「カプラ」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

これにより、カプラ150とカプラ250との間で電界結合が生じて通信が行われる。

于是，在耦合器 150和耦合器 250之间就产生了电场耦合并能进行通信。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、この基板170上にカプラ150が形成されている。

在基片170上形成耦合器 150。 - 中国語 特許翻訳例文集

図4DはY型カプラ441を示し、その2つが直列接続されて調整可能カプラ434を実装することができる。

图 4D示出了 Y-耦合器 441，可以串联两个 Y-耦合器以实现可调耦合器 434。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、同様の熱−光カプラが導波回路402で使用されてもよい。

注意，可以在波导回路 402中使用类似的热光耦合器。 - 中国語 特許翻訳例文集

図4B−Cは調整可能カプラ434の2つの代表実施例の模式図を示す。

图 4B-C示出了可调耦合器 434的两个代表性实施例的示意图。 - 中国語 特許翻訳例文集

MZI431は2つの50／50方向性カプラ435a−b及び1つの熱−光位相シフタ437を有する。

MZI 431具有两个 50/50定向耦合器 435a-b和热光移相器 437。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図3】送信装置100の外筐110におけるカプラ150の配置状態例を示す図である。

图 3A到 3C示出发送装置的外壳中的耦合器的配置实例。 - 中国語 特許翻訳例文集

カプラ150においては、例えば通信処理部140からの送信信号を放射器151に印加する。

在耦合器 150中，例如，来自通信处理单元 140上的传输信号被施加到发射器 151上。 - 中国語 特許翻訳例文集

実際には、カプラ150は外筐110における一部を占有するにすぎない程度のサイズである。

实际上，耦合器 150的尺寸只占据外壳 110中的一部分。 - 中国語 特許翻訳例文集

これら受信装置200側の外筐210、制御部220、メモリ230、通信処理部240、およびカプラ250の構成は、それぞれ、送信装置100側の外筐110、制御部120、メモリ130、通信処理部140、およびカプラ150と同じでよい。

在接收装置 200侧的外壳 210、控制单元 220、存储器 230、通信处理单元 240和耦合器 250的配置分别与发送装置 100侧的外壳 110、控制单元 120、存储器 130、通信处理单元 140和耦合器 150的结构相同。 - 中国語 特許翻訳例文集

すなわち、図2に示すようにして、送信装置100側のカプラ150の放射器151と、受信装置200側のカプラ250の放射器251と間で電界結合した状態が得られる。

这就是说，如图 2所示，在发送装置 100侧上的耦合器 150的发射器 151和在接收装置 200侧上的耦合器 250的发射器 251之间获得电场耦合状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

つまり、電界受面部166側が同じ送信装置100内のカプラ150（放射器151）に近く、放射面部167側が、図示しない受信装置200側のカプラ250（放射器251）に近いという位置関係となっている。

这就是说，位置关系是，在相同的发射装置侧，电场接收表面部分 166靠近耦合器 150(发射器 151)，而在接收装置 200侧 (未示出 )，发射表面部分 167靠近耦合器 250(发射器 251)。 - 中国語 特許翻訳例文集

熱−光カプラ434は調整可能（tunable）であり、MZIアーム430aと共振器460の間の結合強度を制御するように設計される。

热光耦合器 434是可调的，并且设计用于控制 MZI臂 430a和谐振腔 460之间的耦合强度。 - 中国語 特許翻訳例文集

またさらに、Y型カプラ441は、1つだけの入力導波路と2つの出力導波路が必要となる状況で使用できる。

另外，Y-耦合器 441可以用于只需要一个输入波导和两个输出波导的环境下。 - 中国語 特許翻訳例文集

図4及び10双方を参照すると、導波回路1002は、導波回路402で使用される光スプリッタ420の代わりに熱−光カプラ1020を採用する。

参考图 4和图 10，代替在波导回路 402中使用的光学分束器 420，波导回路 1002采用热光耦合器 1020。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、熱−光カプラ1020によって、最適性能のためにMZI内部アーム1030a−b間の光分配に対する動作上の調整が可能となる。

