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次に、図9を用いて省電力動作モード1の状態から省電力動作モード2への移行について説明する。

下面,参照图 9,描述从节电操作模式 #1切换到节电操作模式 #2的操作。 - 中国語 特許翻訳例文集

次に、図12を用いて省電力動作モード2の状態から省電力動作モード3への移行について説明する。

以下参照图 12描述从节电操作模式 #2切换到节电操作模式 #3的操作。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間t19から期間t22では、転送トランジスタ22の制御電極への供給電圧をVtrg3として同様の動作を繰り返して実行する。

在时段 t19到时段 t22期间,在将电压 Vtrg3供应到转移晶体管 22的控制电极的情况下,与上面相同的操作被重复执行。 - 中国語 特許翻訳例文集

第2回動軸線L2は、第1回動軸線L1に対し支持部材93の径方向に所定距離だけ離間させられている。

第二旋转轴线 L2沿支承部件 93的径向方向与第一旋转轴线 L1间开预定距离。 - 中国語 特許翻訳例文集

長蓄積動作の露光時間511は、1垂直同期期間より長く、フィールドの周期に対して長い。

在较长蓄积时段操作 (第一操作模式 )中的曝光时段 511比一个垂直同步时段长,并且与一个场周期相比而言较长。 - 中国語 特許翻訳例文集

以下、露光時間が垂直同期期間より短い場合も、長い場合も、外部CPUからの通信タイミングが変わらない動作を説明する。

在下文中,描述在其中不管曝光时段比垂直同步时段短还是长由外部 CPU开始的通信的定时都相同的操作。 - 中国語 特許翻訳例文集

同図には、周波数領域が12サブキャリアで構成され、1サブフレームが14シンボルで構成された1リソースブロックが図示されている。

频域由 12个子载波构成,1个子帧由 14个符号构成。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、複数ある受信側の半導体チップ203は、その中の1つのみ(図では半導体チップ203B_1)が注入同期に対応した構成を持っているが、残りの全て(図では半導体チップ203A,203B_2)は、注入同期に対応していない。

在接收侧的多个半导体芯片 203中只有一个 (在图中,只有半导体芯片 203_1)具有准备好注入锁定的配置。 然而,所有剩余的半导体芯片 (在图中,半导体芯片 203A和203B_2)没有准备注入锁定。 - 中国語 特許翻訳例文集

上述したように、移動部材20が上側方向に移動することにより、図11および図12に示すように、前記ガイド部材10は移動部材20の他方(下部)端部まで移動してカバー5は完全に開くようになり、弾性ユニット30の各回転板40はヒンジピン31を中心としてそれぞれ回転しながら移動部材20の移動方向に傾いた状態になる。

如上所述,随着移动部件 20向上移动,如图 11及图 12所示,所述导引部件 10变成与移动部件 20的另一侧结合的状态,而盖体 5完全开启,弹性单元 30的各旋转板 40分别以销轴 31为中心旋转而变成与移动部件 20的移动方向倾斜的状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

図18は、ALMベースでの分散型の選択的かつ動的なミキシングを実行するMCUの動作の主たるステップを示しており、図19は、MHLテーブル構築方法のステップを示しており、図20は、DAMSテーブル作成のステップを示しており、図21は、ALM−MCUノードのミキシング動作のステップを示しており、図22は、強制ミキシング動作のステップを示しており、図23は、選択的ミキシング動作のステップを示している。

图 18表示基于 ALM的分散型选择性动态混合的 MCU的操作的主要步骤,图 19表示 MHL表构建方法的步骤,图20表示 DAMS表生成的步骤,图 21表示 ALM-MCU节点的混合操作的步骤,图 22表示强制性混合操作的步骤,图 23表示选择性混合操作的步骤。 - 中国語 特許翻訳例文集


続いて、問合せステップ32において、受信されたデータフレーム10が、較正メッセージとしての利用に適しているかどうかか検証される。

接着,在询问步骤 32检查: 所接收的数据帧 10是否适于用作校准消息。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、駆動ベルト18の一端縁部18xと他端縁部18yとは同一構造でキャリッジフレーム15に固定される。

