「もれじかい」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

示された例示的な実施形態においては、ノッチフィルタ300は、特に、一般に同じデバイス280内のTX信号チェーンの動作に基づいてアプリオリ（a priori）に知られる、RX漏れ信号周波数をターゲットにするように構成されても構わない。

在所展示的示范性实施例中，陷波滤波器 300可经特定地配置以将 TX泄漏信号频率作为目标，所述 TX泄漏信号频率通常基于同一装置 280中的 TX信号链的操作而为先验已知的。 - 中国語 特許翻訳例文集

当業者であれば、ステップ710の計算は実行するのが比較的簡単ではあるが、かようにカウントされたターゲットパルスの数Npは一般にTX漏れ信号および他のジャマーの両方に起因するパルスを含んでいるのは理解できるであろう。

所属领域的技术人员将了解，虽然步骤 710的计算实施起来可相对简单，但如此计数的目标脉冲的数目 Np通常可包括可归于 TX泄漏信号和其它干扰的脉冲。 - 中国語 特許翻訳例文集

プリズムを介した両方向通信は、受信専用状態または伝送専用状態を可能にする単信通信で行われるので、受信信号の一部が送信機13Aの表面に到達しまたは伝送光の漏れがフォトトランジスタ12Aの表面に到達する、送信機13Aから受信機12Aまたはその逆に受信機12Aから送信機13Aへの光信号のクロストークまたは漏れは、重要でなく取るに足らないものになる。

因为在实现只接收状态或只发射状态的单工通信中实施经由棱镜的双向通信，从发射器 13A到接收器 12A的光信号的串扰或泄露或者从接收器12A到发射器 13A的光信号的串扰或泄露（其中，所接收信号的一部分到达发射器 13A的表面或者所发射光信号的泄露到达光电晶体管 12A表面）变得不重要和微不足道。 - 中国語 特許翻訳例文集

このような例示的な実施形態は、通常は非TXジャマーよりもダウンコンバート後はより高い周波数を有するであろうTX漏れ信号における効果の点において有利の可能性があり、そして、従ってこれに対応してより高いNsはターゲットパルスカウントNpから除去される可能性がある。

所述示范性实施例可为有利的，原因在于可将 TX泄漏信号的影响从目标脉冲计数 Np中移除，所述 TX泄漏信号在下变频后通常具有高于非 TX干扰的频率的频率，且因此对应地具有较高的 Ns。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかしながら、ミリ波では（特に固定位置間や既知の位置関係の信号伝送との併用時は）、ミリ波は容易に遮蔽でき、外部に漏れないようにでき、安定度の低い搬送波を伝送に使用することができ、回路規模の増大を抑えることができる。

然而，通过毫米波 (尤其当与各固定位置之间或以已知位置关系的信号传输联系使用时 )，可以容易地屏蔽毫米波，防止毫米波泄露到外部，使用用于传输的低可靠性的载波，并且由此防止电路规模的增大。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかしながら、ミリ波では（特に固定位置間や既知の位置関係の信号伝送との併用時は）、ミリ波は容易に遮蔽でき、外部に漏れないようにでき、安定度の低い搬送波を伝送に使用することができ、回路規模の増大を抑えることができる。

然而，在使用毫米波的情况下，特别是在与固定位置之间的或处于已知的位置关系的信号传输一起使用毫米波的情况下，可以容易地阻断毫米波并且防止毫米波泄漏到外部。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかしながら、ミリ波では（特に固定位置間や既知の位置関係の信号伝送との併用時は）、ミリ波は容易に遮蔽でき、外部に漏れないようにでき、安定度の低い搬送波を伝送に使用することができ、回路規模の増大を抑えることができる。

然而，在毫米波的情况下 (特别是结合在固定位置之间或处于已知的位置关系下的信号发送使用时 )，可能容易地屏蔽毫米波，防止毫米波泄漏到外部，因此防止电路规模的增加。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、本実施の形態では情報記録媒体の例として次世代ディスクであるBD−ROM Discを例に挙げているが、あくまでも例であり、本実施の形態のアプリケーション及びデータ構造をDVDなどの光ディスクや他の情報記録媒体である、メモリーカード（SDメモリーカードやメモリースティックなど）やハードディスクなどに書き込む場合でも同様の効果を得る。

另外，在本实施例中作为信息记录介质的例子列举了作为次世代盘的 BD-ROM Disc，这只不过是一个例子，将本实施例中的应用程序以及数据结构写入到 DVD等光盘或其它的信息记录介质，即存储卡 (SD存储卡或内存棒等 )或硬盘等也可以得到同样的效果。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、漏れ込み光補正用画素24では、受光領域54のn型半導体領域34がオーバーフロードレイン領域38に接続されており、常にn型半導体領域34とオーバーフロードレイン領域38間が導通状態にある。

在漏光修正用像素 24中，光接收区域 54的 n型半导体区域 34与溢出漏极区域 38连接，从在提供了 n型半导体区域 34与溢出漏极区域 38之间的常导通状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

