「らんげーじ」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

PMOSトランジスタPT311のソースおよびPMOSトランジスタPT312のソースが電源電位VDDに接続されている。

PMOS晶体管 PT311的源极和 PMOS晶体管 PT312的源极连接至电源电势 VDD。 - 中国語 特許翻訳例文集

英語が苦手なのでボディーランゲージで会話しています。

因为我不擅长英语，所以用肢体语言说话。 - 中国語会話例文集

共通の制御端47は、NMOSトランジスタ52のゲート端子に直接接続され、インバータ53を介してPMOSトランジスタ50のゲート端子に接続され、また、PMOSトランジスタ54，55の各ゲート端子に接続されている。

公共的控制端 47与 NMOS晶体管 52的栅极端子直接连接，经由反相器 53与 PMOS晶体管 50的栅极端子连接，连还接到 PMOS晶体管 54、55的各栅极端子。 - 中国語 特許翻訳例文集

制御端47は、NMOSトランジスタ52のゲート端子に直接接続され、インバータ53を介してPMOSトランジスタ50のゲート端子に接続され、また、PMOSトランジスタ54，55の各ゲート端子に接続されている。

控制端 47与 NMOS晶体管 52的栅极端子直接连接，经由反相器 53与 PMOS晶体管 50的栅极端子连接，还与 PMOS晶体管 54、55的各栅极端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図4】図4は、通信モードエントランス処理の実現形態を示す。

图 4图示了通信模式进入过程的实现。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランジスタ203の全てのトランスファゲート制御ゲートは、画素203の各行内で互いに接続されている。

晶体管 203的所有传送门控制栅极在每一像素 210行内连接在一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランジスタ303の全てのトランスファゲート制御ゲートは、画素310の各行内で互いに接続されている。

晶体管 303的所有传送门控制栅极在每一像素 310行内连接在一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

全てのトランジスタ103のトランスファゲート制御ゲートは、画素110の各行内で互いに接続されている。

晶体管 103的所有传送门控制栅极在每一像素 110行内连接在一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ25，26のゲート幅Wは、それぞれ同じ2μmである。

并且，所串联连接起来的 2个 NMOS晶体管 25、26的栅极宽度 W分别都为 2μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

直列接続される2つのNMOSトランジスタ27，28のゲート幅Wは、それぞれ同じ4μmである。

所串联连接起来的 2个 NMOS晶体管 27、28的栅极宽度 W分别都为 4μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

直列接続される2つのNMOSトランジスタ33，34のゲート幅Wは、それぞれ同じ3μmである。

所串联连接的 2个NMOS晶体管 33、34的栅极宽度 W都为 3μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

直列接続される2つのNMOSトランジスタ35，36のゲート幅Wは、それぞれ同じ5μmである。

所串联连接的 2个 NMOS晶体管 35、36的栅极宽度 W都为 5μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ40，41のゲート幅Wは、それぞれ同じ7μmである。

并且，所串联连接的 2个 NMOS晶体管 40、41的栅极宽度 W都为 7μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ25，26のゲート幅Wは、それぞれ同じ2μmである。

并且，所串联连接的 2个 NMOS晶体管 25、26的栅极宽度 W分别都为 2μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ30，31のゲート幅Wは、それぞれ同じ1μmである。

并且，所串联连接的 2个 NMOS晶体管30、31的栅极宽度 W分别都为 1μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、このゲート電位Vgの電位変化に連動して、駆動トランジスタN2のソース電位Vsも押し下げられる（図15（E）、図16（E））。

与所述栅极电位 Vg的电位变化所关联，所述驱动晶体管 N2的源极电位 Vs也减小(图 15E，图 16E)。 - 中国語 特許翻訳例文集

グランド側の2つのNMOSトランジスタ26，28ではNMOSトランジスタ26のゲート端子にn列目のレジスタ回路17が保持する1ビットデータReg．Data Dnが入力され、また、NMOSトランジスタ28のゲート端子にn＋1列目のレジスタ回路17が保持する1ビットデータReg．Data Dn＋1が入力される。

在电路接地端侧的 2个 NMOS晶体管 26、28处，NMOS晶体管 26的栅极端子被输入第 n列的寄存器电路 17所保持的 1位数据 Reg.Data Dn，另外，NMOS晶体管 28的栅极端子被输入第 n+1列的寄存器电路 17所保持的 1位数据 Reg.Data Dn+1。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図4】トランスポート・ストリームの表現を生成する方法の実施例を示す図である。