此外，热光耦合器 1020使得能够实现对 MZI内臂 1030a-b之间的光分布进行可操作的调节以获得最佳性能。 - 中国語 特許翻訳例文集

MZIアーム1030a−bの各々はそれぞれの熱−光カプラ1034を介してそれぞれの光共振器1060に結合される。

MZI臂 1030a-b的每一个经由相应的热光耦合器 1034与相应的光学谐振腔 1060耦合。 - 中国語 特許翻訳例文集

この送信装置100は、その外筐110の内部に、制御部120、メモリ130、通信処理部140、およびカプラ150を備える。

发送装置 100在它的外壳 110中包括控制单元 120、存储器 130、通信处理单元 140和耦合器 150。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、通信処理部240は、カプラ250経由で受信した信号から、データを復調して取得する処理を実行する。

进而，通信处理单元 240对通过耦合器接收的信号执行解调和获取数据的处理。 - 中国語 特許翻訳例文集

まず、図3（a）は、外筐110内にカプラ150が位置している状態を正面方向から見た正面図であるとする。

首先，图 3A是从前面观看的位于外壳 110内的耦合器 150的正视图。 - 中国語 特許翻訳例文集

この図においては、図3（a）および図3（b）と同様に、送信装置100について、外筐110とカプラ150とを抜き出して示している。

在这些图中，如像图 3A和 3B中那样，提取和示出了关于发送装置 100的外壳 110和耦合器 150。 - 中国語 特許翻訳例文集

従って、基板170上に形成されるカプラ150は、送信装置100内に固定して設けられていることになる。

因此，就将在基片 170上形成的耦合器 150固定地装在了发送装置 100之中。 - 中国語 特許翻訳例文集

そのうえで、このカプラ150が形成されている左側近傍には、筐体内樹脂部183が設けられている。

此外，壳内的树脂部分 183安装在靠近其上形成耦合器 150的左侧的地方。 - 中国語 特許翻訳例文集

このようにして、電界補強部材160は、カプラ150を実際に有する装置とは別の装置に設けられてよい。

如上所述，可以将电场增强部件 160装配另一装置中而不是装配在实际上具有耦合器 150的装置中。 - 中国語 特許翻訳例文集

送信装置100側では外筐110において、例えば図8に示した構造に倣って、基板170にカプラ150を形成している。

在发送装置 100侧，在外壳 110中，根据图 8所示的结构，在基片 170上生成了耦合器 150。 - 中国語 特許翻訳例文集

ブロック402において、回路300で受信されたダウンリンク信号は、スイッチ312の上流で、カプラ315によってRF検出器316に接続される。

在框 402处，在电路 300处收到的下行链路信号通过耦合器 315，开关 312的上游，而耦合至 RF检测器 316。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図13】理想的なカプラを用いてシミュレーションした場合の伝達特性を示したグラフである。

图 13是示出用理想耦合器模拟的情形中的传输特性的曲线图； - 中国語 特許翻訳例文集

発明の実施例が、データ変調された駆動信号を位相シフタ（例えば、位相シフタ464）が受信する構成を参照して記載されたが、発明の導波回路はまた、データ変調された駆動信号を光カプラ（例えば、光カプラ434）が受信するように構成することもできる。

尽管已经参考移相器 (例如移相器 464)接收数据调制驱动信号的配置来描述了本发明的实施例，但是本发明的波导回路也可以配置为使得光学耦合器 (例如，光学耦合器 434)接收数据调制驱动信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えばユーザが送信装置100と受信装置200との間でデータ送受信を行わせようとする際には、送信装置100側のカプラ150と受信装置200のカプラ250とが通信可能距離の範囲内となる位置関係により配置させておくようにする。

例如，在用户允许在发送装置 100和接收装置 200之间进行数据传输和接收的情况下，在位置关系上，可以将在发送装置 100侧的耦合器 150和在接收装置 200侧的耦合器 250安装在可通信的距离范围内。 - 中国語 特許翻訳例文集

