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「キャパシタ」を含む例文一覧
該当件数 : 51件
そして、キャパシタC311の第2電極がランプ信号RAMPの入力端子TRAMPに接続されている。
电容器 C311的第二电极连接至用于斜坡信号 RAMP的输入端子 TRAMP。
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そして、キャパシタC312の第2電極がアナログ信号VSLの入力端子TVSLに接続されている。
电容器 C312的第二电极连接至用于模拟信号 VSL的输入端子 TVSL。 - 中国語 特許翻訳例文集
サンプルホールド部191は、サンプリングスイッチSW191およびホールド用キャパシタC191を有する。
采样 /保持部分 191包括采样开关 SW191和保持电容器 C191。 - 中国語 特許翻訳例文集
サンプルホールド部192は、サンプリングスイッチSW192およびホールド用キャパシタC192を有する。
采样 /保持部分 192包括采样开关 SW192和保持电容器 C192。 - 中国語 特許翻訳例文集
サンプルホールド部201は、サンプリングスイッチSW201およびホールド用キャパシタC201を有する。
采样 /保持部分 201包括采样开关 SW201和保持电容器 C201。 - 中国語 特許翻訳例文集
サンプルホールド部191A−1は、サンプリングスイッチSW191A−1およびホールド用キャパシタC191A−1を有する。
采样 /保持部分 191A-1包括采样开关 SW191A-1和保持电容器 C191A-1。 - 中国語 特許翻訳例文集
サンプルホールド部191A−2は、サンプリングスイッチSW191A−2およびホールド用キャパシタC191A−2を有する。
采样 /保持部分 191A-2包括采样开关 SW191A-2和保持电容器 C191A-2。 - 中国語 特許翻訳例文集
サンプルホールド部191A−3は、サンプリングスイッチSW191A−3およびホールド用キャパシタC191A−3を有する。
采样 /保持部分 191A-3包括采样开关 SW191A-3和保持电容器 C191A-3。 - 中国語 特許翻訳例文集
9. 前記第1の要素は、キャパシタである、請求項6に記載の方法。
9.如权利要求 6所述的方法，其中所述第一元件是电容器。 - 中国語 特許翻訳例文集
17. 前記第1の要素は、キャパシタである、請求項14に記載のシステム。
17.如权利要求 14所述的系统，其中所述第一元件是电容器。 - 中国語 特許翻訳例文集
スイッチSW121は、端子aがキャパシタC121の第1端子およびキャパシタC122の第1端子に接続され、端子bが出力信号線に接続される端子SIGに接続されている。
开关 SW121具有连接到电容器 C121的第一端子以及电容器 C122的第一端子的端子 a，以及连接到端子 SIG的端子 b，端子 SIG连接到输出信号线。 - 中国語 特許翻訳例文集
非限定の例として、キャパシタ152とキャパシタ154が、アンテナに追加されることができ、正弦曲線または準正弦曲線の信号156を生成する共振回路をつくり出す。
作为一非限制性实例，可将电容器 152和电容器 154添加到天线以形成产生正弦或准正弦信号 156的谐振电路。 - 中国語 特許翻訳例文集
次いで、電荷ポンプ1535は、位相誤差信号に基づいて、ループフィルタ1537中のキャパシタ（図示せず）に電流を注入するか、またはそのキャパシタから電流を引き出す。
电荷泵 1535然后基于相位误差信号将电流注入到环路滤波器 1537中的电容器(未示出 )或从环路滤波器 1537中的电容器抽出电流。 - 中国語 特許翻訳例文集
ループフィルタ1537中のキャパシタに注入された、またはそのキャパシタから引き出された電流は、VCO1540に制御電圧を供給するループフィルタ1537によって出力された電圧を調節する。
注入到或抽出自环路滤波器 1537中的电容器的电流调整了由环路滤波器 1537输出的电压，这向 VCO1540提供了控制电压。 - 中国語 特許翻訳例文集
11. 前記増幅器の第2の入力部は、フィードバックキャパシタに接続され、前記フィードバックキャパシタは、前記増幅器の出力部に接続される、請求項6に記載の方法。
11.如权利要求 6所述的方法，其中所述放大器的第二输入连接至反馈电容器，所述反馈电容器连接至所述放大器的输出。 - 中国語 特許翻訳例文集
19. 前記増幅器の第2の入力部は、フィードバックキャパシタに接続され、前記フィードバックキャパシタは、前記増幅器の出力部に接続される、請求項14に記載のシステム。
19.如权利要求 14所述的系统，其中所述放大器的第二输入连接至反馈电容器，所述反馈电容器连接至所述放大器的输出。 - 中国語 特許翻訳例文集