图 4是用于产生传输流表示的方法的实施例； - 中国語 特許翻訳例文集

【図5】トランスポート・ストリームの表現を生成する方法の更なる実施例を示す図である。

图 5是用于产生传输流表示的方法的另一实施例； - 中国語 特許翻訳例文集

電源投入時の較正後、トランシーバは補正モードにおいて動作する。

在加电时的校准之后，收发器在校正模式中操作。 - 中国語 特許翻訳例文集

この第2リセットトランジスタTr16は、そのリセットゲートをオーバーフローゲートとし、そのドレインをオーバーフロードレインとした、いわゆるオーバーフロードレイン機構として構成される。

第二复位晶体管Tr16被配置为所谓的溢出沟道机构(overflow drain mechanism)，其具有用作溢出栅极的复位栅极以及用作溢出漏极的漏极。 - 中国語 特許翻訳例文集

グランド側のNMOSトランジスタ26のゲート端子にn列目のレジスタ回路17が保持する1ビットデータReg．Data Dnが入力される。

电路接地端侧的 NMOS晶体管 26的栅极端子被输入第 n列寄存器电路 17所保持的 1位数据 Reg.Data Dn。 - 中国語 特許翻訳例文集

この例では、1行読み出し期間における垂直信号線（VSL1）501、第2負荷トランジスタゲート線622、第2負荷トランジスタ624のソース端子および負荷トランジスタゲート線612における電位変動が示されている。

在该示例中，示出了在一行读出时段期间垂直信号线 (VSL1)501、第二负载晶体管栅极线622、第二负载晶体管624的源极端子、以及负载晶体管栅极线612的电势中的改变。 - 中国語 特許翻訳例文集

別の実施形態では、トランシーバ10は、トランシーバ10を含んだ移動通信装置に電源投入した際にのみ補正モードに入る。

在另一实施例中，收发器 10仅在为包括收发器 10的移动通信装置加电时才进入其估计模式。 - 中国語 特許翻訳例文集

リセットトランジスタ54のソース、および、増幅トランジスタ55のソースは、所定の電源電圧VDDに接続されている。

重置晶体管 54的源极和放大晶体管 55的源极连接到预定电源电压 VDD。 - 中国語 特許翻訳例文集

ある実施形態で、ブルートゥーストランシーバ106は、ブルートゥーストランシーバ106が無線ネットワークトランシーバによって使用される周波数バンドにホッピングすることを妨げるよう、適応周波数ホッピングモードで動作するように構成されてよい。

在一些实施例中，蓝牙收发器 106可被配置为工作于自适应跳频模式，从而禁止蓝牙收发器 106跳入无线网络收发器 104使用的频带。 - 中国語 特許翻訳例文集

負荷MOSトランジスタ51−1〜51−nは画素読み出し時のソースフォロワの電流源として機能する。

当像素被读出时，负载 MOS晶体管 51-1至 51-n用作源极跟随器的电流源。 - 中国語 特許翻訳例文集

負荷MOSトランジスタ151−1〜151−nは画素読み出し時のソースフォロワの電流源として機能する。

当像素被读出时，负载 MOS晶体管 151-1至 151-n用作源极跟随器的电流源。 - 中国語 特許翻訳例文集

この時間の期間全体は、トランシーバの所要時間として言及されることがある。

此整个时期可被称作收发器的周转时间(turnaround time)。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、補助トランジスタ105のゲート−ドレイン間電圧は“VTT”よりも低い“VTT−Vth”になる。

例如，辅助晶体管 105的栅极—漏极间电压成为比“VTT”低的“VTT-Vth”。 - 中国語 特許翻訳例文集

そのスロットゲームは7が並んだときかクレジットがなくなった時点で終了する。

那个老虎机当出现排列7的时候或者是信用值没了的时候游戏结束。 - 中国語会話例文集

かかる実施形態で、ネットワークトランシーバアクティブ信号125（例えば、WiMAX＿ACT又はWLAN＿ACT）は、無線ネットワークトランシーバ104が受信中である場合にブルートゥーストランシーバ106が送信を行うことを妨げるために使用されてよい。

