「むでんきょくほうでんらんぷ」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

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「むでんきょくほうでんらんぷ」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 6



MOSトランジスタ5の他方の主電極は、共通出力線8および差動増幅回路4の反転入力端子と接続される。

MOS晶体管 5的主电极中的另一个与共用输出线 8和差分放大器电路 4的反相输入端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

本発明の第1の側面は、基地局から制御チャネル伝送リソースを使って送信される共用制御チャネルにより遭遇する干渉をランダム化するための方法に関するものである。

本发明的第一方面涉及一种用于随机化通过使用控制信道传输资源从基站传输的共享控制信道所经历的干扰的方法。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、スイッチ液晶203を透過する際にも、透明電極への電圧の有無に応じて偏光方向が変化した場合、変化しない場合のいずれにおいても、ランダム偏光のままの状態であり、特定の偏光状態とはならない。

而且,在偏振的方向取决于是否向透明电极施加电压而改变的情况下以及在偏振方向不改变的情况下,当外部光穿过切换液晶 203时,外部光保持随机偏振状态并且不改变为特定偏振状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、毎秒30フレームであれば1/30秒、毎秒60フレームであれば1/60秒といった基準となる露光時間Tsで飽和電子数Qsに達する入射光強度を仮定し、転送トランジスタ22の制御電極に電圧Vtrgを供給するタイミングTiにおける、蓄積電子数Neiを見積もる。

例如,当入射光强度被假定为在该入射光强度下电子数量在标准的曝光时间 Ts内 (诸如,当 30帧 /秒时 1/30秒,当 60帧 /秒时 1/60秒 )达到饱和电子数量Qs,则当电压 Vtrg被供应到转移晶体管 22的控制电极时的定时 Ti的存储电子的数量 Nei被估计。 - 中国語 特許翻訳例文集

回路ブロック134は、アドレス信号ADRとNOR回路135の出力信号とを2入力とするAND回路1341、アドレス信号ADRを一方の(否定)入力とし、AND回路1341の出力信号を他方の入力とするOR回路1342、レベルシフタ1343およびNチャネルの駆動トランジスタ1344により構成され、接地電圧よりも低い電圧Vtrg4を選択して転送トランジスタ22のゲート電極に供給する。

电路块 134包括采用地址信号 ADR和 NOR电路 135的输出作为两个输入的 AND电路 1341,采用地址信号 ADR作为一个 (负 )输入并且采用 AND电路的输出信号作为另一个输入的 OR电路 1342,电平相移器 1343以及 N-沟道驱动晶体管 1344,其选定电压 Vtrg4(所述电压 Vtrg4低地电压 )并且将其供应到转移晶体管 22的栅电极。 - 中国語 特許翻訳例文集

708では、ランダムに選択され、人為的に増幅され、追加情報を伝送するトーンを含むトーンのスペクトル全体が、受信構成要素(例えば、基地局302またはアクセス端末304)によって受信されるために送信されうる。

在708,可以将包括传送附加信息的随机选择且人为放大的音调在内的整个音调谱进行发射,以由接收部件 (例如,基站 302或接入终端 304)接收。 - 中国語 特許翻訳例文集





   

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