【図14】キャパシタを介したカップリング容量による接続構造を採用したCMOSイメージセンサの断面の一例を示す図である。
图 14是示出采用经由电容器的基于耦合电容的连接结构的 CMOS图像传感器的横截面的一个示例的图； - 中国語 特許翻訳例文集
キャパシタC121の第2端子が、インバータIV121の入力端子、スイッチSW122の端子a、およびスイッチSW123の端子aに接続されている。
电容器 C121的第二端子连接到反相器 IV121的输入端子、开关 SW122的端子 a、以及开关 SW123的端子 a。 - 中国語 特許翻訳例文集
図14は、キャパシタを介したカップリング容量による接続構造を採用したCMOSイメージセンサ100Dの断面の一例を示す図である。
图14是示出采用经由电容器的基于耦合电容的连接结构的CMOS图像传感器100D的横截面的一个示例的图。 - 中国語 特許翻訳例文集
図15のセンス回路121Eは、図11のセンス回路121BのスイッチSW121およびキャパシタC121を持たない構成となっている。
图 15中的感测电路 121E被配置为不具有图 11中的感测电路 121B的开关 SW121和电容器 C121。 - 中国語 特許翻訳例文集
NMOSトランジスタNT311のゲートがキャパシタC311の第1電極に接続され、その接続点によりノードND313が形成されている。
NMOS晶体管NT311的栅极连接至电容器C311的第一电极，避过且连接点构成节点ND313。 - 中国語 特許翻訳例文集
NMOSトランジスタNT312のゲートがキャパシタC312の第1電極に接続され、その接続点によりノードND314が形成されている。
NMOS晶体管 NT312的栅极连接至电容器 C312的第一电极，并且连接点构成节点ND314。 - 中国語 特許翻訳例文集
同様に、サンプルホールド部191A−nは、サンプリングスイッチSW191A−nおよびホールド用キャパシタC191A−nを有する。
类似地，采样 /保持部分 191A-n包括采样开关 SW191A-n和保持电容器 C191A-n。 - 中国語 特許翻訳例文集
保持容量613は、負荷電流を一定に維持するために、負荷トランジスタ614のゲート電圧を一定に保持するためのキャパシタである。
保持电容器 613维持负载晶体管 614的栅极电压恒定，以便维持负载电流恒定。 - 中国語 特許翻訳例文集
エネルギー検出システム1160はまた、キャパシタ1105と、第2の増幅器1110と、バンドパスフィルタ1120と、エネルギー検出器1130とを備えることができる。
能量检测系统 1160还可以包括电容器 1105、第二放大器 1110、带通滤波器 1120以及能量检测器 1130。 - 中国語 特許翻訳例文集
コンパレータ1420は、サンプルを保持するために、入力1422にサンプリングキャパシタ（図示せず）を含むことができる。
比较器 1420可以在输入 1422处包括采样电容器 (未示出 )以保持采样。 - 中国語 特許翻訳例文集
キャパシタC1の電極の一方は単位画素3に接続され、他方は比較器COM1の入力（−）に接続される。
电容器 C1的电极的一个连接到单位像素 3上，另一个连接到比较器 COM1的输入 (-)端。 - 中国語 特許翻訳例文集
5. 前記第2の構成は、スイッチ式キャパシタ入力インピーダンスを提供する、請求項4に記載の方法。
5.如权利要求 4所述的方法，其中所述第二配置提供开关电容器输入阻抗。 - 中国語 特許翻訳例文集
【図15】キャパシタを介したカップリング容量による接続構造を採用したCMOSイメージセンサの自己参照機能を有するセンス回路の一例を示す回路図である。
图 15是示出具有采用经由电容器的基于耦合电容的连接结构的 CMOS图像传感器中的自参照功能的感测电路的一个示例的图； - 中国語 特許翻訳例文集
一方、デジタルデータの伝達には高い精度は必要ないので、必ずしも直接的な接続は必要ではなく、キャパシタを介したカップリング容量による接続で十分である。
同时，数字数据的传输不需要高精度，使得直接连接不必要，并且依靠经由电容器的耦合电容的方式就足以进行连接。 - 中国語 特許翻訳例文集
図15は、キャパシタを介したカップリング容量による接続構造を採用したCMOSイメージセンサの自己参照機能を有するセンス回路の一例を示す回路図である。
图 15是示出具有采用经由电容器的基于耦合电容的连接结构的 CMOS图像传感器中的自参照功能的感测电路的一个示例的图。 - 中国語 特許翻訳例文集
サンプリングスイッチSW201は、端子aが入力端子T100に接続され、端子bがキャパシタC201の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS13の供給ラインに接続されている。