在这些实施例中，网络收发器有效信号 125(例如，WiMAX_ACT或WLAN_ACT)可用于禁止蓝牙收发器 106当无线网络收发器 104正在接收时发送。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランシーバ10の一実施形態例は、図示されるように、トランシーバ回路90に接続されたDC電源80を有する。

如图所示，收发机 10的一个示例性实施例包括连接于收发机电路 90的 DC电源 80。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、転送トランジスタ412は、そのゲート端子が電荷転送線331および332に接続され、そのドレイン端子がフローティングディフュージョンFDを介してリセットトランジスタ413のソース端子と増幅トランジスタ414のゲート端子とに接続される。

此外，传输晶体管 412使其栅极端子连接到电荷传输线 331和 332，并且经由浮动扩散 FD使其漏极端子连接到复位晶体管 413的源极端子和放大晶体管 414的栅极端子。 - 中国語 特許翻訳例文集

近くに大きなフランチャイズ店がオープンしたが、その古いドラッグストアはすぐれたマーチャンダイジングのおかげでよく売れている。

虽然附近新开了家连锁店，但是那家旧药妆店依托于很好的商品推销而生意很好。 - 中国語会話例文集

このようなPNC技術の使用は、MAC−C TDM技術を行うように、ブルートゥーストランシーバ106の送信時間を制限しない。

这些 PNC技术的使用并不像 MAC_C TDM技术一样限制蓝牙收发器 106的传输时间。 - 中国語 特許翻訳例文集

図4は、トランスポート・データストリーム100内でビデオ・シーケンスの表現を生成する本発明の方法の可能な実施例を示す。

图 4示出了本发明方法的可能实现方式，该方法产生传输数据流 100内的视频序列的表示。 - 中国語 特許翻訳例文集

各リセットトランジスタ113Cのゲート電極が共通のリセット線118Cに接続されている。

各个复位晶体管 113C的栅极电极连接到公共复位线 118C。 - 中国語 特許翻訳例文集

実際においては、このトランスコードにかけることのできるコストは有限である。

在实际中，可花费在该转码上的成本是有限的。 - 中国語 特許翻訳例文集

全てのリセットトランジスタ200のゲートは、画素210の各行内で互いに接続されている。

所有复位晶体管 200的栅极在每一像素 210行内连接在一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

全てのリセットトランジスタ300のゲートは、画素310の各行内で互いに接続されている。

所有复位晶体管 300的栅极在每一像素 310行内连接在一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

全てのリセットトランジスタ100のゲートは、画素110の各行内で互いに接続されている。

所有复位晶体管 100的栅极在每一像素110行内连接在一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

全てのリセットトランジスタ101のゲートは、画素110の各行内で互いに接続されている。

所有复位晶体管 101的栅极在每一像素 110行内连接在一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

負荷MOSトランジスタ105は垂直出力線毎に設けられ、ゲートが共通に接続されている。

负载 MOS晶体管 105是对于各个垂直输出线 102设置的。 - 中国語 特許翻訳例文集

このとき、MOSトランジスタ221と定電流源225とで構成されるソースフォロワの出力はVRSである。

此时，包含 MOS晶体管 221和恒流源 225的源跟随器的输出为 VRS。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、選択トランジスタ147のゲート電極への選択パルスSELの印加が停止される。

另外，停止将选择脉冲 SEL施加至选择晶体管 147的栅电极。 - 中国語 特許翻訳例文集

PチャネルMOSトランジスタ21のゲートには、差動入力信号の一方の信号IN1が入力される。

差分输入信号的一个信号 IN1进入 P沟道 MOS晶体管 21的栅极。 - 中国語 特許翻訳例文集

PチャネルMOSトランジスタ22のゲートには、差動入力信号の他方の信号IN2が入力される。

差分输入信号的另一个信号 IN2进入 P沟道 MOS晶体管 22的栅极。 - 中国語 特許翻訳例文集

この新聞は文芸欄を増設して，1ページの6段の場所を占めている．

这张报纸增辟了一个文艺副刊，版面占六栏地位。 - 白水社 中国語辞典

ディスパッチャ17は、UOから、現在の再生装置におけるモードに適切なUOのみを選んで、そのモードを実行するモジュールに受け渡す。

调度器 17从 UO中仅选择适合于当前的再生装置的模式的 UO，传递给执行该模式的模组。 - 中国語 特許翻訳例文集