另外,驱动传动带 18的一端缘部 18x和另一端缘部 18y结构相同,固定在滑架框架 15上。 - 中国語 特許翻訳例文集

そのような判定は、例えばメモリ204に広告が記憶されたかどうかを判定することによって、プロセッサ202によって行われ得る。

例如,该确定可以由处理器202通过确定此广告是否存储在存储器 204中来进行。 - 中国語 特許翻訳例文集

このイニシャル動作後、実施例1で説明した省電力動作モード2の状態に移行する。

然后,操作模式如上述的第一实施例的那样被切换到节电操作模式 #2。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図20】同実施形態に係るセンサノードで実施される動的変更処理について説明するための流れ図である。

图 20是图示根据实施例的传感器节点执行的动态改变处理的流程图; - 中国語 特許翻訳例文集

【図23】同実施形態に係るセンサノードで実施される動的変更処理について説明するための流れ図である。

图 23是图示根据实施例的传感器节点执行的动态改变处理的流程图; 及 - 中国語 特許翻訳例文集

後ブロックの同期ヘッダ203は、処理対象の中間ブロックの後に受信したブロックの同期ヘッダの値である。

后一块的同步头 203是在处理对象的中间块之后接收到的块的同步头的值。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらなる態様においては、直交カバー(OC)割り当てモジュール410は、リソース送信のために追加の未使用のOCを利用可能であるかどうかを決定するために動作可能であることができる。

在另一个方面中,正交叠加 (OC)指派模块 418可以操作为确定是否存在额外未用的 OC可用于资源传输。 - 中国語 特許翻訳例文集

広告を検索した後、モバイル・デバイス102は、ブロック410において、広告終了値が期限切れかどうかを再び判定し、またはブロック408において、検索された広告を提供し得る。

在获取广告之后,移动设备 102可以在框 410处再次确定广告到期值是否已期满,或者可以在框 408处渲染所获取的广告。 - 中国語 特許翻訳例文集

以上のステップS1乃至S3の処理より、固体撮像装置100の全画素が同時に露光を開始し、同時に露光を終了するグローバル露光が2回連続して行われる。

由于上述步骤 S1~步骤 S3的处理,固态成像装置 100的所有像素的曝光同时开始,且以连续的方式执行两次曝光同时完成的全域曝光。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、VSYNC_INは、本撮像装置で用いる垂直方向のタイミングを計るための信号(垂直同期信号)、HSYNC_INは、同水平方向のタイミングを計るための信号(水平同期信号)であり、クロックと一緒に図1の同期信号生成部10から与えられる。

其中,VSYNC_IN是本摄像装置中用于测定垂直方向时刻的信号即垂直同步信号,HSYNC_IN是本摄像装置中用于测定水平方向时刻的信号即水平同步信号,图 1所示的同步信号生成部 10提供 VSYNC_IN、HSYNC_IN以及时钟。 - 中国語 特許翻訳例文集

このような構成にすると、電動移動体50と充電装置40との間で充電量の情報をやり取りする必要がなくなり、動作が単純化される。

如果采用这样的构造,则操作将简化,因为在电动移动体 50与充电设备 40之间关于充电瓦时的信息的交换将是不必要的。 - 中国語 特許翻訳例文集

このような構成にすると、電動移動体50と充電装置40との間で充電量の情報をやり取りする必要がなくなり、動作が単純化される。

如果采用这样的构造,则操作将简化,因为在电动移动体 50与充电设备 40之间将不必交换关于充电瓦时的信息。 - 中国語 特許翻訳例文集

X軸モータ63が正回転または逆回転することにより、スクリュー65が正回転または逆回転し、Xステージ61が、X軸の右方向(正方向)または左方向(負方向)に移動する。

通过 X轴电机 63的正转或反转,会使螺杆 65正转或反转,使 X台 61在 X轴的右方向 (正方向 )或左方向 (负方向 )移动。 - 中国語 特許翻訳例文集

一般的な概念として、高速なパケット処理を可能とするには、各構成要素の動作速度を決定する主要因の一つであるクロック信号を高速にすることが一つの手段であるが、内部の半導体集積回路の動作高速化のために消費電力も上昇する。

一般的概念是,为了能够进行高速数据包处理,将决定各个构成要素的动作速度的主要因素之一的时钟信号设为高速是一种方法,但由于内部的半导体集成电路的动作高速化,消耗功率也上升。 - 中国語 特許翻訳例文集

