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「ウェル」を含む例文一覧
該当件数 : 17件
ウェルテル．
维特
- 白水社 中国語辞典
ライトウェルター級．
轻中量级 - 白水社 中国語辞典
レアよりもウェルダンがお好みですよね？
和半熟的相比你更喜欢全熟的吗? - 中国語会話例文集
生徒達は授業でウェルギリウス風の詩を習った。
学生们在课堂上学习了维吉尔风格的诗。 - 中国語会話例文集
その監視社会批判はオーウェル風の考え方に立脚している。
那个监视社会批判立足于奥威尔式的观点。 - 中国語会話例文集
また、N型埋め込み層184とN型基板181との間において、P型ウェル層182が薄く形成されている。
此外，P型阱层 182在 N型嵌入层 184和 N型基板 181之间形成得较薄。 - 中国語 特許翻訳例文集
電磁気学はマクスウェルの方程式とローレンツ力に基づいています。
电磁气学是基于麦克斯韦方程组和洛伦兹力上的。 - 中国語会話例文集
多くの銀行が若いニューリッチをウェルス・マネジメント業務の顧客候補として位置づけている。
很多银行将年轻新富定位于理财产品的潜在客户。 - 中国語会話例文集
第1実施の形態に係る固体撮像装置31は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。
第一实施例的固体摄像装置 31具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集
第2実施の形態に係る固体撮像装置61は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。
第二实施例的固体摄像装置 61具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集
第3実施の形態に係る固体撮像装置63は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。
第三实施例的固体摄像装置 63具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集
相対力指数はJ・ウェルズ・ワイルダーが考案したもので、金融市場分析で最も広く利用されるテクニカル指標の1つになっている。
相对强弱指数是J.威尔斯.威尔德首创，已成为在金融市场分析中使用最普遍的技术指标之一。 - 中国語会話例文集
漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部（FD）37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。
如图 8所示，在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部 (FD)37、以及溢出沟道机构 40。 - 中国語 特許翻訳例文集
漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部（FD）37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。
如图 9所示，在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部(FD)37、以及溢出沟道机构 40。 - 中国語 特許翻訳例文集
第1実施例では、画素20内の選択トランジスタ25をオフときに、そのゲート電圧を当該選択トランジスタ25が形成されているウェルの電圧よりもオフ側、本例では負電圧に設定することを特徴としている。
第一实施例的特征在于，当像素 20的选择晶体管 25被关断时，其栅极电压被设为一电压也就是负电压，该电压距关断侧比距其中形成了选择晶体管 25的阱的电压更近。 - 中国語 特許翻訳例文集
単位画素100において、フォトダイオード101は、例えば半導体基板111上に形成されたP型ウェル層112に対して、P型層113を表面に形成してN型埋め込み層114を埋め込むことによって形成される、埋め込み型フォトダイオードである。
在单位像素 100中，光电二极管 101通常是通过在形成在半导体基板 111上的 P型阱层 112的表面上形成 P型层 113并在 P型层 113下面嵌入 N型嵌入层 114而形成的嵌入光电二极管。 - 中国語 特許翻訳例文集
フォトダイオード141は、例えば、N型基板181上に形成されたP型ウェル層182に対して、P型層183を基板表面側に形成してN型埋め込み層184を埋め込むことによって形成される埋め込み型フォトダイオードである。
光电二极管 141例如为嵌入式光电二极管，它是通过在基板表面一侧上形成 P型层 183，并相对于形成在 N型基板 181上的 P型阱层 182嵌入 N型嵌入层 184而形成的。 - 中国語 特許翻訳例文集
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