンク（例えばリンク3515や3516）、ならびに1つまたは複数のバックホール・リンク3555および3551が、マクロ無線アクセス・ネットワーク（RAN）を形成することを指摘しておく。

通过基站根据无线电技术运行的一组相应的 OTA无线链路(例如，链路3515或3516)； 和回程链路 3555和3551构成了宏无线电接入网(RAN)。 - 中国語 特許翻訳例文集

より狭いTxパルス整形フィルタ550aを使用することは、パイロットチャネルとオーバーヘッドチャネルの伝送によって引き起こされる隣接するチャネルの干渉の量を減らす（例、パイロット及びオーバーヘッドチャネルが、マクロセルBS504からMS506までのダウリンク514上の伝送を妨げる程度）。

使用缩窄的 Tx脉冲整形滤波器 550a减小了由导频信道和开销信道的传输引起的相邻信道干扰量 (例如，导频和开销信道对在下行链路 514上从宏小区 BS 504到 MS 506的传输的干扰程度 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

たとえば、各パイプラインステージは、高精細度ビデオ信号のマクロブロックを処理するために割り当てられた予定の処理サイクルを有し、割り当てられた予定の処理サイクルの順守を保証しながら電力を低減した復号を実行することができる。

举例来说，每一管线级可具有所分配预算的处理循环以处理高清晰度视频信号的宏块，且可执行降低的功率的解码，同时保证与所分配预算的处理循环相符。 - 中国語 特許翻訳例文集

励振を得るために、伝導フィルタ705の出力は次に励振関数またはデバイス707内に進む。 励振関数またはデバイス707の出力は、人間の耳の基底膜に沿ったエネルギーの分布を模擬するように設計される。

为了获得激励，传输滤波器 705的输出然后通过而进入激励函数或设备 707，该激励函数或设备 707的输出被设计为模拟沿人耳的基膜的能量的分布。 - 中国語 特許翻訳例文集

次に、例えば電子配信を利用して、記録媒体100に記録されたデータ、例えば記録媒体100に記録されたオリジナルのコンテンツに対応するデータ（例えば、ビデオストリーム、オーディオストリーム、字幕データ、字幕データ、背景画像、GUI、アプリケーション、アプリケーション管理テーブルなど）の全部若しくは一部（例えば再生に必要なデータのアップデートデータ）、または追加コンテンツを配信データとして、半導体メモリーに記録する動作について説明をする。

接着，对例如利用电子分发将记录在记录介质 100中的数据、例如记录在记录介质 100中的与原始的内容对应的数据 (例如视频流、音频流、字幕数据、字幕数据、背景图像、GUI、应用、应用管理表等 )的全部或一部分 (例如再生所需要的数据的更新数据 )、或追加内容作为分发数据记录到半导体存储器中的动作进行说明。 - 中国語 特許翻訳例文集

MFD100においては、筐体102、レーザモジュール104、光学光伝導体（OPC）106、OPCカートリッジ108、転送メカニズム110、フューザ112、エリアアレイCMOS（相補型金属酸化膜半導体）画像センサ114、光源116、透明表面118、入力トレー120、ピックメカニズム122、ガイド124、およびカバー／出力トレー126が図示されているように連結されている。

MFD 100包括壳体 102、激光模块 104、光学光电导体 (OPC)106、OPC匣 (cartridge)108、传动机构 110、上色辊 (fuser)112、面阵互补金属氧化物半导体 (CMOS)图像传感器 114、照明源 116、透明表面 118、输入托盘 120、拾取机构 122、导向器 124以及盖 /输出托盘 126，如图所示进行耦合。 - 中国語 特許翻訳例文集

ビデオセグメント復号器104は、マクロブロック単位で動作する復号パイプラインの1つまたは複数のステージとして動作し、指定された全出力レートを維持しながら信号を効率的に復号するために、動的スイッチ120を介して、より低電力の復号とより速い復号との間で動的に選択することができる。

视频片段解码器 104可作为逐宏块地操作的解码管线的一个或一个以上级操作且可经由动态开关 120而在较低功率解码与较大速度解码之间动态地选择，以高效地解码信号，同时维持指定总输出速率。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、1つまたは複数の外部ネットワーク140のうちの1つによって実施することができるマクロセル・ネットワーク・プラットフォーム、またはフェムトセル・ネットワーク・プラットフォーム130のうちの少なくとも1つを管理するネットワーク・オペレータは、通信プラットフォーム1604およびその中のコンポーネントが通信用に活用できる、1組の電磁（EM）周波数帯域および1組の無線技術を、例えば移動体装置1602をプロビジョンする一環として設定することができることを指摘しておく。

另外，注意，管理宏蜂窝网络平台 (它可被实施在外部网络 140之一中 )或毫微微蜂窝网络平台 130中的至少一个的网络运营者可以配置通信平台 1604及其组件可用来进行通信的一组电磁 (EM)频带及一组无线电技术 (例如作为移动装置 1602的供应的一部分 )。 - 中国語 特許翻訳例文集