采样开关 SW201的端子 a连接至输入端子 T100。 该开关的另一端子 b连接至电容器 C201的一端，并连接点连接至用于供给偏置电压 VBIAS13的线。 - 中国語 特許翻訳例文集
負荷回路150およびDAC170には、アナログ読み出しおよびAD変換期間中、サンプルホールド回路190の内部容量であるキャパシタC191，C192にホールドされた電圧がバイアス電圧VBIAS11，VBIAS12として供給される。
在模拟信号被读出及 A/D转换的时间段期间，将保持在作为采样 /保持电路 190的内部电容的电容器 C191和 C192中的电压作为偏置电压 VBIAS11和 VBIAS12供给至负载电路 150和 DAC 170。 - 中国語 特許翻訳例文集
列並列処理部160の比較器162には、アナログ読み出しおよびAD変換期間中、サンプルホールド回路200の内部容量であるキャパシタC201にホールドされた電圧がバイアス電圧VBIAS13として供給される。
在模拟信号被读出及 A/D转换的时间段期间，将保持在作为采样 /保持电路 200的内部电容的电容器 C201中的电压作为偏置电压 VBIAS13供给至列并行处理部分 160的比较器 162。 - 中国語 特許翻訳例文集
サンプリングスイッチSW191A−1は、端子bがキャパシタC191A−1の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−1のゲートに接続されている。
采样开关 SW191A-1的端子 b连接至电容器 191A-1的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-1的栅极以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集
サンプリングスイッチSW191A−2は、端子bがキャパシタC191A−2の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−2のゲートに接続されている。
采样开关 SW191A-2的端子 b连接至电容器 191A-2的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-2的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集
サンプリングスイッチSW191A−3は、端子bがキャパシタC191A−3の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−3のゲートに接続されている。
采样开关 SW191A-3的端子 b连接至电容器 C191A-3的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-3的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集
サンプリングスイッチSW191A−nは、端子bがキャパシタC191A−nの一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−nのゲートに接続されている。
采样开关 SW191A-n的端子 b连接至电容器 C191A-n的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-n的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集
一般的に、たとえば1MHzを上回る、特に13．56MHzといった、より高い動作周波数では、ダイオードのリカバリー時間に起因する損失効果（すなわち、ダイオードのキャパシタンス）が、顕著となる。
通常，在较高操作频率 (例如高于 1MHz，且明确地说在 13.56MHz)下，因二极管恢复时间 (即，二极管电容 )而导致的损耗效应变得显著。 - 中国語 特許翻訳例文集
たとえば、キャパシタC1およびCxは、それぞれ108pFおよび5．8pFの値を有し得、プログラム可能な抵抗Rは、ページスキャンモードでは26．4KΩの抵抗を有し得、エネルギースキャンモードでは52．8KΩの抵抗を有し得る。
例如，电容器 C1和 Cx可以分别具有 108pF和 5.8pF的值，并且可编程电阻器 R可以在寻呼扫描模式下具有 26.4KΩ的电阻且在能量扫描模式下具有 52.8KΩ的电阻。 - 中国語 特許翻訳例文集
コンパレータ8は、キャパシタC1，スイッチSW1，および比較器COM1を備え、単位画素3から入力される画素信号と参照電圧VREFとを比較する。
比较器 8具备电容 C1、开关 SW1以及比较器 COM1，将从单位像素 3输入的像素信号与参照电压 VREF进行比较。 - 中国語 特許翻訳例文集
差動LNA10の可変キャパシタ47及び48（C3）は、LNA10から受信ミキサ11への電力転送を最大化するように差動LNA10のLNA負荷を調整するよう制御される。
