「れいにもれず」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

さらに、1または複数の実施形態にしたがって方法を実現するために、必ずしも例示された全ての動作が必要とされる訳ではない。

此外，根据一个或一个以上实施例，可能不需要所有所说明的动作来实施方法。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、1または複数の実施形態にしたがって方法を実現するために、必ずしも例示されたすべての動作が必要とされる訳ではない。

此外，根据一个或多个实施例，并非需要所有示出的动作来实现方法。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、1または複数の実施形態にしたがって方法を実現するために、必ずしも例示されたすべての動作が必要とされる訳ではない。

此外，并非所有例示的动作皆为实现根据一个或多个实施例的方法集所必要的。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、1または複数の実施形態にしたがって方法を実現するために、必ずしも例示されたすべての動作が必要とされる訳ではない。

此外，为了实现依据一个或多个实施例的方法，可能并不需要全部示出的操作。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、1または複数の実施形態にしたがって方法を実現するために、必ずしも例示された全ての動作が必要とされる訳ではない。

此外，执行依照一个或多个实施例的方法并不是需要所有示出的动作。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、1または複数の実施形態にしたがって方法を実現するために、必ずしも例示されたすべての動作が必要とされる訳ではない。

此外，根据一个或一个以上实施例，实施一方法可能并不需要所有所说明的动作。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、1または複数の実施形態にしたがって方法を実現するために、必ずしも例示された全ての動作が必要とされる訳ではない。

此外，并不是需要所有示出的动作来执行依照一个或多个实施例的方法。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、1または複数の実施形態にしたがって方法を実現するために、必ずしも例示されたすべての動作が必要とされる訳ではない。

此外，为了实现根据一个或多个实施例的方法，并非所示出的全部操作都是必需的。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、1または複数の実施形態にしたがって方法を実現するために、必ずしも例示されたすべての動作が必要とされる訳ではない。

此外，执行依照一个或多个实施例的方法可能并不需要所有示出的动作。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここに説明される、いずれの態様あるいは設計(design)も、「例示的な(exemplary)」であって、他の態様あるいは設計よりも、好ましいまたは有利であるものとして、必ずしも解釈されるべきではない。

本文中描述为“示例性”的任何方面或设计不必被解释为优于或胜过其他方面或设计。 - 中国語 特許翻訳例文集

図2Bは、作動経路のうちの1つに関する故障状態により、保護切替が発生した状況（図2Bの（b）部分を参照されたい）も例示する。

图2B还图示了当由于在工作路径之一上的故障状况而已经发生保护切换时的情形 (参见图 2B的 (b)部分 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

干渉の例は、他のソース（sources）から由来したジャマー（jammers）のみならず、受信機と同一場所に配置された（co-located）送信（TX）信号経路からの漏れで生じるTXジャマー（jammers）を含む可能性がある。

干扰的实例可包括由来自与接收器处于同一地点的发射(TX)信号路径的信号泄漏而引起的 TX干扰，以及从其它信号源得到的干扰。 - 中国語 特許翻訳例文集

図3に示されている例示的プロセス（300）は単に、本明細書に記載したいくつかの原理に従ってネットワークタスクを実行するために実装され得るプロセスタイプを例示していて、単に接続を確立するために実装され得るプロセスタイプも例示しているに過ぎないことを十分理解されたい。

应理解，图 3中所示的示例性过程 300只是说明可被实现以用于根据本文描述的一些原理来执行联网任务的各种类型的过程，并且只是说明可被实现用于建立连接的各CN 10202771249 AA 说 明 书 10/17页种类型的过程。 - 中国語 特許翻訳例文集

図8は、パルスのターゲット数Npの計算からTX漏れ信号を省略または“フィルタアウト（filter out）”するために設計されたステップ610の例示的な実施形態を描く。

图 8描绘经设计以根据目标脉冲数目 Np的计算而忽略或“滤去”TX泄漏信号的步骤 610的一示范性实施例。 - 中国語 特許翻訳例文集

漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部（FD）37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。

如图 8所示，在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部 (FD)37、以及溢出沟道机构 40。 - 中国語 特許翻訳例文集

漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部（FD）37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。

如图 9所示，在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部(FD)37、以及溢出沟道机构 40。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、例示的な実施形態においては、信号処理ブロック210および／またはTX漏れ信号フィルタ140によって導入された望ましくない不要周波数変動を補償するために、ハイパスフィルタ（不図示）を追加的に設けても構わない。

举例来说，在一示范性实施例中，可额外地提供高通滤波器 (未图示 )以补偿由信号调节块 210和 /或 TX泄漏信号滤波器 140引入的非所要的频率变化。 - 中国語 特許翻訳例文集