同様に、本明細書で利用される「CMOS」という用語は、例えばこれら異なる材料構造を利用する新興している半導体技術により形成された画像デバイスセンサを含むことが意図されている。

类似地,这里使用的“CMOS”旨在包括例如根据利用此类不同材料结构的新兴半导体技术形成的图像设备传感器。 - 中国語 特許翻訳例文集

自動原稿送り装置ADFの原稿載置台103に載置された原稿Dは、一枚ずつに分離され原稿搬送路に送り出され、搬送ドラムにより搬送される。

载置于自动输送原稿装置 ADF的原稿载置台 103的原稿 D,被逐张分离而输送到原稿输送路,并通过输送鼓被输送。 - 中国語 特許翻訳例文集

清掃板31Aがホームポジションに達するまで移動したことが検出されると(S227でYES)、S229で駆動制御部502は清掃板31Aの駆動機構に対して制御信号を出力し清掃板31Aの稼動を停止させる。

当检测到清洁板 31A已移动到起始位置时 (S227中的是 ),在 S229中,驱动控制单元 502将控制信号输出到用于清洁板 31A的驱动机构,并且清洁板 31A的操作停止。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図3】マルチパス処理が実行される前に同期チャネル(SCH)消去を実行するように構成された移動局内に含むことができるいくつかの構成要素を示す図。

图 3解说了配置成在执行多径处理之前执行同步信道 (SCH)消去的移动站内可包括的某些组件; - 中国語 特許翻訳例文集

第1撮像モードのときには、以上のような第1行および第2行についての動作、これに続く第3行および第4行についての動作に続いて、以降、第5行から第M行まで同様の動作が行われて、1回の撮像で得られる画像を表すフレームデータが得られる。

在第 1摄像模式时,如以上那样的关于第 1行及第 2行的动作、及关于紧接其后的第 3行及第 4行的动作,之后,从第 5行至第M行为止进行同样的动作,而获得表示1次摄像所获得的图像的帧数据。 - 中国語 特許翻訳例文集

移動交換局MSCも、ケーブルまたはリンクにより固定された公衆電話ネットワークまたは同様な固定された通信ネットワークに接続される。

MSC还可通过电缆或链路而连接到固定公共电话网络或类似的固定通信网络。 - 中国語 特許翻訳例文集

移動検出部106cは、カメラ100の本体を前面から見た場合の前後方向(即ち、レンズ1021の光軸に沿った方向)であるZ方向に沿ったカメラ100の移動を検出する。

移动检测部 106c检测照相机 100沿着 Z方向的移动,所述 Z方向是从前面观察照相机 100的主体时的前后方向 (即沿着镜头 1021的光轴的方向 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

2. 上記構図判定手段は、上記被写体の目標位置について、撮像部の撮像光軸に対応する上記画像内の基準位置に対する水平方向における目標水平移動量、及び上記基準位置に対する垂直方向における目標垂直移動量として求め、上記予備位置取得手段は、上記予備位置について、上記目標水平移動量と上記ズーム倍率とにより算出した制御水平移動量、及び上記目標垂直移動量とズーム倍率とにより算出した制御水平移動量として求め、上記可動機構部制御手段は、上記制御水平移動量に応じて決まるX座標、及び上記制御垂直移動量に応じて決まるY座標に、上記被写体に設定した重心が位置するようにして、可動機構部を制御する、請求項1に記載の構図制御装置。

2.如权利要求 1所述的构图控制设备,其中所述构图确定装置获得相对于与所述成像部的成像光轴相对应的图像中的基准位置的水平方向上的水平移动目标量和相对于该基准位置的垂直方向上的垂直移动目标量,作为所述对象的目标位置,其中所述初步位置获得装置获得根据所述水平移动目标量和所述变焦放大率计算出的控制水平移动量以及根据所述垂直移动目标量和所述变焦放大率计算出的控制垂直移动量,作为所述初步位置,并且其中所述可移动机构部控制装置控制所述可移动机构部,以使在所述对象中设置的重心位于根据所述控制水平移动量确定的 x坐标和根据所述控制垂直移动量确定的 y坐标上。 - 中国語 特許翻訳例文集

漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部(FD)37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。

如图 8所示,在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部 (FD)37、以及溢出沟道机构 40。 - 中国語 特許翻訳例文集

漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部(FD)37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。

如图 9所示,在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部(FD)37、以及溢出沟道机构 40。 - 中国語 特許翻訳例文集

複数ある受信側の半導体チップ203Bは、その中の1つのみ(図では半導体チップ203B_1)が注入同期に対応した構成を持っているが、残りの全て(図では半導体チップ203B_2)は、注入同期に対応していない。

只有接收侧的多个半导体芯片 203B中的一个 (在图 11中,只有半导体芯片203B_1)具有准备好注入锁定的配置。 然而,所有剩余的半导体芯片 (在图 11中,半导体芯片 203B_2)没有准备好用于注入锁定。 - 中国語 特許翻訳例文集

いくつかの実施では、ユーザ108が暗黙的な動作の起動をキャンセルした場合(例えば、ユーザ108は、キャンセルコントロール132を選択することによって、動作124aの暗黙的な起動をキャンセルすることができる)、リスト138は、キャンセルされた動作に対応するリスト項目を含まなくてよい。

在一些实施方式中,如果用户 108取消隐含动作的调用 (例如,用户 108可以通过选择取消控件 132来取消动作 124a的隐含调用 )。 则列表 138可以不包括用于所取消的动作的对应列表项目。 - 中国語 特許翻訳例文集

原稿読取装置14は、自動原稿搬送装置12の下部に設けられた筐体41の上部にプラテンガラス43が取り付けられている。

在原稿读取装置 14中,稿台玻璃 43安装至设置在自动原稿供给装置 12的下部的壳体 41的上部。 - 中国語 特許翻訳例文集

図1に示した斜め方向ボタン24をユーザが押下することにより、取得部112は斜め方向へ移動の指示を取得する(ステップS206)。

当用户按压图 1中示出的斜向按钮 24时,获取单元 112获取在斜向上移动的指示(步骤 S206)。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図6】図5の判断動作における光源の点灯/消灯タイミングと原稿の読み取りタイミングを示すタイミングチャートである。

图 6是表示在图 5的判断动作中的光源的点亮 /熄灭定时和原稿的读取定时的定时图。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、後述するように、待機系100bは、ネットワーク中継装置1000の動作モードの変更処理にも利用される。

并且,如后所述,待机体系 100b也用于网络中继装置 1000的动作模式的变更处理。 - 中国語 特許翻訳例文集

一実施形態において、勾配強度が閾値にウインドウ値を加算した値より大きい場合、閾値指定勾配強度は1に設定される。

在一个实施例中,如果梯度大小大于阈值加上窗口值,则将阈值梯度设定为 1。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、読み取り装置50は、ハーフレートキャリッジ54および光源55を備えたフルレートキャリッジ53を、副走査方向に移動させるモータ等の駆動源(不図示)を備えている。

读取装置 50包括驱动源 (未示出 ),例如马达,用于在副扫描方向上移动半速滑架 54和包括光源 55的全速滑架 53。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図1】移動通信システムの一例としてE−UMTSネットワーク構造を概略的に示した図である。

图 1是作为移动通信系统示例的 E-UMTS网络结构的示意图; - 中国語 特許翻訳例文集

このため、図12に示す撮像装置500と同様の構成についての詳細な説明は省略する。

于是,省略与图 12中图解说明的摄像设备 500类似的结构的详细说明。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図20】実施例2における顔の光軸方向での移動を撮影画面上で示した図。

图 20示出实施例 2中包括在光轴方向上移动的面部的摄像视野。 - 中国語 特許翻訳例文集

いくつかの実施形態では、マイクロリング1302は真性半導体から構成される。

在特定实施例中,微环 1302包括本征半导体。 - 中国語 特許翻訳例文集

記録媒体1012は、半導体メモリ等を含んで構成され、着脱が可能である。

记录介质 1012包括例如半导体存储器,并且是可拆装的。 - 中国語 特許翻訳例文集

このようにPON区間80の両端におけるOLT10とONU20の状態遷移が同期して実行される。

这样,PON区间 80的两端的 OLT10和 ONU20的状态转移同步执行。 - 中国語 特許翻訳例文集

以下では、上記処理を実現するために移動局12が備える構成について説明する。

以下,说明移动站 12为了实现上述处理而具备的结构。 - 中国語 特許翻訳例文集

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