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「まくでんきょく」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 9



絶縁膜15上のゲート電極2上には、半導体活性層8が島状に形成されている。

在绝缘膜 15上方、各个栅极 2上形成岛状的半导体有源层 8。 - 中国語 特許翻訳例文集

絶縁膜15上のゲート電極2上には、半導体活性層8が島状に形成されている。

在绝缘膜 15上方的各栅极 2上形成岛形的半导体有源层 8。 - 中国語 特許翻訳例文集

TFTアレイ基板10における液晶層50の面する側の表面、即ち画素電極9a上には、配向膜16が画素電極9aを覆うように形成されている。

在 TFT阵列基板 10中的液晶层 50一侧的表面,即像素电极 9a上,取向膜 16以覆盖像素电极 9a的方式形成。 - 中国語 特許翻訳例文集

絶縁膜15上には、コンタクトホール18を埋めるようにドレイン電極13が形成されており、放射線検出用配線120は、TFTスイッチ4のドレイン電極13と接続されている。

在绝缘膜 15上形成各漏极 13以填充接触孔 18。 放射线检测线 120连接到 TFT开关 4的漏极 13。 - 中国語 特許翻訳例文集

読み出し電極42も、遮光膜46を貫通するコンタクトビア52を介して所要の配線49に接続される。

读栅极电极 42也利用贯穿遮光膜 46的接触通道 52与所需布线 49连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

図示しないが、オーバーフローゲート電極43も、遮光膜46を貫通するコンタクトビア52を介して所要の配線49に接続される。

尽管未图示,但溢出栅极电极 43也利用贯穿遮光膜 46的接触通道 52与所需布线 49连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

この第1信号配線層上には、一面に絶縁膜15が形成されており、ゲート電極2上に位置する部位がTFTスイッチ4におけるゲート絶縁膜として作用する。

在第一信号布线层的一面上形成绝缘膜 15,并且各个栅极 2上方的位置充当 TFT开关 4中的栅绝缘膜。 - 中国語 特許翻訳例文集

マクロ・ネットワーク・プラットフォームの一部とすることができる1組の1つまたは複数の無線ネットワーク制御ノード、1組のマクロセル3505にサービスする1組の基地局(例えばNode B3510)、1組の基地局の中の基地局に関連する電子機器、回路またはコンポーネント、基地局により無線技術に従って運営される1組のそれぞれのOTA無線リンク(例えばリンク3515や3516)、ならびに1つまたは複数のバックホール・リンク3555および3551が、マクロ無線アクセス・ネットワーク(RAN)を形成することを指摘しておく。

通过基站根据无线电技术运行的一组相应的 OTA无线链路(例如,链路3515或3516); 和回程链路 3555和3551构成了宏无线电接入网(RAN)。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、基地局3510は、1つまたは複数のバックホール・リンク3551を介してマクロ・ネットワーク・プラットフォーム3560と通信し、セルラ無線技術(例えば第3世代パートナーシップ・プロジェクト(3GPP)ユニバーサル移動体電気通信システム(UMTS)、グローバル・システム・フォー・モバイル・コミュニケーション(GSM))では、このマクロ・ネットワーク・プラットフォーム3560はコア・ネットワークに相当する。

另外,基站 3510经由回程链路 3551与宏网络平台 3560进行通信,宏网络平台 3560在蜂窝无线技术 (例如,第三代合作计划(3GPP)通用移动电信系统 (UMTS)、全球移动通信系统 (GSM))中代表核心网络。 - 中国語 特許翻訳例文集





   

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