他にも、連続して入力される3つの左眼用画像・右眼用画像の階調差が閾値以下である、という条件を定めてもよく、また、表示パネル112の駆動周波数や表示パネル112に封入された液晶の応答速度などを考慮して、適宜設定されることが望ましい。

其中，在连续地输入的三个针对左眼的图像与三个针对右眼的图像之间的灰度级差别等于或者低于阀值。 优选地，考虑到显示面板 112的驱动频率和填充显示面板 112的液晶的响应速度，对条件进行适当设置。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、例示的な実施形態においては、信号処理ブロック210および／またはTX漏れ信号フィルタ140によって導入された望ましくない不要周波数変動を補償するために、ハイパスフィルタ（不図示）を追加的に設けても構わない。

举例来说，在一示范性实施例中，可额外地提供高通滤波器 (未图示 )以补偿由信号调节块 210和 /或 TX泄漏信号滤波器 140引入的非所要的频率变化。 - 中国語 特許翻訳例文集

別の例として、マッピングは記号のサブ記号がいつも連続的に送られるような状態でもよく、順序付けられた記号から物理層パケットへのマッピングは記号の最初のサブ記号を伝送する物理層パケットを識別する。

作为另一个实例，映射可以使得总是连续地发送符号的子符号，并且从已排序符号到物理层分组的映射标识携带符号的第一子符号的物理层分组。 - 中国語 特許翻訳例文集

漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部（FD）37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。

如图 8所示，在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部 (FD)37、以及溢出沟道机构 40。 - 中国語 特許翻訳例文集

漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部（FD）37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。

如图 9所示，在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部(FD)37、以及溢出沟道机构 40。 - 中国語 特許翻訳例文集

例示的な方法によると、AFEの第1の入力段が、高入力インピーダンスを有し、画像センサ画像アレイの第1の所定の領域における入力漏れ電流をほぼ引き出さない、連続時間増幅として動作するように制御される。

根据示例性方法，控制AFE的第一输入级以作为具有高输入阻抗并且基本上没有针对成像传感器图像阵列的第一预定区域的输入漏电流拉出的连续时间放大器来操作。 - 中国語 特許翻訳例文集

データ転送回路18aと基準電圧駆動回路19aでも、列選択信号が出力されて高レベルである期間では、同様に、データ線10、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の放電が行われ、電位が低下するが、それぞれの回路特性から、データ線10、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の電位変化は、例えば図7（4）に示すようになる。

在数据传输电路 18a与基准电压驱动电路 19a中，在列选择信号被输出而处于高电平的期间内，同样地进行数据线 10、基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3的放电，虽然电位会下降，然而根据各自的电路特性，数据线 10、基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3的电位变化例如将成为图 7(4)所示那样。 - 中国語 特許翻訳例文集

インターロックを構成すること、および／または、フィルタコーティングを施すことにより、複写アセンブリの実質的にフラットな透明表面からレーザ印刷アセンブリのレーザ光の漏れを防ぐ、または、低減することができる。

配置互锁装置和 /或提供滤镜涂层可以减少或防止激光打印配件的激光通过复印配件的实质上平坦的透明表面而射出。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1実施の形態に係る固体撮像装置31は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第一实施例的固体摄像装置 31具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集

第2実施の形態に係る固体撮像装置61は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第二实施例的固体摄像装置 61具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集

第3実施の形態に係る固体撮像装置63は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第三实施例的固体摄像装置 63具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集

符号化するステップは、データチャネルの現在の符号レートの関数である出力符号長Kを決定するステップと、ブロック符号化マトリクスに少なくともK列を提供するように、それを反復するステップと、反復ブロック符号化マトリクスの最初のK列を使用して、制御信号からデータチャネル上に符号化された制御信号を生成するステップとを含む。

所述编码包括将输出编码长度K确定为数据信道的当前编码率的函数，重复块编码矩阵以向其提供至少K行，以及利用重复的块编码矩阵的前K行在数据信道上从控制信号生成编码的控制信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、一実施形態に従って、符号化するステップは、データチャネルの現在の符号レートの関数として、出力符号長Kを決定するステップと、ブロック符号化マトリクスに少なくともK列を提供するように、それを反復するステップと、反復ブロック符号化マトリクスの最初のK列を使用して、入力制御信号からデータチャネル上に符号化された制御信号を生成するステップとを含む。

此外，根据实施方式，编码包括将输出编码长度 K确定为数据信道的当前码速率的函数，重复块编码矩阵以给它提供至少 K行，以及利用重复的块编码矩阵的前 K行在数据信道上从输入控制信号生成编码的控制信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

ユーザプリファレンス254は、ユーザが音声コマンドによって、例えばウェブ検索よりも連絡先に電話することを通常は意図すること、またはユーザがカウントダウンタイマを使用するよりも、直ちにコマンドが起動されるのを好むことを示す値など、特定のユーザのためのカスタム閾値を含むことができる。

用户偏好 254可以包括： 用于特定用户的定制阈值，诸如用于指示用户一般通过语音命令例如意欲呼叫联系人而不是执行 web搜索的值； - 中国語 特許翻訳例文集