カプラ315における信号電力レベルが、カプラ315において期待されるレンジの上位20dBにあるとき、マイクロプロセッサ314は減衰器324を動作させ、RF検出器316及びA／D変換器320における信号レベルを20dB減少させる。

当耦合器 315处的信号功率水平处于在耦合器 315处所预期的范围的上限20dB时，微处理器 314使能衰减器 324以将 RF检测器 316和 A/D转换器 320处的信号水平减小 20dB。 - 中国語 特許翻訳例文集

まず図6Aを参照すると、破線602は、カプラが光を交差状態に完全に結合し、それによってその光が共振器460内で完全に一往復してから共振器とほぼ完全に結合を解かれてMZIアーム430aに戻るように熱−光カプラ434が構成されるときの導波回路402の光領域応答曲線を示す。

首先参考图 6A，虚线 602示出了当将热光耦合器 434配置为使得耦合器将光完全耦合到交叉状态 (cross state)、从而使光在谐振腔 460内进行一次完整的往返传播、然后基本上全部耦合出谐振腔并且返回 MZI臂 430a时波导回路 402的光学域响应曲线。 - 中国語 特許翻訳例文集

光タップカプラ15は、2電極MZ変調器14から出力される光多値信号の一部を分岐し、分岐した光多値信号を光出力パワーモニタ16に出力する。

光抽头耦合器 15对从双电极 MZ调制器 14输出的光多值信号的一部分进行分支，将所分支出的光多值信号输出到光输出功率监视器 16。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、上記実施の形態1では、光タップカプラ15および光出力パワーモニタ16が2電極MZ変調器14の外部に設けられていると説明した。

另外，在上述实施方式 1中，说明了光抽头耦合器 15以及光输出功率监视器 16设置在双电极 MZ调制器 14的外部。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかしながら、これに限定されず、光タップカプラ15および光出力パワーモニタ16の機能を2電極MZ変調器14に内蔵し、内蔵されたこれらの機能を用いてもよい。

但是，不限于此，也可以将光抽头耦合器 15以及光输出功率监视器 16的功能内置于双电极 MZ调制器 14中，并使用所内置的这些功能。 - 中国語 特許翻訳例文集

光変調器はさらに、光共振器、及び光共振器と第1の内部アームを光学的に結合するように構成された光カプラを備える。

光学调制器还包括光学谐振腔和光学耦合器，光学耦合器适用于将光学谐振腔和第一内臂光学耦合。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかし、導波回路102と402の間の1つの差異は、後者では、MZIアーム430aが熱−光カプラ434を介して光共振器460に結合される点である。

然而，波导回路 102和 402之间的一个区别在于： 在波导回路 402中，MZI臂 430a经由热光耦合器 434耦合到光学谐振腔 460。 - 中国語 特許翻訳例文集

図4Bに示す変調カプラ434はMZI431を有し、出力ポート433a−bの各々から出射される光の量を制御するために導波回路102（図1）のMZIを参照して上述した動作原理が使用される。

图 4B所示的可调耦合器 434具有 MZI 431，其中将以上参考波导回路 102(图 1)的 MZI所描述的工作原理用于控制从每一个输出端口 433a-b发射的光量。 - 中国語 特許翻訳例文集

より具体的には、図5Aは、共振器460をMZIアーム430aに適度に結合するようにカプラ434が調整及び固定された構成に対する損失曲線を示す。

更具体地，图 5A示出了针对以下配置的损耗曲线，在该配置中已经调谐和装配了耦合器 434以将谐振腔 460与 MZI臂 430a适度地耦合。 - 中国語 特許翻訳例文集