通过控制差分 LNA 10的可变电容器 47和 48(C3)来调节差分 LNA 10的 LNA负载以使得从 LNA 10到接收混频器 11的功率传输最大化。 - 中国語 特許翻訳例文集
7. 前記デジタル制御発振器の位相は、デジタルに制御される多数の低容量キャパシタをチューニングすることによって制御することを特徴とする請求項4に記載のデジタル高周波処理技術を利用した近距離無線信号送信装置。
7.根据权利要求 4所述的本地无线信号发送装置，其中，通过调谐数字控制的低容量电容器来控制所述 DCO的相位。 - 中国語 特許翻訳例文集
14. 前記デジタル制御発振器の位相は、デジタルに制御される多数の低容量キャパシタをチューニングすることによって制御することを特徴とする請求項9に記載のデジタル高周波処理技術を利用した近距離無線信号送信装置。
14.根据权利要求 9所述的本地无线信号发送装置，其中，通过调谐数字控制的低容量电容器来控制所述 DCO的相位。 - 中国語 特許翻訳例文集
第1並列共振回路26aは、第1接点a1とGND間に接続された1つの第1PINダイオード28aと、第1接点a1と第1制御端子Tc1間に接続された第1インダクタ30aと、第1制御端子Tc1とGND間に接続された第1キャパシタCaとを有する。
第一并联谐振电路26a包括连接在第一接点a1和GND之间的第一PIN二极管28a、连接在第一接点 a1和第一控制端子 Tc1之间的第一电感器 30a、以及连接在第一控制端子Tc1和 GND之间的第一电容器 Ca。 - 中国語 特許翻訳例文集
第2並列共振回路26bは、第2接点a2とGND間に接続された1つの第2PINダイオード28bと、第2接点a2と第2制御端子Tc2間に接続された第2インダクタ30bと、第2制御端子Tc2とGND間に接続された第2キャパシタCbとを有する。
第二并联谐振电路26b包括连接在第二接点a2和GND之间的第二PIN二极管28b、连接在第二接点 a2和第二控制端子 Tc2之间的第二电感器 30b、以及连接在第二控制端子Tc2和 GND之间的第二电容器 Cb。 - 中国語 特許翻訳例文集
第4並列共振回路26dは、第4接点a4とGND間に接続された1つの第4PINダイオード28dと、第4接点a4と第2制御端子Tc2間に接続された第4インダクタ30dと、第2制御端子Tc2とGND間に接続された第4キャパシタCdとを有する。
第四并联谐振电路26d包括连接在第四接点a4和GND之间的第四PIN二极管28d、连接在第四接点 a4和第二控制端子 Tc2之间的第四电感器 30d、以及连接在第二控制端子Tc2和 GND之间的第四电容器 Cd。 - 中国語 特許翻訳例文集
第3並列共振回路26cは、第3接点a3とGND間に接続された1つの第3PINダイオード28cと、第3接点a3と第1制御端子Tc1間に接続された第3インダクタ30cと、第1制御端子Tc1とGND間に接続された第3キャパシタCcとを有する。
第三并联谐振电路26c包括连接在第三接点a3和GND之间的第三PIN二极管28c、连接在第三接点 a3和第一控制端子 Tc1之间的第三电感器 30c、以及连接在第一控制端子Tc1和 GND之间的第三电容器 Cc。 - 中国語 特許翻訳例文集
サンプリングスイッチSW191は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC11の供給ラインに接続され、端子bがキャパシタC191の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給ラインに接続されている。
采样开关 SW191的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压VDC11的线。 该开关的另一端子 b连接至电容器 C191的一端，并且连接点连接至用于供给偏置电压 VBIAS11的线。 - 中国語 特許翻訳例文集
サンプリングスイッチSW192は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC12の供給ラインに接続され、端子bがキャパシタC192の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS12の供給ラインに接続されている。
采样开关 SW192的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压VDC12的线。 该开关的另一端子 b连接至电容器 C192的一端，并且连接点连接至用于供给偏置电压 VBIAS12的线。 - 中国語 特許翻訳例文集
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