「オーバーフロー領域」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

そして、受光領域54のn型半導体領域34とオーバーフロードレイン領域40のオーバーフロードレイン領域38とが接続される。

光接收区域 54的 n型半导体区域 34与溢出沟道机构 40的溢出漏极区域 38连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

オーバーフローゲート電極（OFG）43は、第2リセットゲート電極に相当し、オーバーフローどれ印領域38は、リセットドレイン領域に相当する。

溢出栅极电极 (OFG)43相当于第二复位栅极电极，而溢出漏极区域 38相当于复位漏极区域。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、漏れ込み光補正用画素24では、受光領域54のn型半導体領域34がオーバーフロードレイン領域38に接続されており、常にn型半導体領域34とオーバーフロードレイン領域38間が導通状態にある。

在漏光修正用像素 24中，光接收区域 54的 n型半导体区域 34与溢出漏极区域 38连接，从在提供了 n型半导体区域 34与溢出漏极区域 38之间的常导通状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部（FD）37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。

如图 8所示，在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部 (FD)37、以及溢出沟道机构 40。 - 中国語 特許翻訳例文集

漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部（FD）37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。

如图 9所示，在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部(FD)37、以及溢出沟道机构 40。 - 中国語 特許翻訳例文集