図5Bは、共振器460をMZIアーム430aにクリティカルに結合するようにカプラ434が調整及び固定された構成に対する損失曲線を示す。

图 5B示出了对于以下配置的损耗曲线，在该配置中已经调谐和装配耦合器 434，以将谐振腔 460与 MZI臂 430a临界耦合。 - 中国語 特許翻訳例文集

カプラ434によって設定された結合強度は、直接伝搬経路とループ「迂回」経路との間の光の分離を制御し、従って干渉による光消滅の程度を決定する。

耦合器 434设置的耦合强度控制直接传播路径和回路“迂回”路径之间的光的比例，并且因此确定由于干涉产生的消光度。 - 中国語 特許翻訳例文集

導波回路402の代表実施例では、カプラ434は、損失曲線（窪みの深さ）の大きさを約0dBと30dBの間で調整可能とすることができる。

在波导回路 402的代表性实施例中，耦合器 434使得损耗曲线的幅度 (下陷深度 )能够在0和 30dB之间可调。 - 中国語 特許翻訳例文集

カプラ434及び共振器460の設定は、キャリア周波数（図5E−Fではω1が付される）が損失曲線502の2つの隣接スペクトル共振間にほぼ等距離に位置するように選択される。

选择耦合器 434和谐振腔 460的设置，以便将载波频率 (在图 5E-F中标记为ω1)在光谱上在损耗曲线 502的两个相邻光谱谐振之间基本上等距放置。 - 中国語 特許翻訳例文集

同様の理由により、導波回路1002はまた、導波回路402で使用される光コンバイナ440と同様の光コンバイナの代わりに熱−光カプラ1040を採用する。

由于类似的原因，波导回路 1002也采用热光耦合器 1004来代替与波导回路 402中使用的光学合束器 440类似的光学合束器。 - 中国語 特許翻訳例文集

図3に示すように、光スプリッタ3（例えば、光カプラなど）を介して、図2に示すOLT装置に、図1に示す1又は複数のONU装置が接続されることによりPONシステムを構成する。

如图 3所示，通过经由分光器 (例如，光耦合器 )3将图 1所示的一个或多个 ONU设备连接到图 2所示的 OLT设备来配置 PON系统。 - 中国語 特許翻訳例文集

同じく図1において受信装置200は、通信装置としてデータ受信機能を実行するものであり、その外筐210の内部に、制御部220、メモリ230、通信処理部240およびカプラ250を備える。

同样在图 1中，作为通信设备的接收装置 200执行数据接收功能，在它的外壳中含有控制单元 220、存储器 230、通信处理单元 240和耦合器 250。 - 中国語 特許翻訳例文集

カプラ250は、動作として、誘起された電界に応じて放射器251にて検波した信号を通信処理部240に対して受信信号として渡す。

耦合器 250，作为一次操作，响应于感生电场，将在发射器 251中检测到的信号作为接收信号传送到通信处理单元 240中。 - 中国語 特許翻訳例文集

カプラ150においては、入力された送信信号が放射器151に印加され、これにより、放射器151からは、印加された送信信号に応じた電界を発生させる。

在耦合器 150中，将输入的传输信号施加到发射器 151上，由此，从发射器 151上，响应于所施加的传输信号产生电场。 - 中国語 特許翻訳例文集

金属は導体であるために、例えばカプラ150から外筐110を通過しようとする電波を反射または遮蔽するように働き、結果として、電界を弱めることになる。

由于金属是导体，所以，它就会反射或屏蔽来自耦合器 150要穿过外壳 110的无线电波，结果，就削弱了电场。 - 中国語 特許翻訳例文集

ただし、本発明の実施の形態としての構成を分かりやすく見せるための便宜上、カプラ150については外筐110のサイズに対して大きく拡大して示している。

为了便于了解本发明的实施例的结构的图例，相对于外壳 110的尺寸耦合器 150被放大的较大。 - 中国語 特許翻訳例文集

このカード型通信装置170Aは、リムーバブル形式であって、例えば図1との対応では、少なくとも通信処理部140とカプラ150の構成を有する。

与图 1中的结构相对应，卡片式通信装置 170A是可拆卸式的并且至少具有通信处理单元 140和耦合器 150。 - 中国語 特許翻訳例文集